PC928J00000F *1 - シャープ

PC928J00000Fシリーズ
短絡保護回路内蔵、ゲートドライブ型
SMD 14 pin ∗OPICフォトカプラ
PC928J00000F
シリーズ
■ 概要
■ 安全規格情報
PC928J00000FシリーズはOPICチップと光結合
する赤外発光ダイオードを内蔵した短絡保護回路
内蔵、ゲートドライブ型フォトカプラです。
ミニフラット、ハーフピッチパッケージ
（１４ピン）
。
入出力間絶縁耐圧（rms）：4.0kV
１．UL1577認定品、file No. E64380（認定形名
PC928）
２．VDE認定品、DIN EN60747-5-2（＊）（オプショ
ンにて対応）、 f i l e N o . 9 4 6 2 6 （認定形名
PC928）
３．パッケージ樹脂：UL難燃グレード（94V-0）
（＊）
DIN EN60747-5-2はDIN VDE0884の後継規格です。
■ 特長
１．14ピンハーフピッチタイプ
（リードピッチ：1.27mm）
２．２重トランスファモールドパッケージ
（フローはんだ対応）
３．IGBT短絡保護回路内蔵
４．IGBT直結可能なドライブ回路内蔵
（ピーク出力電流：IO1P, IO2P：MAX. 0.4A）
５．入出力間絶縁耐圧が高い（Viso（rms）：4.0kV）
６．RoHS指令対応
■ 用途例
１．インバータ駆動用IGBT制御
∗ OPICはシャープの登録商標で、Optical ICを表象しています。OPICは受光素子とその信号処理回路を１チップに集積し
たものです。
（おことわり）
本資料の内容は、予告なく変更することがありますので、本資料に掲載されている製品をご使用の際には、必ず最新の仕様書をご用命のうえ、その内容をご
確認頂きますようお願いします。
掲載製品につき、仕様書に記載されている絶対最大定格や使用上の注意事項等を逸脱して使用され、万一掲載製品の使用機器に瑕疵が生じ、それに伴う損害
が発生しましても、弊社はその責を負いませんのでご了承ください。
なお、本資料に関してご不明な点がございましたら、事前に弊社販売窓口までご連絡頂きますようお願い致します。
1
Sheet No.: D2-A06202FJP
Date Jun. 30. 2005
© SHARP Corporation
PC928J00000Fシリーズ
■ 内部結線図
14
13 12
11
10
9
8
1
2
IGBT protection
circuit
3
4
Interface
5
Amp.
6
7
1
2
3
4
5
6
Anode
Anode
Cathode
NC∗
NC∗
NC∗
NC∗
8
9
10
11
12
13
14
FS
C
GND
O2
O1
VCC
GND
∗ No.
4
to
7
pin shall be shorted in the device.
7
Voltage regulator
■ 真理値表
入力
C 入出力
ローレベル
ハイレベル
ローレベル
ハイレベル
ON
OFF
O2 出力
ハイレベル
ローレベル
ローレベル
ローレベル
FS 出力
ハイレベル
ローレベル
ハイレベル
ハイレベル
保護動作時
■ 外形寸法図
（単位：mm）
１．面実装リードフォーミング［ex. PC928PJ0000F］
２．面実装リードフォーミング（VDE option）
［ex. PC928PYJ000F］
1.27±0.25
14
8
6.5±0.5
PC92 8
SHARP
mark "S"
8
PC928
6.5±0.5
1.27±0.25
14
4
Date code
Date code
1
1
7
7
Primary side mark
Primary side mark
VDE Identification mark
0.35±0.25
7.62±0.3
0.26±0.1
0.35±0.25
0.26±0.1
3.5±0.5
7.62
9.22±0.5
±0.3
3.5±0.5
9.22±0.5
Epoxy resin
Epoxy resin
0.6±0.1
0.6±0.1
1.0+0.4
−0
1.0+0.4
