S-19190 バッテリー保護IC

S-19190シリーズ
車載用 105°C動作
セルバランス機能付き電圧監視用IC
www.sii-ic.com
Rev.1.0_01
© SII Semiconductor Corporation, 2015
S-19190シリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したセルバランス機能付き電圧監視用ICです。
バッテリーおよびキャパシタのセルバランス、過充電保護に最適なICです。
注意
本製品は、車両機器、車載機器へのご使用が可能です。これらの用途でご使用をお考えの際は、必ず弊社窓口までご相
談ください。
 特長
・高精度電圧検出回路
セルバランス検出電圧
: 2.0 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)
セルバランス解除電圧
: 2.0 V ~ 4.6 V*1
過充電検出電圧
: 2.0 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)
過充電解除電圧
: 2.0 V ~ 4.6 V*2
・CB端子 VSS端子間にオン抵抗5 typ.のNchトランジスタを内蔵
・消費電流
: 2.0 A max. (Ta = 25°C)
・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・CO端子出力形態、出力論理選択可能 : CMOS出力
Nchオープンドレイン出力
_____
・CE 端子によるパワーダウンモードへの切り換えが可能
・動作温度範囲
: Ta = 40°C ~ 105°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*
・AEC-Q100進行中 3
*1.
*2.
*3.
精度12 mV (2.0 V≦VBU＜2.4 V)
精度0.5% (2.4 V≦VBU≦4.6 V)
精度24 mV (2.0 V≦VBL＜2.4 V)
精度1.0% (2.4 V≦VBL≦4.6 V)
精度12 mV (2.0 V≦VCU＜2.4 V)
精度0.5% (2.4 V≦VCU≦4.6 V)
精度24 mV (2.0 V≦VCL＜2.4 V)
精度1.0% (2.4 V≦VCL≦4.6 V)
アクティブ "H"、アクティブ "L"
アクティブ "H"、アクティブ "L"
セルバランス解除電圧 = セルバランス検出電圧  セルバランスヒステリシス電圧
(セルバランスヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
過充電解除電圧 = 過充電検出電圧  過充電ヒステリシス電圧
(過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
詳細は、弊社営業部までお問い合わせください。
 用途
・二次電池モジュール
・キャパシタモジュール
 パッケージ
・SOT-23-6
1
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
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 ブロック図
VDD
CB

