S-8206Aシリーズバッテリー保護IC

S-8206Aシリーズ
1セル用バッテリー保護IC
(セカンドプロテクト用)
www.sii-ic.com
Rev.1.1_00
© Seiko Instruments Inc., 2015
S-8206Aシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池セカンドプ
ロテクト用ICです。
 特長
・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧
3.50 V ~ 5.00 V (5 mVステップ)
精度±20 mV
過充電解除電圧
3.10 V ~ 4.95 V
*1
精度±50 mV
・検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・出力論理を選択可能
: アクティブ "H"、アクティブ "L"
・出力形態を選択可能
: CMOS出力、Nchオープンドレイン出力
・広動作温度範囲
: Ta = −40°C ~ +85°C
・低消費電流
動作時
: 1.5 μA typ., 3.0 μA max. (Ta = +25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1.
過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧
(過充電ヒステリシス電圧は、0.05 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
 用途
・リチウムイオン二次電池パック
・リチウムポリマー二次電池パック
 パッケージ
・SNT-6A
・HSNT-6 (1212)
セイコーインスツル株式会社
1
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 ブロック図
1.
CMOS出力、アクティブ "H"
VDD
DO
過充電検出
コンパレータ
制御ロジック
遅延回路
VSS
発振回路
CO
VM
図1
2
セイコーインスツル株式会社
Rev.1.1_00
2.
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
CMOS出力、アクティブ "L"
VDD
DO
過充電検出
コンパレータ
制御ロジック
遅延回路
VSS
発振回路
CO
VM
図2
セイコーインスツル株式会社
3
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
3.
Rev.1.1_00
Nchオープンドレイン出力
VDD
DO
過充電検出
コンパレータ
制御ロジック
遅延回路
VSS
発振回路
CO
VM
図3
4
セイコーインスツル株式会社
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 品目コードの構成
1.
製品名
S-8206A xx
-
xxxx
U
環境コード
U
: 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
パッケージ略号とICの梱包仕様*1
I6T1
: SNT-6A、テープ品
A6T2
: HSNT-6 (1212)、テープ品
追番*2
AA ~ ZZまで順次設定
*1.
*2.
2.
テープ図面を参照してください。
"3. 製品名リスト" を参照してください。
パッケージ
表1
パッケージ名
パッケージ図面コード
外形寸法図面
テープ図面
リール図面
ランド図面
SNT-6A
PG006-A-P-SD
PG006-A-C-SD
PG006-A-R-SD
PG006-A-L-SD
HSNT-6 (1212)
PM006-A-P-SD
PM006-A-C-SD
PM006-A-R-SD
PM006-A-L-SD
セイコーインスツル株式会社
5
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
3.
Rev.1.1_00
製品名リスト
3. 1
SNT-6A
表2
製品名
過充電検出電圧過充電解除電圧過充電検出遅延時間*1
出力論理*2
出力形態*3
[VCU]
[VCL]
[tCU]
S-8206AAA-I6T1U
4.500 V
4.150 V
2s
アクティブ "H"
CMOS出力
S-8206AAB-I6T1U
4.550 V
4.200 V
2s
アクティブ "H"
CMOS出力
S-8206AAC-I6T1U
4.150 V
4.000 V
2s
アクティブ "L"
CMOS出力
S-8206AAD-I6T1U
4.250 V
4.100 V
2s
アクティブ "L"
CMOS出力
S-8206AAE-I6T1U
4.150 V
4.000 V
2s
アクティブ "H"
Nchオープンドレイン出力
S-8206AAF-I6T1U
4.250 V
4.100 V
2s
アクティブ "H"
Nchオープンドレイン出力
*1.
*2.
過充電検出遅延時間を1 s, 2 s, 4 sから選択可能
出力論理をアクティブ "H"、アクティブ "L" から選択可能
*3.
出力形態をCMOS出力、Nchオープンドレイン出力から選択可能
備考
上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。
3. 2
HSNT-6 (1212)
表3
製品名
過充電検出電圧過充電解除電圧過充電検出遅延時間*1
出力論理*2
出力形態*3
[VCU]
[VCL]
[tCU]
S-8206AAA-A6T2U
4.500 V
4.150 V
2s
アクティブ "H" CMOS出力
S-8206AAB-A6T2U
4.550 V
4.200 V
2s
アクティブ "H" CMOS出力
*1.