−0
1.0+0.4
−0
1.0+0.4
−0
10.0+0
−0.5
10.0+0
−0.5
製品質量：約 0.47g
製品質量：約 0.47g
端子表面処理：SnCu
（Cu：TYP. 2%）
Sheet No.: D2-A06202FJP
2
PC928J00000Fシリーズ
デートコード
（２桁）
表
西暦
1990
1991
1992
1993
1994
1995
1996
1997
1998
1999
2000
2001
１桁目
年表示
西暦
記号
2002
A
2003
B
2004
C
2005
D
2006
E
2007
F
2008
H
2009
J
2010
K
2011
L
2012
M
··
N
·
２桁目
月表示
記号
P
R
S
T
U
V
W
X
A
B
C
··
·
生産月
１
２
３
４
５
６
７
８
９
10
11
12
記号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
O
N
D
年表示は20年周期でくり返します
原産国
日本
ランクマーク
本製品にはランクマークはありません。
Sheet No.: D2-A06202FJP
3
PC928J00000Fシリーズ
■ 絶対最大定格
項目
*1
入順電流
力 *2 逆電圧
電源電圧
O1 出力電流
*3
O1 ピーク出力電流
O2 出力電流
*3
O2 ピーク出力電流
出 O 出力電圧
1
力
*4
許容損失
過電流検出電圧
過電流検出電流
エラー信号出力電圧
エラー信号出力電流
*5
全許容損失
*6
絶縁耐圧
動作温度
保存温度
*7
はんだ付け温度
*1
*2
*3
*4.5
*6
*7
（指定無き場合
定格値
25
6
35
0.1
0.4
0.1
0.4
35
500
VCC
30
VCC
20
550
4.0
−25∼+80
−55∼+125
260
記号
IF
VR
VCC
IO1
IO1P
IO2
IO2P
VO1
PO
VC
IC
VFS
IFS
Ptot
Viso (rms)
Topr
Tstg
Tsol
絶対最大定格の周囲温度による低減はFig.15に示す。
Ta =25˚C
パルス幅≦0.15µs、デューティ比 0.01
絶対最大定格の周囲温度による低減はFig.16に示す。
AC for 1minute、40∼60 %RH、 Ta =25˚C、 f =60Hz
For 10s
■ 電気的光学的特性
項目
順電圧
入
力
出
力
Ta=Topr）
単位
mA
V
V
A
A
A
A
V
mW
V
mA
V
mA
mW
kV
˚C
˚C
˚C
逆電流
端子間容量
記号
VF1
VF2
IR
Ct
動作電源電圧
VCC
O1 ローレベル出力電圧
O2 ハイレベル出力電圧
O2 ローレベル出力電圧
O1 リーク電流
VO1L
VO2H
VO2L
IO1L
ハイレベル供給電流
ICCH
ローレベル供給電流
ICCL
（指定無き場合 Ta=Topr）
条件 *8
最小値標準値最大値単位
1.4
Ta=25˚C, IF=20mA
1.2
−
V
0.6
−
0.9
V
Ta=25˚C, IF=0.2mA
10
µA
−
−
Ta=25˚C, VR=4V
250
pF
Ta=25˚C, V=0, f=1kHz
−
30
30
V
15
−
Ta=−10∼+60˚C
24
V
15
−
−
−
0.4
0.2
V
VCC1=12V, VCC2=−12V, IO1=0.1A, IF=10mA *9
20
22
−
V
VCC=VO1=24V, IO2=−0.1A, IF=10mA *9
2.0
*9
V
−
VCC=24V, IO2=0.1A, IF=0
1.2
500
µA
−
Ta=25˚C, VCC=VO1=35V, IF=0 *9
−
17
mA
−
10
Ta=25˚C, VCC=24V, IF=10mA *9
19
mA
−
*9
−
VCC=VO1=24V, IF=10mA
18
mA
−
11
Ta=25˚C, VCC=VO1=24V, IF=0 *9
20
mA
−
−
*9
VCC=VO1=24V, IF=0
