バイポーラトランジスタの静特性の測定

電界効果トランジスタの動特性
FET(Field Effective Transistor)とは
電圧制御型の能動素子
(VGSによりIDを制御す
る)
D：ドレイン
G：ゲート
S：ソース
NチャンネルJFET：接合型FET
PチャンネルJFET：接合型FET
2006 10.10
電気電子工学科基礎実験
1
NチャンネルJFET
VDS:ソース・ドレイン間電圧
VGS:ゲート電圧
空乏層の成長
VGS≦0 （逆方向電圧）
S
G
D VDS≧0 （逆方向電圧）
P
ID：ドレイン電流
N
P
ピンチオフってな
に？
チャネル
2006 10.10
電気電子工学科基礎実験
2
出力信号波形観測
CH1: VGS + vGS
vDS
VDS
0
CH2: VDS + vDS
R4 or R5
224
R1
t
R3
G
D
S
VGS
e
E1
R2
12V
vGS
2006 10.10
電気電子工学科基礎実験
3
出力抵抗と相互コンダクタンス
伝達特性
相互コンダクタンス
出力電流
ID
出力特性
VGS=0
VGS=-0.4
電流
出力抵抗
電圧
VGS=-0.8
VGS=-1.2
VGS=-1.6
VGS -2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4
入力電圧
2006 10.10
0
電気電子工学科基礎実験
VDS
VDS
出力電圧
4
動作点
12V
R4
動作点
直流負荷直線
ID
VGS=0
I
IDD
ID
VGS=-0.4
ID
VGS=-0.8
VGS=-1.2
VGS=-1.6
VGS
-2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4
0
VVDSV
DSDS VDS
12V VDS
VGS= ‐1.0
（E2による）
VGS を 0 ～ ‐2.4 のように
変化させると
2006 10.10
電気電子工学科基礎実験
5
動作点と波形
直流負荷直線
ID
VGS=0
動作点
VGS=-0.4
VGS=-0.8
VGS=-1.2
VGS=-1.6
-2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4
0
VDS
0
VGS
VGS= ‐1.0
vDS
vGS
VDS
t
VGS
2006 10.10
電気電子工学科基礎実験
6
動作点が変わったら？
直流負荷直線
ID
VGS=0
動作点
VGS=-0.4
VGS=-0.8
VGS=-1.2
VGS=-1.6
VGS
0
vDS
VDS
VGS
2006 10.10
VDS
vGS
VGS= ‐2.0
-2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4
電気電子工学科基礎実験
!
7
実験上の注意
出力波形の観察
R4，R5の選択は静特性第1象限の結果から判断する
動作点は静特性第1象限の結果により各班で決める
波形は，DCカップリングで波形をスケッチする
結果を図式解析によって、説明する
増幅率の算出時にR4（あるいはR5）を考慮すること
2006 10.10
電気電子工学科基礎実験
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