制御回路

遅延回路
CO


DP
1 M
パワーダウンモード
_____
CE
切り換え回路
1 M
VSS
*1. 図中のダイオードはすべて寄生ダイオードです。
図1
2
車載用
105°C動作
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セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
 AEC-Q100進行中
AEC-Q100の信頼性試験の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。
 品目コードの構成
1. 製品名
S-19190
xx
H
-
M6T1
U
環境コード
U
: 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1
パッケージ略号とICの梱包仕様
M6T1 : SOT-23-6、テープ品
動作温度
H
: Ta = 40°C ~ 105°C
追番
AA ~ ZZ まで順次設定
*1. テープ図面を参照してください。
2. パッケージ
表1 パッケージ図面コード
パッケージ名
SOT-23-6
外形寸法図面
MP006-A-P-SD
テープ図面
MP006-A-C-SD
リール図面
MP006-A-R-SD
3
車載用 105°C動作
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3. 製品名リスト
製品名
S-19190AOH-M6T1U
備考
備考
1.
2.
3.
セルバランス
検出電圧
[VBU]
2.000 V
セルバランス
解除電圧
[VBL]
2.000 V
表2
過充電
検出電圧
[VCU]
3.000 V
過充電
解除電圧
[VCL]
3.000 V
CO端子
出力論理
遅延時間の
組み合わせ
アクティブ "H"
(1)
CO端子
出力形態
CMOS 出力
上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。
VCU＞VBU となるように選択してください。
遅延時間の組み合わせの詳細については、表3を参照してください。
遅延時間の組み合わせ
セルバランス
検出遅延時間
[tBU]
(1)
128 ms
表3
セルバランス
解除遅延時間
[tBL]
1.0 ms
過充電検出
遅延時間
[tCU]
過充電解除
遅延時間
[tCL]
128 ms
1.0 ms
下記範囲内で遅延時間の変更も可能です。弊社営業部までお問い合わせください。
表4
遅延時間
セルバランス検出遅延時間*1
セルバランス解除遅延時間
記号
tBU
tBL
tCU
過充電検出遅延時間*1
過充電解除遅延時間
tCL
*1. tCU≧tBU となるように選択してください。
*2. 標準品の遅延時間です。
4
選択範囲
64 ms
0.5 ms
64 ms
0.5 ms
128 ms*2
1.0 ms*2
128 ms*2
1.0 ms*2
備考
256 ms
2.0 ms
256 ms
2.0 ms
左記から選択
左記から選択
左記から選択
左記から選択
車載用
105°C動作
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 ピン配置図
1. SOT-23-6
表5
Top view
6 5 4
端子番号
1
2
3
端子記号
CO
VSS
DP
1 2 3
_____
図2
4
CE
5
VDD
6
CB
端子内容
過充電信号出力端子
負電源入力端子
テストモード切り換え端子
"H" : テストモード (遅延時間短縮)
"L" : 通常動作モード
パワーダウンモード切り換え端子
"H" : パワーダウンモード
"L" : 通常動作モード
正電源入力端子
セルバランス信号出力端子
(Nchオープンドレイン出力)
5
車載用 105°C動作
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 絶対最大定格
表6
(特記なき場合 : Ta = 25°C)
項目
記号
適用端子
絶対最大定格
単位
VDD端子 VSS端子間入力電圧
VDS
VDD
V
V
SS 0.3 ~ VSS 6.0
_____
VSS 0.3 ~ VDD 0.3≦VSS 6.0
入力端子電圧
VIN
V
CE , DP
出力端子電圧
VOUT
CO, CB
VSS 0.3 ~ VDD 0.3≦VSS 6.0
V
動作周囲温度
Topr
°C

40 ~ 105
保存温度
Tstg
°C

55 ~ 125
注意絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化
などの物理的な損傷を与える可能性があります。
 熱抵抗値
表7
項目
ジャンクション温度  周囲温度間
熱抵抗値*1
*1.
備考
6
記号
ja
条件
SOT-23-6
基板1
基板2
Min.


Typ.
159
124
測定環境 : JEDEC STANDARD JESD51-2A準拠
許容損失、測定基板の詳細については、" パッケージ熱特性" を参照してください。
Max.


単位
°C/W
°C/W
車載用
105°C動作
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 電気的特性
測定回路図、測定方法の詳細は " 測定回路" を参照してください。
注意
表8、表9で特に記述していない場合、V2 = V3 = 0 V、SWn (n = 1 ~ 4) = OFFに設定してください。
1. Ta = 25°C
表8 (1 / 2)
(特記なき場合 : Ta = 25°C)
項目
記号
条件
Min.
Typ.
Max.
単位
検出電圧
2.0 V≦VBU＜2.4 V
セルバランス検出電圧
VBU
SW1 = ON
2.4 V≦VBU≦4.6 V
2.0 V≦VBL＜2.4 V
セルバランス解除電圧
VBL
SW1 = ON
2.4 V≦VBL≦4.6 V
2.0 V≦VCU＜2.4 V
過充電検出電圧
VCU
2.4 V≦VCU≦4.6 V
2.0 V≦VCL＜2.4 V
過充電解除電圧
VCL
2.4 V≦VCL≦4.6 V
入力電圧
VDD端子  VSS端子間
動作電圧
_____
CE 端子電圧 "H"
VDS
CO端子、CB端子出力電圧固定
VBU 
0.012
VBU 
0.995
VBL 
0.024
VBL 
0.99
VCU 
0.012
VCU 
0.995
VCL 
0.024
VCL 
0.99
VBU
VBU
VBL
VBL
VCU
VCU
VCL
VCL
VBU 
0.012
VBU 
1.005
VBL 
0.024
VBL 
1.01
VCU 
0.012
VCU 
1.005
VCL 
0.024
VCL 
1.01
V
V
V
V
V
V
V
V
1.5