*2.
過充電検出遅延時間を1 s, 2 s, 4 sから選択可能
出力論理をアクティブ "H"、アクティブ "L" から選択可能
*3.
出力形態をCMOS出力、Nchオープンドレイン出力から選択可能
備考
6
上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。
セイコーインスツル株式会社
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 ピン配置図
1.
SNT-6A
表4
端子番号
Top view
1
2
3
6
5
4
図4
端子記号
*1
端子内容
1
NC
2
CO
3
DO
テスト信号入力端子
4
VSS
負電源入力端子
5
VDD
正電源入力端子
6
VM
CO端子側負極電源端子
無接続
充電制御用FETゲート接続端子
(CMOS出力)
*1. NCは電気的にオープンを示します。
そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
2.
HSNT-6 (1212)
表5
Top view
1
2
3
6
5
4
Bottom view
6
5
4
1
2
3
*1
*1. 網掛け部分の裏面放熱板は、基
端子番号
端子記号
*1
端子内容
1
NC
2
CO
3
DO
テスト信号入力端子
4
VSS
負電源入力端子
5
VDD
正電源入力端子
6
VM
CO端子側負極電源端子
無接続
充電制御用FETゲート接続端子
(CMOS出力)
*1. NCは電気的にオープンを示します。
そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
板に接続し電位をオープンまた
はVDDとしてください。ただし、
電極としての機能には使用しな
いでください。
図5
セイコーインスツル株式会社
7
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 絶対最大定格
表6
(特記なき場合 : Ta = +25°C)
項目
記号
適用端子
絶対最大定格
単位
VSS − 0.3 ~ VSS + 6
V
VDD端子 − VSS端子間入力電圧
VDS
VDD
VM入力端子電圧
VVM
VM
VDD − 28 ~ VDD + 0.3
V
DO入力端子電圧
VDO
DO
VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
V
VCO
CO
VVM − 0.3 ~ VDD + 0.3
V
CO出力端子電圧
許容損失
CMOS出力
Nchオープンドレイン出力
SNT-6A
PD
HSNT-6 (1212)
VVM − 0.3 ~ VVM + 28
V
−
400*1
mW
−
480*1
mW
動作周囲温度
Topr
−
−40 ~ +85
°C
保存温度
Tstg
−
−55 ~ +125
°C
*1.
基板実装時
[実装基板]
(1) 基板サイズ : 114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
(2) 名称
注意
: JEDEC STANDARD51-7
絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣
化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
700
許容損失 (PD) [mW]
600
HSNT-6 (1212)
500
SNT-6A
400
300
200
100
0
0
50
100
150
周囲温度 (Ta) [°C]
図6
8
パッケージ許容損失 (基板実装時)
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 電気的特性
1.
Ta = +25°C
表7
項目
記号
条件
(特記なき場合 : Ta = +25°C)
測定
Max.
単位
回路
Min.
Typ.
VCU − 0.020
VCU − 0.025
VCU
VCU
VCU + 0.020
VCU + 0.025
V
V
1
1
VCL − 0.050
VCL
VCL + 0.050
V
1
VCL − 0.025
VCL
VCL + 0.020
V
1
1.5
−
6.0
V
−
検出電圧
過充電検出電圧
VCU
過充電解除電圧
VCL
入力電圧
VDD端子 − VSS端子間
動作電圧
入力電流
動作時消費電流
出力抵抗
CO端子抵抗 "H" 1
CO端子抵抗 "L" 1
DO端子抵抗 "H"
DO端子抵抗 "L"
−
Ta = −10°C ~ +60°C
VCL ≠ VCU
*1
VCL = VCU
−
VDSOP
IOPE
VDD = 3.4 V, VVM = 0 V
−
1.5
3.0
μA
2
RCOH1
RCOL1
RDOH
CMOS出力
−
−
5
5
5
10
10
10
20
20
20
kΩ
kΩ
kΩ
3
3
3
3
RDOL
−
5
10
20
CO端子抵抗 "H" 2
CO端子抵抗 "L" 2
出力電流
端子リーク電流 "L"
遅延時間
RCOH2
RCOL2
CMOS出力、アクティブ "L"
CMOS出力、アクティブ "H"
1
1
4
4
−
−
kΩ
MΩ
MΩ
ICOLL
Ncnオープンドレイン出力
−
−
0.1
μA
3
過充電検出遅延時間
tCU
tCU × 0.7
tCU
tCU × 1.3
−
4
*1.
