パワートランジスタ 2SD1608 シリコン NPN 三重拡散プレーナ形ダーリントン 16.7±0.3 コレクタ・エミッタ電圧 エミッタ・ベース電圧 せん頭コレクタ電流 コレクタ電流 定格 VCBO 120 VCEO 120 VEBO 7 V ICP 12 A 8 A PC φ3.1±0.1 1.4±0.1 0.8±0.1 1.3±0.2 0.5 +0.2 –0.1 Tstg 2.54±0.25 V 5.08±0.5 V 1 2 3 1:Base 2:Collector 3:Emitter TO–220 Full Pack Package(a) 内部接続図 W 2 Tj ■ 電気的特性 単位 50 守 Ta=25°C 接合部温度 保存温度 記号 IC TC=25°C 2.7±0.2 4.2±0.2 0.7±0.1 コレクタ・ベース電圧 5.5±0.2 4.0 (TC=25˚C) 項目 コレクタ損失 14.0±0.5 ■ 絶対最大定格 止 ● 廃 ● 直流電流増幅率 hFE が高い。 スイッチング速度が速い。 放熱板への取付けがビス 1 本で可能な " フルパック " パッ ケージ。 4.2±0.2 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 ● 10.0±0.2 Solder Dip ■ 特 長 7.5±0.2 Unit: mm 中速度電力スイッチング用 2SB1108 とコンプリメンタリ 150 ˚C –55 ~ +150 ˚C C B E (TC=25˚C) 保 項目 条件 記号 コレクタしゃ断電流 コレクタ・エミッタ電圧 保 守 直流電流増幅率 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 最大 単位 VCB = 120V, IE = 0 100 µA ICEO VCE = 100V, IB = 0 10 µA * IC = 2A, L = 10mH 120 V VEBO IE = 50mA, IC = 0 7 V hFE VCE = 3V, IC = 4A 1000 VCE(sat)1 IC = 4A, IB = 8mA 1.5 V VCE(sat)2 IC = 8A, IB = 80mA 3 V VBE(sat)1 IC = 4A, IB = 8mA 2 V VBE(sat)2 IC = 8A, IB = 80mA トランジション周波数 fT VCE = 10V, IC = 1A, f = 1MHz ターンオン時間 ton 蓄積時間 tstg 下降時間 tf *V CEO(sus) 試験回路 標準 ICBO VCEO(sus) エミッタ・ベース電圧 最小 IC = 4A, IB1 = 8mA, IB2 = –8mA, VCC = 50V 50/60Hz水銀リレー 20000 3.5 V 20 MHz 0.7 µs 6 µs 2 µs X L 10mH Y 120Ω 6V 1Ω 15V G 1 パワートランジスタ 2SD1608 IC — VCE (1)TC=Ta (2)With a 100×100×2mm Al heat sink (3)With a 50×50×2mm Al heat sink (4)Without heat sink (PC=2.0W) 80 IB=35mA TC=25˚C 20mA 60 (1) 40 20 10mA 5mA 6 3mA 2mA 4 2 (3) 1mA (4) 0 0 0 25 50 75 100 125 150 0 VBE(sat) — IC 100 2 3 4 5 VCE=3V 廃 守 Ta=–25˚C 1 100˚C 0.3 0.1 0.1 0.3 1 3 10000 3000 1000 TC=100˚C 300 100 30 25˚C –25˚C 10 0.01 0.03 10 コレクタ電流 IC (A) 保 スイッチング時間 ton,tstg,tf (µs) 3 0.3 1 3 IC t=1ms 3 t=10ms 1 25˚C TC=100˚C 1 –25˚C 0.3 0.1 0.1 0.3 1 3 DC 0.3 0.1 ton, tstg, tf — IC 100 Pulsed tw=1ms Duty cycle=1% IC/IB=500(IB1=–IB2) VCC=50V TC=25˚C 30 tstg 10 3 tf 1 ton 0.3 0.1 0.03 0 1 2 3 4 5 6 コレクタ電流 IC (A) (1)Without heat sink (2)With a 100×100×2mm Al heat sink (1) (2) 10 1 10–1 0.03 0.01 1 3 10 30 100 300 コレクタ・エミッタ電圧 VCE 2 1000 (V) 10–2 10–3 10 コレクタ電流 IC (A) Rth(t) — t 102 熱抵抗 Rth(t) (˚C/W) 保 守 コレクタ電流 IC (A) ICP 10 10 コレクタ電流 IC (A) Non repetitive pulse TC=25˚C 30 3 0.01 0.1 安全動作領域 順バイアス ASO 100 10 hFE — IC 100000 直流電流増幅率 hFE 25˚C 30 6 30000 10 IC/IB=100 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) IC/IB=100 30 100 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 周囲温度 Ta (˚C) 1 止 (2) ベース・エミッタ飽和電圧 VBE(sat) (V) VCE(sat) — IC 8 コレクタ電流 IC (A) 許容コレクタ損失 PC (W) 10 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) PC — Ta 100 10–2 10–1 1 10 時間 t (s) 102 103 104 7 8 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出 管理に関する法令を遵守してください。 (2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権 もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三 者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。 (3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること を意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途 − 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊 社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。 (4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認 ください。 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 止 (5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願 いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器 の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊 社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、 誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。 廃 (6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による 故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。 また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた 条件を守ってご使用ください。 守 保 保 090506 守 (7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。
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