*8 出力側特性、伝達特性測定時には、デバイス近傍のVCC（13番）
−GND（10番、14番）間に 0.01µF以上の容量をもつバイパスコンデンサを付加するものとする。
*9 FS=OPEN, VC=0
Sheet No.: D2-A06202FJP
4
PC928J00000Fシリーズ
項目
*11
"Low→High" スレッショルド入力電流
絶縁抵抗
"Low→High" 伝搬遅延時間
応
答 "High→Low" 伝搬遅延時間
伝時上昇
達間下降
特
性
瞬時同相除去電圧
（出力ハイレベル）
瞬時同相除去電圧
（出力ローレベル）
過
電
流
検
出
保
護
出
力
*12
IFLH
RISO
tPLH
tPHL
tr
tf
（指定無き場合 Ta=Topr）
最小値標準値最大値単位
mA
4.0
1.0
7.0
mA
0.6
−
10
Ω
−
1011
5×1010
µs
1.0
−
2.0
µs
1.0
−
2.0
µs
0.5
−
0.2
µs
0.5
−
0.2
Ta=25˚C, VCM=600V(p-p)
IF=10mA, VCC=VO1=24V,
∆VO2H=2.0V, FS=OPEN, VC=0
−1.5
−
−
kV/µs
CML
Ta=25˚C, VCM=600V(p-p)
IF=0, VCC=VO1=24V,
∆VO2L=2.0V, FS=OPEN, VC=0
1.5
−
−
kV/µs
VCTH
過電流検出電圧
ヒステリシス幅
VCHIS
過電流保護時
O2 "High→Low"伝搬遅延時間
tPCOHL
過電流保護時
O2 立下がり時間
tPCOtf
過電流保護時
O2 "High→Low"出力電圧
VOE
ハイレベルエラー信号電流
*10
条件
Ta=25˚C, VCC=VO1=24V, FS=OPEN, VC=0
VCC=VO1=24V, FS=OPEN, VC=0
Ta=25˚C, DC=500V, 40 to 60%RH
Ta=25˚C,
VCC=VO1=24V, IF=10mA,
RG=47Ω, CG=3 000pF
FS=OPEN, VC=0
CMH
過電流検出電圧
ローレベルエラー信号電圧
エ
ラ
ー
信
号
出
力
記号
Ta=25˚C
VCC=VO1=24V
IF=10mA, RG=47Ω
CG=3 000pF, FS=OPEN
VCC−6.5 VCC−6 VCC−5.5
V
1
2
3
V
−
4
10
µs
2
5
−
µs
−
−
2
V
VFSL
Ta=25˚C, IF=10mA
VCC=VO1=24V
IFS=10mA, RG=47Ω
CG=3 000pF, C=OPEN
−
0.2
0.4
V
IFSH
Ta=25˚C
VCC=VO1=24V, IF=10mA
VFS=24V, RG=47Ω
CG=3 000pF, VC=0
−
−
100
µA
−
1
5
µs
20
35
−
µs
エラー信号 "High→Low"
伝搬遅延時間
tPCFHL
エラー信号出力パルス幅
∆tFS
Ta=25˚C
VCC=VO1=24V
IF=10mA,
RG=47Ω, CG=3 000pF,
RC=1kΩ, CP=1 000pF
FS=OPEN
Ta=25˚C, VCC=VO1=24V
IF=10mA, RFS=1.8kΩ
RG=47Ω, RC=1kΩ
CG=3 000pF, CP=1 000pF
*10 過電流特性、保護時出力、エラー信号出力特性測定時には、デバイス近傍のVCC（13番）
−GND（10番、14番）間に0.01µF以上の容量をもつバイパスコンデンサ
を付加するものとする。
*11 IFLHは、O2出力が "Low" から "High" になるときの順電流
*12 VCTHは、O2出力が "High" から "Low" になるときのC端子電圧
Sheet No.: D2-A06202FJP
5
PC928J00000Fシリーズ
■ モデルラインアップ
面実装リードフォーミング
テーピング
スリーブ
包装形態
50個/スリーブ
1 000個/リール
DIN EN60747-5-2
−−−−−−
認定品
−−−−−−
認定品
Model No.
