Diodes社 POLコンバータの効率及び信頼性アップに貢献！ショットキー内蔵 MOSFET“DIOFET TM”登場 DIOFETTM（Diodes Schottky Integrated MOSFET）は、MOSFETとショットキーダイオードが１チップ化された Diodes社の新製品で、POLコンバータにおける電力損失の主な要因となるMOSFETのボディダイオードの損失を大幅に改善します。DIOFET TMは、POLコンバータのローサイドにおける同期整流用MOSFETと置き換えることにより、従来のボディダイオードよりも低いVf で効率を向上させ、従来のMOSFETや他社製の類似品よりも更に低い温度動作で、POLコンバータ全体の信頼性アップに貢献します。 ◆ 特　長 ● 低いオン抵抗 ● 従来のボディダイオードよりVfを低減 ● 低Qrr ● 低い温度動作 ● 高パルスアバランシェエネルギー耐性 ◆ アプリケーション ● ノートPC ● タブレット型PC ● セットトップボックス ◆ POLコンバータにおけるDIOFET ソリューション例 TM MOSFET 1個入りタイプ MOSFET 2個入りタイプ内蔵ショットキーは ● 従来のボディダイオードよりVfが48%も低減 ● 低いQrrによりハイサイドにおけるMOSFETのスイッチングON時の損失を低減 ⇒回路全体の効率アップに貢献！ 6 ◆ 他社製の類似品との比較 Efficiency （％） Efficiency （％）入力電圧5～28V、出力電圧3.3～５V（前ページのMOSFET1個入りタイプの回路） Load （A） Load （A）入力19V ⇒ 出力5V 入力9V ⇒ 出力5V 他社製の類似品と比較して、負荷電流が４A以上の場合、効率を更に0.5～1%改善！ ◆ 従来のMOSFETとの比較 Efficiency （％） Efficiency （％）入力電圧5～28V、出力電圧3.3～５V（前ページのMOSFET1個入りタイプの回路） Load （A） Load （A）入力19V ⇒ 出力3V 入力9V ⇒ 出力3V 従来のトレンチゲートMOSFETと比較して、効率を更に1%改善！ ◆ POLコンバータの信頼性向上システム全体の動作温度を10℃下げると信頼性は２倍になると言われています。DIOFET TMは、POLコンバータにおける従来のMOSFETと置き換えるだけで動作温度を７℃も下げることが可能です。また、トランスやインダクターからの高パルスアバランシェエネルギーにも十分な耐性を備えており、より安定したPOLコンバータの設計が可能です。 ◆ DIOFET シリーズ一覧 TM 型名ドレイン・ソース間タイプ電圧Vdss （V）オン抵抗Rds(on) ゲート・ドレイン typ(mΩ) ソース許容損失電流Iｄ間電圧 Pd(W) (A) @10V @4.5V Vgs(±V) 入力容量 Ciss(pF) @15V ゲート入力ソース・アバラン電荷量ドレイン間シェパッケージ Qg(nC) 電圧Vsd(V) エネルギー @4.5V @1A Ear(mJ) DMS3014SSS シングル 30 12 10.4 1.5 9 10 2296 19.3 0.37 45 DMS3015SSS シングル 30 20 11 1.5 8.5 9.5 1276 14.3 0.45 43 DMS3016SSS シングル 30 12 9.8 1.5 9 11 1849 18.5 0.4 25.4 DMS3017SSD デュアル 30 20 9.5 8.8 9.5 1276 14.3 0.45 12.8 20 8.8 15 25 479 5 0.7 12.8 DMS3019SSD デュアル 30 12 9.0 10 12 1932 18.1 0.4 25.4 12 10 15 25 479 5 0.65 12.8 1.2 1.2 7 SO8