−
3
3
高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。
セイコーインスツル株式会社
9
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 測定回路
注意 1. 特に記述していない場合のCO端子の出力電圧 (V CO ) の "H", "L" の判定は、Nch FETのしきい値電圧
(1.0 V) とします。このとき、CO端子はVVM基準で判定してください。
2. Nchオープンドレイン出力はSWをON、CMOS出力はOFFに設定してください。
1.
過充電検出電圧、過充電解除電圧
(測定回路1)
1. 1
アクティブ "H"
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) と
します。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCU
とVCLとの差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。
1. 2
アクティブ "L"
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) と
します。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCU
とVCLとの差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。
2.
動作時消費電流
(測定回路2)
V1 = 3.4 Vに設定した状態において、VDD端子に流れる電流 (IDD) を動作時消費電流 (IOPE) とします。
3.
CO端子抵抗 "H" 1 (CMOS出力)
(測定回路3)
3. 1
アクティブ "H"
V1 = 5.1 V, V2 = 4.7 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とし
ます。
3. 2
アクティブ "L"
V1 = 3.4 V, V2 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とし
ます。
4.
CO端子抵抗 "L" 1
(測定回路3)
4. 1
アクティブ "H"
V1 = 3.4 V, V2 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 1 (RCOL1) とし
ます。
4. 2
アクティブ "L"
V1 = 5.1 V, V2 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 1 (RCOL1) とし
ます。
5.
DO端子抵抗 "H"
(測定回路3)
V1 = 3.4 V, V3 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "H" (RDOH) とします。
10
セイコーインスツル株式会社
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
6.
DO端子抵抗 "L"
(測定回路3)
V1 = 1.8 V, V3 = 0.4 Vに設定した状態において、VSS端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "L" (RDOL) とします。
7.
CO端子抵抗 "H" 2 (CMOS出力、アクティブ "L")
(測定回路3)
V1 = 5.1 V, V2 = 0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 2 (RCOH2) とします。
8.
CO端子抵抗 "L" 2 (CMOS出力、アクティブ "H")
(測定回路3)
V1 = 5.1 V, V2 = 5.1 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" 2 (RCOL2) とします。
9.
CO端子リーク電流 "L" (Nchオープンドレイン出力)
(測定回路3)
9. 1
アクティブ "H"
V1 = 5.1 V, V2 = 28 Vに設定した状態において、CO端子に流れる電流 (ICO) をCO端子リーク電流 "L" (ICOLL)
とします。
9. 2
アクティブ "L"
V1 = 3.4 V, V2 = 28 Vに設定した状態において、CO端子に流れる電流 (ICO) をCO端子リーク電流 "L" (ICOLL)
とします。
10.
過充電検出遅延時間
(測定回路4)
10. 1
アクティブ "H"
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "H" となるまでの時間を過
充電検出遅延時間 (tCU) とします。
10. 2
アクティブ "L"
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "L" となるまでの時間を過充
電検出遅延時間 (tCU) とします。
セイコーインスツル株式会社
11
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
R1 = 330 Ω
IDD
A
VDD
C1 = 0.1 μF
VDD
V1
S-8206Aシリーズ
V1
Rev.1.1_00
S-8206Aシリーズ
VSS
VSS
VM
DO
DO
CO
V VDO
図7
V VCO SW
測定回路1
図8
VDD
測定回路2
VDD
V1
S-8206Aシリーズ
VSS
VM
DO
S-8206Aシリーズ
VSS
CO
VM
A IDO
A ICO
V3
V2
COM
DO
オシロスコープ
CO
SW
オシロスコープ
COM
図9
12
CO
COM
COM
V1
VM
測定回路3
図10
セイコーインスツル株式会社
測定回路4
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 動作説明
備考 " バッテリー保護ICの接続例" を参照してください。
1. 過充電検出状態
S-8206Aシリーズは、VDD端子 − VSS端子間に接続された電池電圧を監視し、過充電を検出します。通常状態の電池
電圧が充電中に過充電検出電圧 (VCU) を越え、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した場合、CO端子か
ら過充電検出信号を出力します。この状態を過充電状態と言います。CO端子にFETを接続することにより、充電制
御およびセカンドプロテクトが可能です。
2.