5.0
V
_____



VDD 
0.9
V
_____
VC EH
CE 端子電圧 "L"
VC EL

VDD 
0.1


V
DP端子電圧 "H"
VDPH



VDD 
0.9
V
DP端子電圧 "L"
VDPL

VDD 
0.1


V
入力電流
動作時消費電流
パワーダウン時消費電流
IOPE
IPDN


1.2

2.0
0.1
A
A
_____
V1 = VBL  0.1 V時のIVDD
V1 = V2 = VBL 0.1 V時のIVDD
7
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
セルバランス機能付き電圧監視用IC
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表8 (2 / 2)
項目
遅延時間
セルバランス検出遅延時間
セルバランス解除遅延時間
過充電検出遅延時間
過充電解除遅延時間
出力電流
CB端子出力電流
記号
tBU
tBL
tCU
tCL
(特記なき場合 : Ta = 25°C)
Typ.
Max.
単位
条件
Min.




tBU  0.8
tBL  0.8
tCU  0.8
tCL  0.8
V1 = VBU  0.1 V, SW2 = ON,
30
V4 = 0.5 V
V1 = VBL  0.1 V, SW2 = ON,
CB端子リーク電流
ICBL

V4 = 6.0 V
CO端子出力電流 (出力形態 : CMOS出力、出力論理 : アクティブ "H")
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子ソース電流
1.0
ICOH
V5 = V1  0.5 V
CO端子出力電流 (出力形態 : CMOS出力、出力論理 : アクティブ "L")
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
1.0
CO端子ソース電流
ICOH
V5 = V1  0.5 V
CO端子出力電流(出力形態 : Nchオープンドレイン出力、出力論理 : アクティブ "H")
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子リーク電流
ICOHL

V5 = 6.0 V
CO端子出力電流(出力形態 : Nchオープンドレイン出力、出力論理 : アクティブ "L")
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子リーク電流
ICOHL

V5 = 6.0 V
CB端子シンク電流
8
ICBS
tBU
tBL
tCU
tCL
tBU  1.2
tBL  1.2
tCU  1.2
tCL  1.2
ms
ms
ms
ms


mA

0.1
A


mA


mA


mA


mA


mA

0.1
A


mA

0.1
A
車載用
105°C動作
Rev.1.0_01
セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
2. Ta = 40°C ~ 105°C
表9 (1 / 2)
(特記なき場合 : Ta = 40°C ~ 105°C)
項目
記号
条件
Min.
Typ.
Max.
単位
検出電圧
2.0 V≦VBU＜2.4 V
セルバランス検出電圧
VBU
SW1 = ON
2.4 V≦VBU≦4.6 V
2.0 V≦VBL＜2.4 V
セルバランス解除電圧
VBL
SW1 = ON
2.4 V≦VBL≦4.6 V
2.0 V≦VCU＜2.4 V
過充電検出電圧
VCU
2.4 V≦VCU≦4.6 V
2.0 V≦VCL＜2.4 V
過充電解除電圧
VCL
2.4 V≦VCL≦4.6 V
入力電圧
VDD端子  VSS端子間
動作電圧
_____
CE 端子電圧 "H"
VDS
CO端子、CB端子出力電圧固定
VBU 
0.040
VBU 
0.984
VBL 
0.080
VBL 
0.968
VCU 
0.040
VCU 
0.984
VCL 
0.080
VCL 
0.968
VBU
VBU
VBL
VBL
VCU
VCU
VCL
VCL
VBU 
0.040
VBU 
1.016
VBL 
0.080
VBL 
1.032
VCU 
0.040
VCU 
1.016
VCL 
0.080
VCL 
1.032
V
V
V
V
V
V
V
V
1.5

