ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﺳﺘﻔﺎده ﮔﺴﺘﺮده از ﺗﺤﺮﻳﻚ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺴﺎﻳﻞ رادار)ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ راداري ،اﺳﻜﺘﺮﻳﻨﮓ و (...و ﺣﻴﻄﻪ اﭘﺘﻴﻚ)ﭘﻼﺳﻤﻮﻧﻴﻚ و (...ﻳﻜﻲ از ﻧﻴﺎزﻫﺎي داﻧﺸﺠﻮﻳﺎن اﺳﺘﻔﺎده از ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻋﺪدي رﻓﺘﺎر اﻣﻮاج در ﭼﻨﻴﻦ ﺳﻴﺴﺘﻤﻬﺎﻳﻲ ﻣﻴﺒﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﮔﺎم ﻧﺨﺴﺖ آن ﺗﻮاﻧﺎﻳﻲ در اﺳﺘﻔﺎده از ﺗﺤﺮﻳﻚ plane waveﻣﻴﺒﺎﺷﺪ ﻛﻪ در اداﻣﻪ ﻣﺒﺎﺣﺚ آﻣﻮزﺷﻲ ﻗﺒﻠﻲ ﻃﻲ ﻣﺜﺎﻟﻲ ﺳﺎده ﺷﻤﺎ ﻋﺰﻳﺰان را ﮔﺎم ﺑﻪ ﮔﺎم ﺑﺎ اﻳﻦ ﺷﻴﻮه ﺗﺤﺮﻳﻚ آﺷﻨﺎ ﻣﻴﻜﻨﻢ ،اﻣﻴﺪ اﺳﺖ اﻳﻦ ﻣﺘﻦ راﻫﮕﺸﺎ ﺷﻤﺎ ﻋﺰﻳﺰان در ﺧﺼﻮص اﻳﺪه ﻫﺎي ﺧﻼﻗﺎﻧﻪ ﺷﻤﺎ در ﻧﮕﺎرش ﻣﻘﺎﻻت ﺗﺨﺼﺼﻲ ﺗﺎن در ﺣﻴﻄﻪ ﻣﺰﺑﻮر ﺑﺎﺷﺪ .اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﺘﻦ ﺣﺎﺿﺮ و ﺳﺎﻳﺮ ﺟﺰوات اﻳﻨﺠﺎﻧﺐ ﺑﻪ ﻫﺮ ﻧﺤﻮي ﻣﺠﺎز و ﻣﻮرد اﻣﺘﻨﺎن اﺳﺖ. ﻣﻮﻓﻖ و ﭘﻴﺮوز ﺑﺎﺷﻴﺪ ﺗﻬﺮان -ﺑﻬﻤﻦ 1392 ﺳﻴﺪ ﻣﺤﻤﺪرﺿﺎ رﺿﻮي زاده Dear, Friends This article shows a step by step plane wave excitation by CST MWs which is very important to study numerically some EM problems: the radar cross section, EM wave, optical systems and so on. Obviously the text is in Persian language but the picture based style of this document hopefully causes it applicable for who is’nt familiar with Persian. Furthermore, If you have any question, please do not hesitate to contact me. Hoping to hear from you….. Mohammadreza ﺗﺤﺮﻳﻚ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ):(TEM در ﻣﺴﺎﻳﻞ زﻳﺎدي از ﺟﻤﻠﻪ ﺑﺮرﺳﻲ اﺳﻜﺘﺮﻳﻨﮓ و ﭘﺮاش اﻣﻮاج اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻮاﺳﻄﻪ ﺑﺮﺧﻮرد ﺑﺎ اﺟﺴﺎم ﻓﻠﺰي)رادار( و ﻧﻴﺰ ﺑﺮرﺳﻲ رﻓﺘﺎر ﻣﻮج در ﻣﺤﻴﻄﻬﺎي ﺑﺎ ﺧﻮاص اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ و ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﺎص) ﻣﺘﺎﻣﺎﺗﺮﻳﺎﻟﻬﺎ( ﻣﻨﺒﻊ اﺻﻠﻲ اﻳﺠﺎد ﻣﻮج دﻳﮕﺮ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺴﺎﻳﻞ آﻧﺘﻦ و ﻗﻄﻌﺎت ﭘﺴﻴﻮ ﻣﺎﻳﻜﺮووﻳﻮ ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻳﺎ ﭘﻨﺠﺮه ﺗﺤﺮﻳﻚ waveportﻧﺒﻮده و ﺑﺎﻳﺪ ﻳﻚ ﺟﺒﻬﻪ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﺎ راﺳﺘﺎي اﻧﺘﺸﺎر و ﭘﻼرﻳﺰاﺳﻴﻮن ﻣﺸﺨﺺ ﺑﺎﺷﺪ .