PC928J00000F PC928YJ0000F PC928PJ0000F PC928PYJ000F
リード形状
各機種の生産状況に関してはシャープ電子部品取り扱い代理店にてご確認ください。
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6
PC928J00000Fシリーズ
Fig.1 O1ローレベル出力電圧の測定回路
Fig.2 O2ハイレベル出力電圧の測定回路
13
1 2
13
VCC1
12
11
V V
O1L
1 2
IF
14 10
3
14 10
3
9
V02H
V
9
8
8
Fig.3 O2ローレベル出力電圧の測定回路
Fig.4 O1リーク電流の測定回路
13
1 2
IO2
11
VCC2
IF
12
VCC
IO1
13
1 2
12
A IO1L
12
VCC
VCC
11
11
V VO2L
IF
14 10
3
IF
IO2
14 10
3
9
8
8
Fig.5 “Low→High”スレッショルド入力電流
の測定回路
Fig.6 ハイレベル／ローレベル供給電流の
測定回路
13
1 2
9
13
1 2
12
12
VCC
VCC
11
11
V VO2
IF
variable
IF
14 10
3
A
ICC
14 10
3
9
8
9
8
Sheet No.: D2-A06202FJP
7
PC928J00000Fシリーズ
Fig.7 瞬時同相除去電圧の測定回路
Fig.8 応答時間の測定回路
13
1 2
SW
12
12
VCC
B
A
13
1 2
11
VIN
V VO2
14 10
3
RG
tr=tf=0.01µs
Pulse width 5µs
Duty ratio 50%
V VOUT
9
8
+
CG
14 10
3
9
VCC
11
8
−
VCM
50%
VCM
(peak)
VCM waveform
VIN waveform
tPLH
GND
tPHL
90%
CMH, VO2 waveform
SW at A, IF=10mA
VO2H
VO2L
GND
Fig.10 過電流保護時O2出力電圧の測定回路
Fig.9 過電流検出電圧の測定回路
13
13
1 2
1 2
12
RG
12
VCC
RG
V VO2
CG
IF
14 10
3
9
V VO2
CG
CP
VC
14 10
V VCTH
3
VCC
11
11
IF
tf
tr
∆VO2H
∆VO2L
CML, VO2 waveform
SW at B, IF=0
50%
10%
VOUT waveform
RC
9
8
8
Sheet No.: D2-A06202FJP
8
PC928J00000Fシリーズ
Fig.11ローレベルエラー信号電圧の測定回路
Fig.12 ハイレベルエラー信号電流の測定回路
13
1 2
13
1 2
12
12
VCC
RG
11
CG
IF
9
CG
IF
14 10
3
14 10
V
3
9
IFS
VFSL
8
8
Fig.13 過電流保護時O2"High→Low"伝搬遅延
時間、過電流保護時O2立下がり時間
VIN
IFSH
13
1 2
12
RG
tr=tf=0.01µs
Pulse width 25µs
Duty ratio 25%
VFS
A
Fig.14 エラー信号"High→Low"伝搬遅延時間、
エラー信号出力パルス幅の測定回路
13
1 2
VCC
RG
11
11
V VOUT
14 10
RC
12
VCC
VIN
CG
RC
RG
tr=tf=0.01µs
Pulse width 25µs
Duty ratio 25%
VCC
11
CG
14 10
CP
3
3
9
8
IF
(Input current)
8
VOE
90%
50%
10%
tpCOHL
90%
FS
(Error signal output)
RFS
tpCOTF
VO2
(O2 output voltage)
C
(Detecting terminal)
VOUT
V
9
Error detection threshold voltage (VCTH)
10%
tpCFHL
∆tFS
50%
50%
Sheet No.: D2-A06202FJP
9
PC928J00000Fシリーズ
Fig.15 順電流低減曲線
Fig.16 許容損失低減曲線
600
60
Total power dissipation
550
Power dissipation Ptot, Po (mW)
Forward current IF (mA)
50
40
30
20
500
Output side
power dissipation
400
300
200
100
10
0
−25
0
25
50
75 80 100
0
−25
125
0
25
50
75 80 100
125
Ambient temperature Ta (°C)
Ambient temperature Ta (°C)
Fig.17 順電流―順電圧特性
Fig.18“Low→High”相対スレッショルド
入力電流―電源電圧特性
1.6
Ta=25°C
Forward current IF (mA)
50°C
Relative input threshold current IFLH
Ta=75°C
25°C
0°C
100
−20°C
10
1.4
1.2
Value of VCC=24V assumes 1.