5.0
V
_____



VDD 
0.9
V
_____
VC EH
CE 端子電圧 "L"
VC EL

VDD 
0.1


V
DP端子電圧 "H"
VDPH



VDD 
0.9
V
DP端子電圧 "L"
VDPL

VDD 
0.1


V
入力電流
動作時消費電流
パワーダウン時消費電流
IOPE
IPDN


1.2

2.1
0.15
A
A
_____
V1 = VBL  0.1 V時のIVDD
V1 = V2 = VBL 0.1 V時のIVDD
9
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
セルバランス機能付き電圧監視用IC
Rev.1.0_01
表9 (2 / 2)
項目
遅延時間
セルバランス検出遅延時間
セルバランス解除遅延時間
過充電検出遅延時間
過充電解除遅延時間
出力電流
CB端子出力電流
記号
tBU
tBL
tCU
tCL
条件




(特記なき場合 : Ta = 40°C ~ 105°C)
Min.
Typ.
Max.
単位
tBU  0.5
tBL  0.5
tCU  0.5
tCL  0.5
V1 = VBU  0.1 V, SW2 = ON,
30
V4 = 0.5 V
V1 = VBL  0.1 V, SW2 = ON,
CB端子リーク電流
ICBL

V4 = 6.0 V
CO端子出力電流 (出力形態 : CMOS出力、出力論理 : アクティブ "H")
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子ソース電流
1.0
ICOH
V5 = V1  0.5 V
CO端子出力電流 (出力形態 : CMOS出力、出力論理 : アクティブ "L")
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
1.0
CO端子ソース電流
ICOH
V5 = V1  0.5 V
CO端子出力電流(出力形態 : Nchオープンドレイン出力、出力論理 : アクティブ "H")
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子リーク電流
ICOHL

V5 = 6.0 V
CO端子出力電流(出力形態 : Nchオープンドレイン出力、出力論理 : アクティブ "L")
V1 = VCU  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子シンク電流
ICOL
5.0
V5 = 0.5 V
V1 = VCL  0.1 V, SW4 = ON,
CO端子リーク電流
ICOHL

V5 = 6.0 V
CB端子シンク電流
10
ICBS
tBU
tBL
tCU
tCL
tBU  1.5
tBL  1.5
tCU  1.5
tCL  1.5
ms
ms
ms
ms


mA

0.15
A


mA


mA


mA


mA


mA

0.15
A


mA

0.15
A
車載用
105°C動作
Rev.1.0_01
セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
 測定回路
RCB = 100 k
IVDD
A
VDD
SW3
SW2
SW4
CB
DP
_____
VSS
SW1
CO
S-19190
シリーズ
V1
RCO = 100 k
CE
V2
V3
V4
V5
ICB A
ICO A
図3
注意
表8で特に記述していない場合、V2 = V3 = 0 V、SWn (n = 1 ~ 4) = OFFに設定してください。
_____
1.
CE端子電圧 "H"
_____
V1 = VBL  0.1 Vとし、V2を0 Vから上げ、IVDDがIOPEからIPDNとなる電圧をCE 端子電圧 "H" (V C E H) とします。
_____
_____
2.
CE端子電圧 "L"
_____
V1 = V2 = VBL  0.1 Vとし、V2をVBL  0.1 Vから下げ、IVDDがIPDNからIOPEとなる電圧をCE 端子電圧 "L" (V C E L) とします。
_____
3. DP端子電圧 "H"*1
V1 = VBL  0.1 Vとし、V3を0 Vから上げ、テストモードに切り換わる電圧をDP端子電圧 "H" (VDPH) とします。
4. DP端子電圧 "L"*1
V1 = V3 = VBL  0.1 Vとし、V3をVBL  0.1 Vから下げ、通常動作モードに切り換わる電圧をDP端子電圧 "L" (VDPL) とし
ます。
5. セルバランス検出遅延時間
SW1をON, V1 = VBU  0.1 Vに設定した状態から、V1 = VBU  0.1 Vとし、CB端子出力が反転するまでの時間をセルバラ
ンス検出遅延時間 (tBU) とします。
6. セルバランス解除遅延時間
SW1をON, V1 = VBL  0.1 Vに設定した状態から、V1 = VBL  0.1 Vとし、CB端子出力が反転するまでの時間をセルバラ
ンス解除遅延時間 (tBL) とします。
7. 過充電検出遅延時間
SW1をON, V1 = VCU  0.1 Vに設定した状態から、V1 = VCU  0.1 Vとし、CO端子出力が反転するまでの時間を過充電検
出遅延時間 (tCU) とします。
8. 過充電解除遅延時間
SW1をON, V1 = VCL  0.1 Vに設定した状態から、V1 = VCL  0.1 Vとし、CO端子出力が反転するまでの時間を過充電解
除遅延時間 (tCL) とします。
*1.
DP端子によるテストモード切り換えについては、" 動作説明"、"5. DP端子" を参照してください。
11
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
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Rev.1.0_01
 標準回路
VDD
RVDD
CO
CVDD
S-19190
シリーズ
CB
RCB
DP
_____
VSS
CE
図4
記号
部品
目的
ESD 対策、
電源変動対策
RVDD
抵抗
CVDD
容量
電源変動対策
RCB
抵抗
セルバランス電
流値設定
*1.
表10 外付け部品定数
Min.
Typ.
Max.
150 
330 
1.0 k
0.068 F
0.1 F
1.0 F