ﻧﺮم اﻓﺰار CST Microwave Studioاﻳﻦ اﻣﻜﺎن را ﻓﺮاﻫﻢ ﻛﺮده ﻛﻪ در اﺳﺘﻔﺎده از آن ﻻزم اﺳﺖ ﻣﻮاردي ﻣﻼﺣﻈﻪ و ﻣﺮاﻗﺒﺖ ﺷﻮد ﻛﻪ در اداﻣﻪ ﺑﺎ ذﻛﺮ ﻣﺜﺎﻟﻬﺎﻳﻲ ﺑﻪ اﻳﻦ ﻣﻮارد اﺷﺎره ﺧﻮاﻫﻴﻢ ﻧﻤﻮد. ﻣﺜﺎل -1ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺘﻲ ﺑﺎ روﻳﻪ ﻓﻠﺰي و ﺷﻜﺎﻓﻲ ﻣﺴﺘﻄﻴﻞ ﺷﻜﻞ در ﻣﺮﻛﺰ ﻛﻪ در ﻣﻌﺮض ﻳﻚ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﺎ ﭘﻼرﻳﺰاﺳﻴﻮن ﺧﻄﻲ و راﺳﺘﺎي اﻧﺘﺸﺎر ﻋﻤﻮدي و داﻣﻨﻪ 1V/mﻗﺮار ﻣﻴﮕﻴﺮد. ﺗﻔﺴﻴﺮ اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺑﺪﻳﻬﻲ اﺳﺖ ﭼﻨﻴﻦ ﻣﺴﺎﻟﻪ اي ﭘﺲ از ﺑﺮﺧﻮرد ﻣﻴﺪان در ﻧﻴﻤﻪ ﻓﻀﺎي ﺳﻤﺖ ﻣﻨﺒﻊ ﻣﻮج اﻧﻌﻜﺎس داﺷﺘﻪ و ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺖ ﻧﻈﻴﺮ رﻓﻠﻜﺘﻮر ﻋﻤﻞ ﻛﺮده و در ﭘﺸﺖ آن ﺑﻮاﺳﻄﻪ slotو ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻫﻤﺮاﺳﺘﺎﻳﻲ ﻳﺎ ﻧﺎ ﻫﻤﺮاﺳﺘﺎﻳﻲ اﺳﻼت ﺑﺎ ﺟﺒﻬﻪ ﻣﻮج ﻣﻴﺘﻮاﻧﻴﻢ ﺷﺎﻫﺪ اﻟﻘﺎء اﻧﺮژي ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ در ﺳﻤﺖ ﻣﻘﺎﺑﻞ ﺑﺎﺷﻴﻢ. 2 ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺖ :در ﺻﻔﺤﻪ ،xyو ﺑﻪ ﻣﺸﺨﺼﺎتTaconic TLY5, εr=2.2, 20×20mm : ﺷﻜﺎف)xslot=10mm, yslot=2mm :(Slot ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي :راﺳﺘﺎي اﻧﺘﺸﺎر ،-zﭘﻼرﻳﺰاﺳﻴﻮن ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ Ey ﺗﻨﻈﻴﻤﺎت ﻋﻤﻮﻣﻲ ﻧﺮم اﻓﺰار: ﻧﻮع Templateرا RCSاﻧﺘﺨﺎب ﻛﻨﻴﺪ ﻛﻪ ﺑﻄﻮر دﻳﻔﺎﻟﺖ ﻣﻨﺒﻊ را Plane waveو واﺣﺪ را mmﺑﺎ GHzدر ﻧﻈﺮ ﻣﻴﮕﻴﺮد .ﺻﻔﺤﻪ رﺳﻢ را xyﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﻨﻴﺪ ) (WCS>Align WCS with xy planeو Working plane propertiesرا ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﻨﻴﺪ: 1 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] ﻣﺪل ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺖ را اﻳﺠﺎد ﻛﻨﻴﺪ .