解析途中経過報告
東京都立大学理学部物理学科
高エネルギー実験研究室
卒研生 春名 毅
目次
バックグラウンドの計算
Ｓスキャンからバックグラウンドを引
く
陽電子生成量とＳスキャンの関係グラ
フ
東京都立大学理学部物理学科 春名 毅
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バックグラウンドの計算
Ｘスキャンにおけるターゲットにビー
ムが当たっていないところを取り出し
て平均。
解析は『ROOT Version4.00』で行っ
た。
Xスキャンの範囲を手作業で選定した。
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プログラムの説明
if(runN<149){ if( (-18<=angle && angle<=10)||(10<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
if(runN>=149){ if( (-16<=angle && angle<=12)||(15<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
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Run50(Xスキャン)
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プログラムの説明
if(runN<149){ if( (-18<=angle && angle<=10)||(10<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
if(runN>=149){ if( (-16<=angle && angle<=12)||(15<=angle && angle<=18) ){
adc2～5までの足し合わせ
}
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Run157(Xスキャン)
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当然のことながら・・・
足し合わせた後に、ADCそれぞれの平
均値、及びErrorを計算。
Runによって、ターゲットの大きさや
場所が違うので、その点に留意してプ
ログラムを組んだ。
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Ｓスキャンからバックグラウ
ンドデータを引く
まず、どのRunにどの
バックグラウンドデータ
が当てはまるのかを調べ
た。
右のデータから自動的に
バックグラウンドのラン
ナンバーを探す様にヘッ
ダーファイル
『RunDB.h』を浜津さん
に書き換えてもらった。
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Sスキャ Xスキャ
ン
ン
49
50
82
80
92
93
126
125
131
130
143
142
148
147
158
157
160
161
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ビンの決定の仕方
Amorphousの厚みが違うところは除外
しなくてはならない。
Startが-49.8で、そこからOffset地点ま
でビンをとり、その後は3・12・3・
12…という風にビンを決定して平均
値、及びErrorを計算した。
3はビームの幅でこれを除外してい
く。
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SスキャンBINサイズの設定
法
Float_t Offset = -46.8;
if( runN > 131 ) Offset = -44.8;
Float_t Gap = 3.0;
Float_t Width = 12.0;
Int_t NvBins = 13;
Float_t Bins[14];
Bins[0] = Start;
Bins[1] = Offset;
Bins[NvBins] = Stop;
for( Int_t s=2; s<NvBins; s += 2 ) {
Bins[s] = Bins[s-1] + Gap;
if( s < (NvBins-1) ) Bins[s+1] = Bins[s] + Width;
}
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例：Run92（ADC2)
緑線がバックグラ
ウンドを引いた後
のデータ。
厚さ0ｍｍのところ
でADCの値はほぼ0
となった。
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Yield v.s. Amorphous
Thickness （ADC2,ADC4)
陽電子の運動量、
10MeVと20MeVにお
ける生成量の厚さ依
存性の違いを解析し
た。
HVは全てのRunにお
いて、運動量毎に同
じであったので、HV
は無視して解析を 春名
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毅
10Me
20Me
ADC2の
741V
610V
ADC4の
568V
442V
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ADC2
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14
ADC4
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Average of ADC2
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Average of ADC4
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まとめ
Run92は、他のRunとは違う振る舞い
をしている。
⇒平均値を計算する時は除外した。
10MeVと20MeVが途中でCrossoverす
る。
これからもWebページを随時更新して
いきます。
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