備考
消費電流による過充電検出精度の悪化を防ぐた
め、なるべく小さくしてください。*1
VDD端子VSS端子間に0.068 F以上の容量を
付けてください。*1
所望のセルバランス電流値は、" 動作説明"、"2.
セルバランス状態" を参照して設定してくださ
い。*2
RVDDに150 未満の抵抗、またはCVDDに0.068 F未満の容量を付けた場合、大きな電源変動時に誤動作を起こす場合が
あります。
*2.
セルバランス電流値を設定する場合は、許容損失を越えないようなRCBの値を設定してください。
注意 1. 上記定数は予告なく変更することがあります。
2. 上記接続例および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、
定数を設定してください。
12
車載用
セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
105°C動作
Rev.1.0_01
 動作説明
備考
" 標準回路" を参照してください。
1. 通常状態
S-19190シリーズは、VDD端子 VSS端子間電圧 (VDS) がセルバランス検出電圧 (VBU) 未満である場合、CB端子出
力はハイインピーダンスとなり、CO端子出力は出力形態と出力論理の選択により表11のようになります。この状態を
通常状態といいます。
表11
CO端子の出力形態と出力論理
CB端子出力
CO端子出力
CMOS出力、アクティブ "H"
"H"
"L"
CMOS出力、アクティブ "L"
"H"
"H"
Nchオープンドレイン出力、アクティブ "H"
"H"
"L"
Nchオープンドレイン出力、アクティブ "L"
"H"
"H"
2. セルバランス状態
S-19190シリーズは、VDSがVBU以上となり、その状態をセルバランス検出遅延時間 (tBU) 以上保持した場合、CB端子
出力が "L" となります。この状態をセルバランス状態といいます。
VDSがセルバランス解除電圧 (VBL) 以下となり、その状態をセルバランス解除遅延時間 (tBL) 以上保持した場合、セル
バランス状態を解除します。
S-19190シリーズは、CB端子 VSS端子間にオン抵抗5 typ. (RCBON) のNchトランジスタを内蔵しています。これに
より、セルバランス状態時にセルバランス電流 (ICB) を流し、セルバランス動作させることができます。
セルバランス状態時のICBは、CB端子に抵抗 (RCB) を接続することにより以下の式から設定することが可能です。
ICB = VBU / (RCBONRCB)
S-19190 シリーズ
VDD
CB
RCB
ICB
制御回路
RCBON
= 5 typ.
VSS
図5
13
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
セルバランス機能付き電圧監視用IC
Rev.1.0_01
3. 過充電状態
S-19190シリーズは、VDSが過充電検出電圧 (VCU) 以上となり、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した
場合、CO端子出力が反転します。CO端子出力は出力形態と出力論理の選択により表12のようになります。この状
態を過充電状態といいます。過充電状態時、CB端子出力は "L" となります。
表12
CO端子の出力形態と出力論理
CB端子出力
CO端子出力
CMOS出力、アクティブ "H"
"L"
"H"
CMOS出力、アクティブ "L"
"L"
"L"
Nchオープンドレイン出力、アクティブ "H"
"L"
"H"
Nchオープンドレイン出力、アクティブ "L"
"L"
"L"
VDSが過充電解除電圧 (VCL) 以下となり、その状態を過充電解除遅延時間 (tCL) 以上保持した場合、過充電状態を解
除します。
_____
4. CE端子
_____
_____
____
S-19190シリーズは、CE 端子 (パワーダウンモード切り換え端子) を備えています。CE 端子に入力する電圧をVCEH
以上にすることにより、S-19190シリーズはパワーダウンモードとなります。
表13
_____
CE 端子
オープン (V C E = VSS)
_____
通常動作モード
_____
パワーダウンモード
"H" (V C E ≧V C E H)
_____
状態
_____
_____
"L" (V C E ≦V C E L)
通常動作モード
パワーダウンモードでは、消費電流をパワーダウン時消費電流 (IPDN) まで減らします。また、パワーダウンモード時
のCB端子出力、CO端子出力は通常状態時と同じになります。
_____
_____
CE 端子は内部抵抗により、VSSにプルダウンされます。パワーダウンモード時以外はCE 端子をオープンまたはVSS
にショートしてください。
14
車載用
105°C動作
Rev.1.0_01
セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
5. DP端子
S-19190シリーズは、DP端子 (テストモード切り換え端子) を備えています。DP端子に入力する電圧をVDPH以上に
することにより、S-19190シリーズはテストモード (遅延時間短縮) になります。
表14
DP端子
オープン (VDP = VSS)
"H" (VDP≧VDPH)
"L" (VDP≦VDPL)
状態
通常動作モード
テストモード
通常動作モード
テストモードでは、セルバランス検出遅延時間 (tBU)、過充電検出遅延時間 (tCU) が通常動作モードの遅延時間の1/64
に短縮されます。
DP端子は内部抵抗により、VSSにプルダウンされます。テストモード時以外はDP端子をオープンまたはVSSにショー
トしてください。
15
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