ﺿﺨﺎﻣﺖ ﺳﺎب را 0.8mmو ﺿﺨﺎﻣﺖ روﻳﻪ ﻓﻠﺰي را ﻧﻴﺰ 0.035mﮔﺮﻓﺘﻴﻢ و ﻃﻮري ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﺮدﻳﻢ ﻛﻪ ﺗﺎ روﻳﻪ ﻓﻠﺰي در ﻣﺮز z=0ﻗﺮار ﺑﮕﻴﺮد. رﺳﻢ ﺷﻜﺎف در ﻣﺮﻛﺰ روﻳﻪ ﻓﻠﺰي: ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻓﻀﺎي ﭘﻴﺮاﻣﻮﻧﻲ ﻳﺎ ﻣﺤﻴﻂ اﻧﺘﺸﺎر: ﭼﻮن ﻣﻴﺨﻮاﻫﻴﻢ ﻣﻨﺒﻊ ﻣﻮج از ﺻﻔﺤﻪ اﺳﻜﺘﺮر ﺷﻜﺎف دار ﻧﺴﺒﺘﺎً دور ﺑﺎﺷﺪ ﺗﺎ اﻣﻮاج ﺑﺮﮔﺸﺘﻲ در ﻣﺤﻞ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﺪاﺧﻠﻲ ﻧﺪاﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻣﺮز ﻣﺤﻴﻂ ﭘﻴﺮاﻣﻮﻧﻲ را ] [0.100mmﺗﻨﻈﻴﻢ و ﻣﺤﻴﻂ را ﻧﺮﻣﺎل ] [ε=1, µ=1ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ)ﺑﻄﻮر ﺧﻮدﻛﺎر ﺗﻨﻈﻴﻤﺎت working planeاﺻﻼح ﻣﻴﺸﻮد(. 2 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ: ﭼﻮن ﺷﻜﺎف 10mmﻃﻮل دارد و اﮔﺮ ﻣﻌﺎدل λ/2ﺑﮕﻴﺮﻳﻢ ﻣﻴﺘﻮان ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ را 15GHzﺗﻨﻈﻴﻢ ﻧﻤﻮد. ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﺮزﻫﺎي ﺗﺸﻌﺸﻌﻲ ﻣﺤﻴﻂ: ﻳﻜﻲ از ﻣﻬﻤﺘﺮﻳﻦ ﺗﻔﺎوﺗﻬﺎي اﻧﺤﺼﺎري اﻳﻦ ﻧﻮع ﺗﺤﺮﻳﻚ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺗﺤﺮﻳﻜﻬﺎي دﻳﮕﺮ ﻧﺮم اﻓﺰار ﻓﻀﺎي ﺑﺎز ﺑﻮدن اﻧﺘﺸﺎر اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﺜﻼً در ﻗﻄﻌﺎت ﭘﺴﻴﻮ اﻧﺘﺸﺎر ﻛﺎﻣﻼً ﻣﺤﺒﻮس ﺑﻮده و ﻻزم اﺳﺖ ﻗﻄﻌﻪ را در ﻗﻔﺲ ﻓﺎرادي ﺗﺼﻮر ﻛﺮده ﻛﻪ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﻣﺮزﻫﺎﻳﻲ ﺑﺎ Et=0ﻣﻴﺒﻮد .در اﻳﻦ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﻣﺎ ﺗﻤﺎم راﺳﺘﺎﻫﺎ را openﺗﻨﻈﻴﻢ و ﺗﻨﻬﺎ در ﻣﺴﻴﺮ اﻧﺘﺸﺎر ) open(free spaceاﻧﺘﺨﺎب ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ. ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﺤﺮﻳﻚ ﻣﻮج از ﻣﺴﻴﺮ Solve> plane waveﻳﺎ Solve>Edit plane waveﺑﻪ ﻃﺮﻳﻖ زﻳﺮ ﻋﻤﻞ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ. 