新パッケージMPPC 温度依存性の測定２００６年１１月２１日検出器meeting 山崎秀樹須藤裕司測定項目 Gain 0.5pe Noiserate Crosstalk これらを温度とBias電圧を変えて、－２０～３０度で測定新Sample ＡＤＣ分布(温度30度) Vbias Voltage 77.0V 78.6V LED Voltage 5.6V きれいにpeakが分離してる 81.4V Gainの測定 C Gain  (VBias  Vo ) e C : Pixel capacitance V0: Breakdown voltage e: 素電荷Ｇａｉｎは線形に変化している NoiseRate (熱電子によるアバランシェ増幅) 温度によって～数10ｋＨｚ辺りまでダークノイズが抑えられる（最大30度で750KHz） C,V0の温度依存性 C,V0の温度依存性Ｖ０：温度に対して線形に変化するＣ：温度によってバラバラ（fitによるものと思われる） Closs-talk probability 2 pixel firedのeventをclosstalkとほとんどのsampleではする Rate( 1.5 p.e.) closstalk率に温度依存 Pcrosstalk  Rate( 0.5 p.e.) 性は見られない今後の測定まとめまとめ • 新パッケージは旧パッケージと比べて熱電子ノイズが少なくなった • 温度を下げると熱電子ノイズは少なくなる今後の測定 •残る３つのsampleの測定にとりかかる •最終的には合計２０個のsampleでの測定をする Backup セットアップ：Gain セットアップ：ノイズレート / クロストーク • ノイズレートの測定は、 63倍のPMTアンプ x 10倍のNIMアンプ（ディスクリミネータのため）Ｇａｉｎの算出 d r Gain  A e ｒ：ADC 分解能 0.25pc/count A: アンプ増幅率 e:素電荷 1.6×1019 C ｄ旧Sampleと新sample ＡＤＣ分布の比較どちらもOver voltageは 2Vぐらい光量も同じぐらい旧 Sample 新Sample Ｇａｉｎ（温度依存性） Gain measurement (旧パッケージ) Gain  C (VBias  Vo ) e C : Pixel capacity V0: Breakdown voltage ・30℃ ・25℃ ・20℃ ・15℃ ・10℃ ・0℃ ・-20℃ Noise Rate …熱電子によるダークカウント rate (旧パッケージ) ・30℃ ・25℃ ・20℃ ・15℃ ・10℃ ・0℃ ・-20℃ Over voltage [V] = Vbias – V0(T) ・だいたい 100kHz～1MHz程度・温度、Over voltageが低い ⇒ ノイズが少ない Cross-talk Probability(旧パッケージ) ・30℃ ・25℃ ・20℃ ・15℃ ・10℃ ・0℃ ・-20℃ Pcrosstalk Rate( 1.5 p.e.)  Rate( 0.5 p.e.) ダークノイズによる、２ pixel fired signal をクロストークとした Over voltage [V] = Vbias – V0(T) バイアス電圧が2.5V以下では、温度依存性がない