セルバランス機能付き電圧監視用IC
Rev.1.0_01
 タイミングチャート
VCU
VCL (VCUVHC)
電池電圧
VBU
VBL (VBUVHB)
VCB
*1
CB端子電圧
VSS
VDD
CO端子電圧
(アクティブ "H")
VSS
VDD
CO端子電圧
(アクティブ "L")
VSS
充電器接続
セルバランス検出遅延時間 (tBU)
tBU
過充電検出遅延時間 (tCU)
セルバランス解除遅延時間 (tBL)
(1)
状態
(2)
(1)
*2
*1. CB端子は外付け抵抗によりプルアップされます。
*2. (1) : 通常状態
(2) : セルバランス状態
(3) : 過充電状態
備考
定電流での充電を想定しています。
図6
16
過充電解除遅延時間 (tCL)
(2)
(3)
(2)
tBL
(1)
車載用
Rev.1.0_01
105°C動作
セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
 注意事項
・ IC内での損失が許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう
にしてください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当IC
を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
17
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
セルバランス機能付き電圧監視用IC
Rev.1.0_01
 諸特性データ (Typical データ)
1. 消費電流
1. 1 IOPE  Ta
1. 2
IPDN  Ta
VDD = VBL 0.1 V
2.50
0.10
2.00
0.08
IPDN [A]
IOPE [A]
VDD = VBL 0.1 V
1.50
1.00
0.50
0.06
0.04
0.02
0.00
40 25
0
25
50
Ta [C]
75
0.00
40 25
105
0
25
50
Ta [C]
75
105
0
25
50
Ta [C]
75
105
0
25
50
Ta [C]
75
105
1. 3 IOPE  VDD
IOPE [A]
4.00
3.00
2.00
1.00
0.00
0.0
1.0
2.0
3.0
VDD [V]
4.0
5.0
2. セルバランス検出 / 解除電圧、過充電検出 / 解除電圧、および各遅延時間
2. 2
2.64
2.61
2.62
2.60
2.59
2.58
40 25
0
25
50
Ta [C]
75
2.56
40 25
105
2. 4
VCL  Ta
2.77
2.79
2.76
2.77
VCL [V]
VCU [V]
2.60
2.58
2. 3 VCU  Ta
2.75
2.74
2.73
40 25
18
VBL  Ta
2.62
VBL [V]
VBU [V]
2. 1 VBU  Ta
2.75
2.73
0
25
50
Ta [C]
75
105
2.71
40 25
車載用
105°C動作
Rev.1.0_01
2. 5 tBU  Ta
2. 6
1.1
140
120
1.0
0.9
100
40 25
0
25
50
Ta [C]
75
0.8
40 25
105
2. 7 tCU  Ta
2. 8
160
0
25
50
Ta [C]
75
105
0
25
50
Ta [C]
75
105
tCL  Ta
1.2
1.1
140
tCL [ms]
tCU [ms]
tBL  Ta
1.2
tBL [ms]
tBU [ms]
160
セルバランス機能付き電圧監視用IC
S-19190シリーズ
120
1.0
0.9
100
40 25
0
25
50
Ta [C]
75
0.8
40 25
105
3. 出力電流
3. 1 ICBH  VCB
3. 2 ICBL  VCB
Ta = 25C, VDD = VBL  0.1 V
Ta = 25C, VDD = VBU  0.1 V
0.10
400
ICBL [mA]
ICBH [A]
0.08
0.06
0.04
300
200
100
0.02
0.00
0
0.0
1.0
2.0
3.0
VCB [V]
4.0
5.0
3. 3 ICOH  VCO
0.0
1.0
4.0
5.0
3. 4 ICOL  VCO
Ta = 25C, VDD = VCU  0.1 V
Ta = 25C, VDD = VCL  0.1 V
8.0
40.0
6.0
30.0
ICOL [mA]
ICOH [mA]
2.0
3.0
VCB [V]
4.0
2.0
20.0
10.0
0.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VCO [V]
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VCO [V]
2.5
3.0
19
車載用 105°C動作
S-19190シリーズ
セルバランス機能付き電圧監視用IC
Rev.1.0_01
 パッケージ熱特性
1. SOT-23-6
Tj = 125C max.
1.0
基板2
0.81 W
許容損失 (PD) [W]
0.8
0.6
基板1
0.63 W
0.4
0.2
0
0
50
100
周囲温度 (Ta) [C]
150
図7 パッケージ許容損失 (基板実装時)
1. 1 基板 1*1
表15
114.3 mm
76.2 mm
項目
熱抵抗値 (ja)
サイズ
材料
銅箔層数
銅箔層
1
2
3
4
サーマルビア
仕様
159C/W
114.3 mm  76.2 mm  t1.6 mm
FR-4
2
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm


74.2 mm  74.2 mm  t0.070 mm

図8
1. 2 基板 2*1
表16
114.3 mm
76.2 mm
項目
熱抵抗値 (ja)
サイズ
材料
銅箔層数
銅箔層
サーマルビア
図9
*1.
20
基板はSOT-23-3、SOT-23-5、SOT-23-6で同一です。
仕様
1
2
3
4
124C/W
114.3 mm  76.2 mm  t1.6 mm
FR-4
4
ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm
74.2 mm  74.2 mm  t0.035 mm
74.2 mm  74.2 mm  t0.035 mm
74.2 mm  74.2 mm  t0.070 mm

2.9±0.2
1.9±0.2
6
0.95
5
1
4
2
3
+0.1
0.15 -0.05
0.95
0.35±0.15
No. MP006-A-P-SD-2.0
TITLE
SOT236-A-PKG Dimensions
No.
MP006-A-P-SD-2.0
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
+0.1
ø1.5 -0
2.0±0.05
+0.2
ø1.0 -0
0.25±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
3.2±0.2
3 2 1
4 5 6
Feed direction
No. MP006-A-C-SD-3.1
TITLE
SOT236-A-Carrier Tape
MP006-A-C-SD-3.1
No.
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. MP006-A-R-SD-2.1
SOT236-A-Reel
TITLE
MP006-A-R-SD-2.1
No.
SCALE
UNIT
QTY
3,000
mm
SII Semiconductor Corporation
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