1
0.8
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.6
15
3.5
Forward voltage VF (V)
24
27
1
O1 low level output voltage VO1L (V)
VCC=24V
1.2
1.1
IFLH = 1 at Ta=25°C
1
0.9
0
25
50
30
Fig.20 O1ローレベル出力電圧―
O1出力電流特性
1.3
Relative input threshold current IFLH
21
Supply voltage VCC (V)
Fig.19“Low→High”相対スレッショルド
入力電流―周囲温度特性
0.8
−25
18
75
0.1
0.01
0.001
0.01
100
Ta=25˚C
VCC1=12V
VCC2=12V
IF=10mA
0.1
1
O1 output current IO1 (A)
Ambient temperature Ta (°C)
Sheet No.: D2-A06202FJP
10
PC928J00000Fシリーズ
Fig.21 O1ローレベル出力電圧―
周囲温度特性
Fig.22 O1リーク電流―周囲温度特性
10−6
VCC=VO1=35V
IF=0mA
VCC1=12V
VCC2=−12V
IF=10mA
0.2
10−7
O1 leak current IO1L (A)
O1 low level output voltage VO1L (V)
0.25
0.15
IO1=0.1A
0.1
10−8
10−9
0.05
0
−25
0
25
50
75
10−10
−25
100
0
Fig.23 O2ハイレベル出力電圧―
電源電圧特性
25
20
15
10
5
15
18
21
24
27
23
IO2=0A
22
−0.1A
21
20
19
−25
30
0
25
50
75
100
Ambient temperature Ta (°C)
Fig.25 O2ローレベル出力電圧―
出力電流特性
Fig.26 O2ローレベル出力電圧―
周囲温度特性
10
1.3
VCC=24V
Ta=25°C
O2 low level output voltage VO2L (V)
O2 low level output voltage VO2L (V)
100
VCC=24V
IF=10mA
Supply voltage VCC (V)
1
0.1
0.01
0.01
75
24
Ta=25°C
IF=10mA
IO2=−0.1A
30
50
Fig.24 O2ハイレベル出力電圧―
周囲温度特性
O2 high level output voltage VO2H (V)
O2 high level output voltage VO2H (V)
35
25
Ambient temperature Ta (°C)
Ambient temperature Ta (°C)
0.1
VCC=24V
IF=10mA
1.2
1.1
IO2=0.1A
1
0.9
0.8
−25
1
Output current IO2 (A)
0
25
50
75
100
Ambient temperature Ta (°C)
Sheet No.: D2-A06202FJP
11
PC928J00000Fシリーズ
Fig.27 ハイレベル電源電流―電源電圧特性
Fig.28 ローレベル供給電流―電源電圧特性
16
IF=10mA
L ow l e ve l suppl y current I CCL (mA)
H i gh l e ve l suppl y current I CCH (mA)
14
Ta=−25°C
12
10
2 5 °C
8
8 0 °C
6
4
15
18
21
24
27
IF=0mA
12
25°C
10
80°C
8
6
15
30
18
Fig.29 伝搬遅延時間―順電流特性
24
2.5
P r opagation delay time t PHL , t PLH ( µs)
Ta=25°C
VCC=24V
RG=47Ω
CG=3 000pF
3
2.5
t PLH
2
1.5
1
0.5
t PHL
5
10
15
1.5
t PLH
1
0.5
20
t PHL
0
−25
25
0
Fo rw a r d c u r r e n t I F ( m A)
O 2 output fall time at protection from overcurrent t PCOtf /
O 2 "H-L" delay time at protection from overcurrent t PCOHL (µs)
VCC=24V
RG=47Ω
CG=3 000pF
IF=10mA
20
15
10
5
0
25
50
75
50
75
100
Fig.32 過電流保護時O2出力立ち下がり時間／過電流保護時
O2“High→Low”伝搬遅延時間―周囲温度特性
30
0
−25
25
Ambient temperature Ta (°C)
Fig.31 過電流検出電圧―周囲温度特性
25
30
VCC=24V
RG=47Ω
CG=3 000pF
IF=10mA
2
0
0
27
Fig.30 伝搬遅延時間―周囲温度特性
3.5
P r opagation delay time t PHL , t PLH ( µs)
21
Supply voltage VCC (V)
Supply voltage VCC (V)
Ov erc urr en t de tec ting v oltag e V CTH ( V)
Ta=−25°C
14
100
10
8
VCC=24V
IF=10mA
RG=47Ω
CG=3 000pF