3 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] راﺳﺘﺎي اﻧﺘﺸﺎر –zاﺳﺖ ﻟﺬا ﺑﺮدارﻫﺎي ﻳﻜﻪ را در ] [0,0,-1ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﺮدﻳﻢ. ﺑﺮدار ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ Eyاﺳﺖ ﻟﺬا ﺑﺮدار ﻳﻜﻪ آﻧﺮا ] [0,1,0ﺗﻨﻈﻴﻢ ﻛﺮدﻳﻢ. ﻧﻜﺘﻪ :1در ﻣﻮاردي ﻛﻪ ﺷﻜﻞ ﻣﺎ ﻳﻚ ﺻﻔﺤﻪ ﻓﻠﺰي ﻣﻮازي ﺟﺒﻬﻪ ﻣﻮج ﺗﺎﺑﺸﻲ دارد)ﻧﻈﻴﺮ اﻳﻨﺠﺎ( ﻻزم اﺳﺖ در ﻣﺤﻞ ﻣﺮز ﺻﻔﺤﻪ ﻓﻠﺰي و ﺟﺒﻬﻪ ﻣﻮج ) اﻳﻨﺠﺎ ( z=0ﻳﻚ ﺻﻔﺤﻪ Decouplingﺗﻌﺮﻳﻒ ﻛﻨﻴﻢ .اﻟﺒﺘﻪ اﮔﺮ در ﺣﺎﻟﺖ Automatic detectionﻫﻢ ﺑﮕﺬازﻳﻢ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺧﻮدﻛﺎر اﻳﻨﻜﺎر را ﺧﻮاﻫﺪ ﻧﻤﻮد. ﻧﻜﺘﻪ :2در ﻣﺴﺎﻳﻠﻲ ﻣﻤﻜﻦ اﺳﺖ ﭘﻮرﺗﻬﺎﻳﻲ ﺑﺮاي ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﻄﻮر ﻏﻴﺮ ﻓﻌﺎل ﺗﺸﻌﺸﻌﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ) ﻣﺜﻼً ﺑﺮاي ﺳﻨﺠﺶ ﻣﻴﺰان ﺿﺮﻳﺐ ﻋﺒﻮر ﺳﻴﺴﺘﻢ ﭘﺴﻴﻮ ﻛﻪ در ﻣﻌﺮض ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻮده( ﻫﺮﮔﺰ ﻧﺒﺎﻳﺪ ﭘﻮرﺗﻬﺎ ﺑﺮ ﺻﻔﺤﺎت ﻣﺮزي ﻣﻨﻄﺒﻖ ﮔﺮدﻧﺪ. :Field Monitor ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺗﺤﺮﻳﻚ ﺑﺎ اﻣﻮاج ﺻﻔﺤﻪ اي ﻗﻄﻌﺎً ﻣﻮﺿﻮع اﻧﺘﺸﺎر ﻣﻴﺪان دور را در ﺑﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﻟﺬا ﺑﺮاي ﻣﺸﺎﻫﺪه رﻓﺘﺎر ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﺟﺎي ﺟﺎي ﻓﻀﺎي ﻣﺴﺎﻟﻪ ،از ﻣﺤﻞ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﺎ اﺳﻜﺘﺮر ﻻزم ﺑﻪ ﺗﻨﻈﻴﻢ field monitoringاز زﻳﺮ ﺷﺎﺧﻪ solveﺑﺎ ﺗﻨﻈﻴﻢ در ﺣﺎﻟﺖ Far field/RCSﻣﻴﺒﺎﺷﺪ. ﮔﺎم آﺧﺮ اﻧﺘﺨﺎب ﻧﻮع روش ﺣﻞ ﻣﻴﺒﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﻣﺎ !Fرا اﻧﺘﺨﺎب ﻛﺮدﻳﻢ ،ﻛﻪ در Excitation Settingدﻳﻔﺎﻟﺖ Plane waveﺗﻨﻈﻴﻢ ﺷﺪه اﺳﺖ. 4 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO ﻧﺘﻴﺠﻪ: ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﻪ 5GHzﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻴﺸﻮد ﻛﻮﭘﻼژ ﺷﻜﺎف ﻛﻤﺘﺮ ﻣﻴﺸﻮد 5 [email protected] [email protected] CST MICROWAVE STUDIO ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ :1GHz ﺑﺎزاي ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ 6 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] اﺳﺘﺨﺮاج ﭘﺘﺮن ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ: اﻟﺒﺘﻪ از اﺑﺘﺪاء ﻣﻴﺘﻮان ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻣﺮﺗﺒﻪ Field Monitorرا ﺑﺎزاي ﻫﺮ ﺗﻌﺪاد از ﮔﺰارﺷﻬﺎي ﻣﻮرد ﻧﻈﺮﻣﺎن و در ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻬﺎ و ﻧﻘﺎط ﻣﺘﻔﺎوﺗﻲ ﺗﻨﻈﻴﻢ و ﺑﺮﻧﺎﻣﻪ را اﺟﺮا ﻧﻤﻮد اﻳﻦ ﻣﻮﺿﻮع را در ﺧﺼﻮص ﮔﺰارش E-Fieldو FarField/RCSاﻧﺠﺎم داده اﻳﻢ: >> ﭘﺲ از اﺟﺮاء در زﻳﺮ ﺷﺎﺧﻪ 1D/2D Resultsﭘﻮﺷﻪ ﻫﺎي ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻇﺎﻫﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻣﺸﺎﻫﺪه ﭘﺘﺮن ﻣﻴﺪان ﻓﻮﻟﺪر اﺻﻠﻲ اﻧﺘﺨﺎب ﺷﻮد ﺗﺎ ﻧﻈﻴﺮ ﺷﻜﻞ ﭘﺘﺮن ﺑﺮدارﻫﺎي ﻣﻴﺪان ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺷﻮد. 7 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] وﻳﺮاﻳﺶ ﮔﺰارش ﭘﺘﺮن: ﺑﺎ ﻛﻠﻴﻚ راﺳﺖ روي ﭘﻮﺷﻪ ] ، e-field[f=1.5][pwﺑﺎ اﻧﺘﺨﺎب plot propertiesﭘﻨﺠﺮه زﻳﺮ ﺑﺎز ﺷﺪه ﻛﻪ ﻣﻴﺘﻮان ﺗﺮاﻛﻢ ﺑﺮدارﻫﺎ و اﻧﺪازه آﻧﻬﺎ را از Spacingو Scalingﺗﻨﻈﻴﻢ ﻧﻤﻮد .اﻧﻴﻤﺸﻦ ﭘﺘﺮن ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎ ﻧﻴﺰ از ﻫﻤﻴﻦ ﻣﺴﻴﺮ ﻗﺎﺑﻞ اﻧﺘﺨﺎب اﺳﺖ. ﺗﻌﺮﻳﻒ ﭘﻮرت در ﭘﺸﺖ ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺖ ﺑﻤﻨﻈﻮر آﻧﺎﻟﻴﺰ اﻣﭙﺪاﻧﺴﻲ و اﻧﻌﻜﺎﺳﻲ ﺳﻴﺴﺘﻢ: روي back viewﺗﻨﻈﻴﻢ و ﺳﭙﺲ ﺳﻄﺢ ﭘﺸﺘﻲ را اﻧﺘﺨﺎب و ﭘﻮرت را ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻛﻨﻴﺪ Number of Mode .را از 1ﺑﻪ ﻣﻘﺪاري ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﺜﻼً 3اﻓﺰاﻳﺶ دﻫﻴﺪ. 8 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO << [email protected] << ﺷﺒﻴﻪ ﺳﺎزي Eigenmode Solver Parameter اﻳﻦ ﺷﻴﻮه در ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻬﺎي رزﻧﺎﻧﺲ و ﭘﺘﺮن ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ آﻧﻬﺎ ) (Eigenmodesﺑﺮاي ﺳﺎﺧﺘﺎرﻫﺎﻳﻲ ﺑﺪون ﻣﺮز ﺑﺎز ) (Open boundariesﺑﺎ ﺗﻠﻒ و ﺑﻲ ﺗﻠﻒ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻴﺸﻮد. در