テストモード
S-8206Aシリーズは、DO端子を外部から強制的にVSS電位にすることでtCUを短縮できます。DO端子を外部から強制
的にVSS電位にした場合、tCUが約1/64になります。
セイコーインスツル株式会社
13
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 タイミングチャート
1.
過充電検出
VCU
VCL (VCU − VHC)
電池電圧
VDD
CO端子電圧
CMOS出力
アクティブ "H"
VVM
VDD
CO端子電圧
CMOS出力
アクティブ "L"
VVM
VDD
CO端子電圧
Nchオープンドレイン出力
アクティブ "H"
High-Z
VVM
VDD
CO端子電圧
Nchオープンドレイン出力
アクティブ "L"
High-Z
High-Z
VVM
過充電検出遅延時間 (tCU)
状態
*1
(2)
(1)
*1. (1) : 通常状態
(2) : 過充電状態
図11
14
セイコーインスツル株式会社
(1)
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 バッテリー保護ICの接続例
CMOS出力、アクティブ "H" の製品を使用した場合の接続例を図12に示します。
プロテクタヒューズ
EB+
R1
VDD
C1
電池
DO
S-8206Aシリーズ
FET
VSS
VM
CO
EB−
図12
表8
記号
FET
部品
Nch
MOS FET
R1
抵抗
C1
容量
注意 1.
2.
目的
充電制御
ESD対策、
電源変動対策
電源変動対策
外付け部品定数
Min.
Typ.
Max.
備考
−
−
−
−
150 Ω
330 Ω
1 kΩ
−
0.068 μF
0.1 μF
1.0 μF
−
上記定数は予告なく変更することがあります。
上記接続例以外の回路においては、動作確認されていません。また、上記接続例および定数は、動作を保証する
ものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。
セイコーインスツル株式会社
15
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
【SC PROTECTOR に関するお問い合わせ先】
デクセリアルズ株式会社アドバンストプロセスデバイス事業部
〒141-0032 東京都品川区大崎 1-11-2
ゲートシティ大崎イーストタワー8 階
TEL 03-5435-3946
お問い合わせ http://www.dexerials.jp/
Rev.1.1_00
デバイス営業部
 注意事項
・IC内での損失がパッケージの許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう
にしてください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当IC
を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
16
セイコーインスツル株式会社
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 諸特性データ (Typicalデータ)
1.
消費電流
1. 1
IOPE − Ta
4.0
IOPE [A]
3.0
2.0
1.0
0.0
2.
40 25
0
25
Ta [C]
50
75 85
検出電圧
2. 1
VCU − Ta
2. 2
4.53
VCL [V]
VCU [V]
4.51
4.49
4.47
4.45
0
25
Ta [C]
50
75 85
0
25
Ta [C]
50
75 85
4.21
4.19
4.17
4.15
4.13
4.11
4.09
4.07
40 25
0
25
Ta [C]
50
75 85
遅延時間
3. 1
tCU − Ta
5.0
4.0
tCU [s]
3.
40 25
VCL − Ta
3.0
2.0
1.0
40 25
セイコーインスツル株式会社
17
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
4.
Rev.1.1_00
出力抵抗
4. 1
RCOH1 − VCO
4. 2
30
RCOL1 [k]
RCOH1 [k]
30
RCOL1 − VCO
20
10
0
20
10
0
0
1
2
3
4
0
1
2
VCO [V]
3
4
1
2
VDO [V]
3
4
VCO [V]
RDOH − VDO
4. 4
RDOL − VDO
30
30
20
20
RDOL [k]
RDOH [k]
4. 3
10
0
10
0
0
1
2
3
4
VDO [V]
18
セイコーインスツル株式会社
0
1セル用バッテリー保護IC (セカンドプロテクト用)
S-8206Aシリーズ
Rev.1.1_00
 マーキング仕様
1.