RC=1kΩ
CP=1 000pF
t PCOtf
6
t PCOHL
4
2
0
−25
0
25
50
75
100
Ambient temperature Ta (°C)
Ambient temperature Ta (°C)
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12
PC928J00000Fシリーズ
Fig.34 過電流保護時O2出力電圧―周囲温度特性
2
1.5
VCC=24V
IF=10mA
RFS=1.8kΩ
RG=47Ω
CG=3 000pF
RC=1kΩ
CP=1 000pF
1.2
0.9
0.6
0.3
0
−25
0
25
50
75
VCC=24V
IF=10mA
RG=47Ω
CG=3 000pF
RC=1kΩ
CP=1 000pF
1.8
O2 output voltage at protection from
overcurrent VOE (V)
Error signal "H-L" propagation delay time tPCFHL (µs)
Fig.33 エラー信号“High→Low”伝搬遅延時間
―周囲温度特性
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
−25
100
0
25
Fig.35 ローレベルエラー信号電圧―
周囲温度特性
High level error signal current IFSH (A)
Low level error signal voltage VFSL (V)
100
10-6
VCC=24V
IF=10mA
IFS=10mA
RG=47Ω
CG=3 000pF
C=OPEN
0.3
0.2
0.1
0
−25
0
25
50
75
10-7
VCC=24V
IF=10mA
VFS=24V
RG=47Ω
CG=3 000pF
VC=0
10-8
10-9
−25
100
0
25
Fig.37 エラー信号出力パルス幅―周囲温度特性
Overcurrent detecting voltage VCTH (V)
20
10
0
100
25
VCC=24V
IF=10mA
RFS=1.8kΩ
RG=47Ω
CG=3 000pF
RC=1kΩ
CP=1 000pF
30
0
−25
75
Fig.38 過電流検出電圧―電源電圧特性
50
40
50
Ambient temperature Ta (°C)
Ambient temperature Ta (°C)
Error signal output pulse width ∆tFS (µs)
75
Fig.36 ハイレベルエラー信号電流―
周囲温度特性
0.5
0.4
50
Ambient temperature Ta (°C)
Ambient temperature Ta (°C)
25
50
75
Ta=25°C
IF=10mA
VCC=24V
20 RG=47Ω
CG=3 000pF
RC=1kΩ
FS=OPEN
15 CP=1 000pF
10
100
0.5kΩ
1kΩ
5
1.5kΩ
0
15
Ambient temperature Ta (°C)
Added resistance=0Ω
18
21
24
27
30
Supply voltage VCC (V)
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13
PC928J00000Fシリーズ
Fig.39 過電流検出電圧―電源電圧特性測定回路
IF
PC928J00000F
Cathode
RG
O2
V
C
RC
VO2
CP
Added resistance
VCC
O1
Anode
VCC
CG
V
FS
VC
GND
Fig.40 応用回路例
（インバータ用IGBT駆動）
VCC
Cathode
TTL, micro computer,
etc.
O1
O2
+
VCC1=12V
+
VCC2=12V
RG
CB
Power supply
Anode
(+)
R1
PC928J00000F
Anode
RC
C
FS
R2
D2
D1
R3
Cp
GND
(−)
To micro computer
RFS
PC817X etc.
CFS
・電源の安定化のため、デバイス近傍のVCC―GND間に0.01µF以上の容量を持つバイパスコンデンサ
CBを付加する事を推奨致します。
・C端子検出電圧の安定化のため、C端子―GND間に1 000pF程度のコンデンサGPを、またVCC―C端子間
に1.0kΩ程度の抵抗RCを付加する事を推奨致します。ただし、CPとRCの時定数によりC端子検出電圧の
立ち上り時間が変化致しますので実機による確認を行った上でご使用頂けます様、お願い致します。
・C端子―IGBTのコレクタ間のダイオードDには、IGBTの耐圧と同等の耐圧を有しリークの少ないも
のをご使用ください。
・IGBTのVCE変動によるC端子の誤動作および破壊を防止するため、C端子近傍へ10kΩ程度の抵抗R2と
ダイオードD1およびC端子―GND間に50kΩ程度の抵抗R3とダイオードD2を付加して使用されること
を推奨致します。
∗ 本応用回路については、一般的な回路例を示しているものであり、動作を保証するものでは
ありません。
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PC928J00000Fシリーズ
Fig.41 短絡保護回路動作
VCC
PC928J00000F
13
Anode
1
2
Cathode
3
TTL, micro computer, etc.
12
Constant voltage circuit
Amp.
O1
Tr. 1
Interface
Anode
VCC
11
O2
RG
Tr. 2
IGBT
RC
VC
Typ. 150kΩ
9
IGBT protector
circuit
8
14 10
C
FS
CP
GND
VEE
Feedback to primary side
1. 過電流によるIGBTのVCE(sat)上昇をC端子（９番端子）で検出
2. IGBTのゲート電圧を下げ、コレクタ電流を抑える
3. 同時に短絡状態を示す信号（FS信号）をFS端子（８番端子）から発生し、マイコンへ
4. マイコンによる判定・処理
瞬間的な短絡は運転継続
異常時はフォトカプラの入力をカットしIGBTをOFF
備考全てのグラフ中の値は参考値であり、保証値ではありませんので、あらかじめご了承の程をお願い
致します。
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PC928J00000Fシリーズ
■ 設計時の注意事項
● 静電気について
バイポーラ構造による受光部のトランジスタは、微小設計のため静電気の影響を受けやすくなって
います。取り扱う際には静電気による破壊、特性低下を防ぐため一般的な静電対策を取ってくださ
い。
● 設計ガイド
電源ラインの安定化の為に、デバイス近傍のVCC―GNDライン間に、0.01µF以上の容量をもつ、バ
イパスコンデンサを付加して使用されることを推奨します。
ノイズによるC端子の誤動作防止の為に、C端子―GND間に1 000pF程度のコンデンサを付加して使
用されることを推奨致します。又、コンデンサを付加した場合はC端子の検出電圧の立ち上がりが
遅くなりますので、VCC―C端子間に1kΩ程度の抵抗を併用してご使用ください。但し、付加したCR
の時定数により、C端子の立ち上がり時間が変化致しますので十分確認の上ご使用ください。
フォトカプラの１次―２次間に急峻なノイズが印加された場合、ノイズのかかり方によってはフォ
トカプラの１次―２次間の浮遊容量を介して赤外発光ダイオードに電流が流れ（又は電流が変化し）
誤動作する場合がありますので、ノイズ環境が心配されるところでは赤外発光ダイオードの両端に
バイパスコンデンサを付加して使用されることを推奨します。
本製品に使用している受光素子は、各端子とGND端子間に寄生ダイオードが存在し、各端子が瞬時
でもGND電位以下になると誤動作又は、破壊される可能性がありますので、各端子はGND電位以下
にならない様、回路設計願います。
本製品は耐放射線設計はなされておりません。
本製品は非干渉性赤外発光ダイオードを使用しております。
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● 劣化について
フォトカプラに使用している赤外発光ダイオードは一般的に通電により発光出力が低下します。
長時間使用の場合は赤外発光ダイオードの出力低下（50%／５年）を考慮しスレッショルド入力電流
IFLHの仕様最大値の２倍以上の入力電流になる様回路設計願います。
● 推奨ランドパターン
0.8
1.27
1.27
1.27
1.27
1.27
1.27
9.0
1.8
（単位：mm）
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■ 取り扱い上の注意
● はんだ付け
リフローはんだ付け
リフローはんだ付けの場合は次に示す温度プロファイル以下の温度、時間で２回以内で行ってくださ
い。
(˚C)
300
端子部 : 260˚C peak
( package surface : 250˚C peak)
200
リフロー
220˚C or more, 60s or less
プリヒート
150 to 180˚C, 120s or less
100
0
0
1
2
3
4
(min)
フローはんだ
フローはんだ付けの場合は次に示す条件で２回以内で行ってください。
260℃以下、10s以内 {プリヒート：100∼150℃、30∼80s}
手はんだ
手はんだ付けの場合は次に示す条件で２回以内で行ってください。
こて先温度400℃以下、3s以内。
その他の注意事項
実装条件（はんだ、フラックス、温度、時間など）によっては想定外の事象が生じる場合があります
ので、実機にて確認のうえご利用ください。
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● 洗浄条件
溶剤浸漬洗浄：
溶剤温度： 45℃
浸漬時間：３min以内
超音波洗浄：
素子への影響は、洗浄槽の大きさ、超音波出力、時間、基板の大きさ、素子の取り付け方により異
なりますので、あらかじめ実使用状態で実施し、異常無き事を確認の上洗浄を行ってください。
推奨溶剤：
エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール
その他の洗浄剤の使用にあたっては、パッケージ樹脂が侵される事などがありますので、実使用状
態で十分確認の上ご使用ください。
● 規制化学物質
本製品には下記オゾン層破壊化学物質を含有しておりません。
また、製造工程において下記化学物質を使用しておりません。
規制対象物質：CFCs、ハロン、四塩化炭素、1-1-1トリクロロエタン
（メチルクロロホルム）
本製品は特定臭素系難燃材（PBBOs、PBBs）を一切使用しておりません。
本製品はRoHS指令（2002/95/EC）で規制されている下記物質を含んでおりません。
・鉛、水銀、カドミウム、六価クロム、PBB（ポリ臭素化ビフェニル）、PBDE（ポリ臭素化ジフェ
ニルエーテル）
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■ 包装仕様
● スリーブ包装
包装材料
スリーブ：静電防止剤付きHIPS製
ストッパー：スチレン系エラストマー製
包装方法
スリーブに最大50個の製品を入れ、ツメ有りストッパーとツメ無しストッパーで両端を止める。
製品の一次側マークはツメ無しストッパー側へ揃える。
上記スリーブ最大20本を外装ケースに入れる。
スリーブ図
12.0
±2
5.8
10.8
520
（単位：mm）
6.7
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● テーピング包装
包装材料
キャリアテープ：A-PET材（静電防止剤付き）
カバーテープ：ベースPET材（３層構造）
リール：PS製
キャリアテープ構造及び寸法
F
J
D
E
G
MA
X.