SNT-6A
Top view
6
5
4
(1) ~ (3)
: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照)
(4) ~ (6)
: ロットナンバー
(1) (2) (3)
(4) (5) (6)
1
2
3
製品名と製品略号の対照表
(1)
製品略号
(2)
(3)
S-8206AAA-I6T1U
J
N
A
S-8206AAB-I6T1U
J
N
B
S-8206AAC-I6T1U
J
N
C
S-8206AAD-I6T1U
J
N
D
S-8206AAE-I6T1U
J
N
E
S-8206AAF-I6T1U
J
N
F
製品名
2.
HSNT-6 (1212)
Top view
6
5
4
(1) ~ (3)
: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照)
(4), (5)
: ロットナンバー
(1) (2) (3)
(4) (5)
1
2
3
製品名と製品略号の対照表
(1)
製品略号
(2)
(3)
S-8206AAA-A6T2U
J
N
A
S-8206AAB-A6T2U
J
N
B
製品名
セイコーインスツル株式会社
19
1.57±0.03
6
1
5
4
2
3
+0.05
0.08 -0.02
0.5
0.48±0.02
0.2±0.05
No. PG006-A-P-SD-2.0
TITLE
SNT-6A-A-PKG Dimensions
No.
PG006-A-P-SD-2.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
+0.1
ø1.5 -0
4.0±0.1
2.0±0.05
0.25±0.05
+0.1
1.85±0.05
5°
ø0.5 -0
4.0±0.1
0.65±0.05
3 2 1
4
5 6
Feed direction
No. PG006-A-C-SD-1.0
TITLE
SNT-6A-A-Carrier Tape
PG006-A-C-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. PG006-A-R-SD-1.0
TITLE
SNT-6A-A-Reel
No.
PG006-A-R-SD-1.0
SCALE
UNIT
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
5,000
0.52
1.36
2
0.52
0.2 0.3
1.
2.
1
(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)
(1.30 mm ~ 1.40 mm)
0.03 mm
SNT
1. Pay attention to the land pattern width (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.).
2. Do not widen the land pattern to the center of the package ( 1.30 mm ~ 1.40 mm ).
Caution 1. Do not do silkscreen printing and solder printing under the mold resin of the package.
2. The thickness of the solder resist on the wire pattern under the package should be 0.03 mm
or less from the land pattern surface.
3. Match the mask aperture size and aperture position with the land pattern.
4. Refer to "SNT Package User's Guide" for details.
1.
2.
(0.25 mm min. / 0.30 mm typ.)
(1.30 mm ~ 1.40 mm)
No. PG006-A-L-SD-4.1
TITLE
SNT-6A-A-Land Recommendation
PG006-A-L-SD-4.1
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
0.40
1.00±0.05
0.38±0.02
0.40
4
6
3
1
+0.05
0.08 -0.02
1.20±0.04
The heat sink of back side has different electric
potential depending on the product.
Confirm specifications of each product.
Do not use it as the function of electrode.
0.20±0.05
No. PM006-A-P-SD-1.0
TITLE
HSNT-6-B-PKG Dimensions
PM006-A-P-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
2.0±0.05
+0.1
ø1.5 -0
4.0±0.1
0.25±0.05
+0.1
ø0.5 -0
0.50±0.05
4.0±0.1
1.32±0.05
5°
3
1
4
6
Feed direction
No. PM006-A-C-SD-1.0
TITLE
HSNT-6-B-C a r r i e r Tape
No.
PM006-A-C-SD-1.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
+1.0
9.0 - 0.0
11.4±1.0
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. PM006-A-R-SD-1.0
HSNT-6-B-Reel
TITLE
PM006-A-R-SD-1.0
No.
SCALE
UNIT
QTY.
5,000
mm
Seiko Instruments Inc.
1.04min.
Land Pattern
0.24min.
1.02
0.40±0.02
0.40±0.02
(1.22)
Caution It is recommended to solder the heat sink to a board
in order to ensure the heat radiation.
PKG
Metal Mask Pattern
Aperture ratio
Aperture ratio
Caution
Mask aperture ratio of the lead mounting part is 100%.
Mask aperture ratio of the heat sink mounting part is 40%.
Mask thickness: t0.10mm to 0.12 mm
100%
40%
t0.10mm ~ 0.12 mm
No. PM006-A-L-SD-2.0
TITLE
HSNT-6-B-Land Recommendation
No.
PM006-A-L-SD-2.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
www.sii-ic.com
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て使用することはできません。
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誤動作により、人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設
計などの安全設計に十分ご留意ください。

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