H
H
A
B
C
I
寸法表
A
16.0±0.3
H
10.4±0.1
5˚
K
B
7.5±0.1
I
0.4±0.05
C
1.75±0.1
J
4.2±0.1
D
12.0±0.1
K
9.7±0.1
E
2.0±0.1
（単位：mm）
F
G
+0.1
4.0±0.1
φ1.5−0
リール構造及び寸法
e
d
c
g
a
寸法表
a
330
e
23±1.0
f
b
b
17.5±1.5
f
2.0±0.5
（単位：mm）
c
d
100±1.0
13±0.5
g
2.0±0.5
部品封入方向
引き出し方向
（員数：1 000個／リール）
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■ 製品に関するご注意
・計測機器・工作機器・AV機器・家電製品
なお上記の用途であっても2または3に記載の機
器に該当する場合は、それぞれ該当する注意点
を遵守願います。
2. 機能・精度等において高い信頼性・安全性が必
要とされる下記の用途に本資料に掲載されてい
る製品を使用される場合は、これらの機器の信
頼性および安全性維持のためにフェールセーフ
設計や冗長設計の措置を講じる等、システム・
機器全体の安全設計にご配慮頂いたうえでご使
用ください。
・運送機器［航空機、列車、自動車等］の制御ま
たは各種安全装置にかかわるユニット
・交通信号機・ガス漏れ検知遮断機・防災防犯装
置・各種安全装置等
3. 機能、精度等において極めて高い信頼性・安全
性が必要とされる下記の用途にはご使用になら
ないでください。
・宇宙機器・通信機器［幹線］・原子力制御機器・
医療機器等
4. 上記1、2、3のいずれに該当するか疑義のある場
合は弊社販売窓口までご確認願います。
・本資料には弊社の著作権等にかかわる内容も含
まれていますので、取り扱いには充分ご注意頂
くと共に、本資料の内容を無断で複製しないよ
うお願い致します。
・本資料に掲載されている応用例は、弊社製品を
使った代表的な応用例を説明するためのもので
あり、本資料によって工業所有権、その他権利
の実施に対する保証または実施権の許諾を行う
ものではありません。また、弊社製品を使用し
たことにより、第三者と工業所有権等にかかわ
る問題が発生した場合、弊社はその責を負いま
せん。
・本資料に掲載されている製品の仕様、特性、デ
ータ、使用材料、構造などは製品改良のため予
告なく変更することがあります。ご使用の際に
は、必ず最新の仕様書をご用命のうえ、内容の
ご確認をお願い致します。仕様書をご確認され
る事なく、万一掲載製品の使用機器等に瑕疵が
生じましても、弊社はその責を負いません。
1. 本資料に掲載されている製品のご使用に際して
は、仕様書記載の絶対最大定格や使用上の注意
事項等及び以下の注意点を遵守願います。な
お、仕様書記載の絶対最大定格や使用上の注意
事項等を逸脱した製品の使用あるいは、以下の
注意点を逸脱した製品の使用に起因する損害に
関して、弊社はその責を負いません。
（注意点）
本資料に掲載されている製品は原則として下記
の用途に使用する目的で製造された製品です。
・電算機・OA機器・通信機器［端末］
・本資料に掲載されている製品のうち、外国為替
及び外国貿易管理法に定める戦略物資に該当す
るものについては、輸出する場合、同法に基づ
く輸出許可・承認が必要です。
・本資料に関してご不明な点がありましたら、事
前に弊社販売窓口までご連絡頂きますようお願
い致します。
[E227]
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