ﻣﺜﺎل ﻗﺒﻞ ﻣﻴﺨﻮاﻫﻴﻢ ﺑﺒﻴﻨﻴﻢ اﮔﺮ دو ﭘﻮرت در دو ﻃﺮف ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺖ ﺑﺎ روﻳﻪ ﻓﻠﺰي ﺷﻜﺎﻓﺪار ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻛﻨﻴﻢ ﻧﺤﻮه ﻛﻮﭘﻼژ ﻣﻴﺪان ﺑﻴﻦ دو ﭘﻮرت؛ ﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻴﺪان در ﻣﺴﻴﺮ اﻧﺘﺸﺎر و در ﺻﻔﺤﻪ ﺧﺎﺻﻲ ﭼﮕﻮﻧﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﺳﺖ. ﺗﺤﺮﻳﻚ Planewaveرا deleteﻣﻴﻜﻨﻴﻢ و دو ﭘﻮرت ﺑﻘﺮار زﻳﺮ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ: >> دﻗﺖ ﺷﻮد ﺑﻪ ﺟﺎي اﻳﻨﻜﻪ از Pick faceاﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﻴﻢ ﻣﺴﺘﻘﻴﻤﺎً ﭘﻮرت را ﺑﺎ اﻣﻜﺎن Freeو دادن ﻣﺨﺘﺼﺎت ﻣﺤﻞ اﺳﺘﻘﺮار ﺻﻔﺤﻪ ﭘﻮرت ﻛﻪ ﻳﻚ ﺻﻔﺤﻪ ) ، x=y=20mm, (20×20mm2در ﻣﻮﻗﻌﻴﺖ z=±10mmو ﺑﺎ ﭘﻼرﻳﺰاﺳﻴﻮن 90oﺑﺮاي ﺗﻌﺪاد ﻣﺪ 3ﺑﺮاي ﭘﻮرت 1و 2ﺑﺘﺮﺗﻴﺐ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻧﻤﻮدﻳﻢ. ﻣﺮز ﻣﺤﻴﻂ ﭘﻴﺮاﻣﻮﻧﻲ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﻛﻪ ﻣﻌﺎدل ﺑﺎﻛﺲ اﻧﺘﺸﺎري اﺳﺖ ﻛﻪ در HFSSدارﻳﻢ ﺑﺎ ﻛﻤﻚ Background Materialﺗﻨﻈﻴﻢ ﻣﻴﺸﻮد: 9 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] از ﺷﻜﻞ ﻣﻴﺒﻴﻨﻴﻢ Surrounding spaceرا ﻓﻀﺎي آزاد ) (Normalو ﺑﺎ Lower Z=5mmو Upper Z=10mmﺑﺘﺮﺗﻴﺐ ﺑﻪ ﻓﺎﺻﻠﻪ 5و 10ﻣﻴﻠﻲ ﻣﺘﺮي از ﭘﻮرﺗﻬﺎي 2و 1ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ. ﺗﻐﻴﻴﺮ دﻳﮕﺮ ﺑﺎﻳﺪ ﻛﻞ ﺳﻴﺴﺘﻢ داﺧﻞ ﻳﻚ ﻗﻔﺲ ﻓﺎرادي ﻗﺮار ﮔﻴﺮد ،ﻳﻌﻨﻲ ﻣﺮزﻫﺎ از openﺑﻪ Et=0ﺗﻐﻴﻴﺮ وﺿﻌﻴﺖ داده ﺷﻮﻧﺪ. ﺗﻨﻈﻴﻤﺎت ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ و Field Monitorﻫﻤﺎن Fieldو FarField/RCSﻟﺰوﻣﻲ ﺑﻪ وﻳﺮاﻳﺶ ﻧﺪارﻧﺪ. ﭘﺲ از ﻛﻠﻴﻚ !Eﭘﻨﺠﺮه آن ﺑﺎز ﺷﺪه ﻛﻪ ﻧﻈﻴﺮ ﺷﻜﻞ ﻓﻘﻂ ﻓﻌﻼ ﻣﻬﻢ ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺗﻌﺪاد ﻣﺪﻫﺎي اﻧﺘﺸﺎري اﺳﺖ ﻛﻪ ﻣﻴﺨﻮاﻫﻴﻢ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﺪ. >> ﭘﺲ از اﺟﺮاء ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﺪﻫﺎ ﺑﺎ ﻛﻠﻴﻚ روي ﻓﻮﻟﺪر eاز ﻓﻮﻟﺪر 1D/2D Results>Modeﺑﺮدارﻫﺎي ﻣﻴﺪان ﻧﻤﺎﻳﺶ داده ﻣﻴﺸﻮد ،ﺣﺘﻤﺎً ﺑﺎ ﻛﻠﻴﻚ راﺳﺖ روي ﻓﻮﻟﺪر eو اﻧﺘﺨﺎب اﻧﻴﻤﻴﺸﻦ ﺳﻌﻲ ﻛﻨﻴﺪ در ﺣﺎﻟﺖ maxاﻧﻴﻤﻴﺸﻦ را ﻣﺘﻮﻗﻒ ﻛﻨﻴﺪ زﻳﺮا اﮔﺮ درﺣﺎﻟﺖ ﺻﻔﺮ ﻣﺘﻮﻗﻒ ﺷﻮد ﻫﻴﭻ ﻣﻴﺪاﻧﻲ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻧﻤﻴﺸﻮد. ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻄﺤﻲ ﻧﻴﺰ ﺑﺮاي ﻫﺮ ﻣﺪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ و ﺑﺎ اﻧﺘﺨﺎب ﻓﻮﻟﺪر ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﻣﺸﺎﻫﺪه اﺳﺖ. 10 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] اﺳﺘﺨﺮاج ﮔﺰارﺷﻬﺎي ﺧﺎص : Postprocessing ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ از ﻧﺎﻣﺶ ﻣﺸﺨﺺ اﺳﺖ ﭘﺲ ﭘﺮدازش ﺑﺮ اﺳﺎس اﻃﻼﻋﺎت ﺑﺪﺳﺖ آﻣﺪه ﻣﻴﺪان ﻗﺎﺑﻞ ﺣﺼﻮل اﺳﺖ در اﻳﻨﺠﺎ ﭼﻨﺪ ﮔﺰارش ﻧﻤﻮداري و ﭼﻨﺪ ﮔﺰارش ﻋﺪدي را ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ: )اﻟﻒ( رﺳﻢ ﺑﺮدار ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در ﻳﻚ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﻌﻴﻦ • رﺳﻢ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در اﻣﺘﺪاد ﻣﺴﻴﺮ اﻧﺘﺸﺎر ﺑﺎ ﻛﻠﻴﻚ روي PostProcessingو اﻧﺘﺨﺎب ) Evaluate Field along arbitrary Coordinate(1D plotﭘﻨﺠﺮه ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ را ﺑﻘﺮار زﻳﺮ ﺗﻨﻈﻴﻢ ﺳﭙﺲ Evaluateﻛﻨﻴﺪ. >> ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻴﺸﻮ ﻫﻤﺎﻧﮕﻮﻧﻪ ﻛﻪ اﻧﺘﻈﺎر دارﻳﻢ ﻣﻮﻟﻔﻪ ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ Eyدر ﻃﻮل ﻣﺤﻮر zﻛﻪ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ ﭘﻮرت ﻓﺮﺳﺘﻨﺪه 1ﻣﻴﺪان ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺑﻮده و ﺑﻪ ﺷﻜﺎف ﻛﻪ ﻧﺰدﻳﻚ ﻣﻴﺸﻮد ﺑﻪ ﺳﺒﺐ وﺟﻮد ﻣﺮز ﻓﻠﺰ ﭘﻴﻚ دارﻳﻢ و در ﭘﺸﺖ ﺗﻨﻬﺎ ﻣﻮﻟﻔﻪ ﻛﻮﭘﻞ ﺷﺪه را ﺷﺎﻫﺪﻳﻢ. 11 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO • [email protected] رﺳﻢ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در اﻣﺘﺪاد ﻃﻮل ﺷﻜﺎف ﻳﺎ ﻫﻤﺎن ﻣﺤﻮر x ﻋﻴﻨﺎً ﺣﺎﻟﺖ ﻗﺒﻞ ﻣﻨﺘﻬﻲ اﻣﺘﺪاد را xﺗﻨﻈﻴﻢ و Evaluateﻣﻴﻜﻨﻴﻢ .ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻴﺸﻮد دﻗﻴﻘﺎً در ﺧﺎرج ﺷﻜﺎف ﭼﻮن ﻣﻴﺪان Eyﻣﻤﺎس ﺑﺮ ﻓﻠﺰ اﺳﺖ ﻟﺬا ﺻﻔﺮ ﺷﺪه و در ﻣﺮﻛﺰ ﺷﻜﺎف ﺣﺪاﻛﺜﺮ اﺳﺖ. >> )ب( ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻣﻴﺰان ﻛﻮﭘﻠﻴﻨﮓ ﭘﻨﺠﺮه ﺷﻜﺎف ﺑﺎ اﻧﺘﺨﺎب 3D Eigenmode Coupled Coeffecientو ﻛﻠﻴﻚ ﺑﺮ Evaluateﺣﺎﺻﻠﻪ زﻳﺮ valueﺛﺒﺖ ﻣﻴﺸﻮد. >> )ج( ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﻓﺖ ﻣﺴﻴﺮ ﺑﻴﻦ دو ﭘﻮرت از اﻧﺘﺨﺎب 3D eigenmode Resultﮔﺰﻳﻨﻪ Total Lossرا اﻧﺘﺨﺎب و ﻣﺪ اﻧﺘﺸﺎري ﻛﻪ ﻣﺪ ﻧﻈﺮﻣﺎن ﻫﺴﺖ ﻧﻴﺰ اﻧﺘﺨﺎب و ﺳﭙﺲ okﻛﺮده و ﻧﻬﺎﻳﺘﺎً Evaluateﻣﻴﻜﻨﻴﻢ. >> 12 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] ﺣﻞ ﺑﻪ ﺷﻴﻮه ﻣﻌﺎدﻻت اﻧﺘﮕﺮاﻟﻲ Integral Equation Solver اﻳﻦ ﺷﻴﻮه ﺣﻞ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ روﺷﻬﺎي دﻳﮕﺮ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺣﻮزه زﻣﺎن و ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ وﻳﮋﮔﻴﻬﺎﻳﻲ دارد و ﻫﻤﻴﻦ ﺳﺒﺐ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﻮدن روش در ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي زﻳﺮ ﮔﺮدﻳﺪه اﺳﺖ: • ﺷﺒﻴﻪ ﺳﺎزي ﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺰرگ، • ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ راداري ﺳﺮﻳﻊ ﺑﺎزاي ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻬﺎي ﻣﺘﻌﺪد، • ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﺎﺗﺮﻳﺲ اﺳﻜﺘﺮﻳﻨﮓ ،ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ، • ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و ﺟﺮﻳﺎﻧﻬﺎي ﺳﻄﺤﻲ و ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻣﻴﺪان دور و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ راداري .RCS در ﻣﺴﺎﻳﻠﻲ ﻧﻈﻴﺮ ﺑﺮرﺳﻲ رﻓﺘﺎر ﻣﺘﺎﻣﺎﺗﺮﻳﺎﻟﻬﺎ ﻛﻪ ﺗﻠﻔﻴﻘﻲ از دي اﻟﻜﺘﺮﻳﻚ و روﻳﻪ ﻓﻠﺰي ﺑﺎ ﻃﺮﺣﻬﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻳﻜﻲ از ﻣﻮاردي ﻛﻪ ﻻزم اﺳﺖ ﻣﺸﺨﺺ ﺷﻮد ﺿﺮﻳﺐ ﻋﺒﻮر آﻧﻬﺎﺳﺖ ﻛﻪ ﺑﺎ ﻣﺎﺗﺮﻳﺲ اﺳﻜﺘﺮﻳﻨﮓ ﻣﻌﺎدل S12و ﻳﺎ S21ﻣﻴﺒﺎﺷﺪ ﻛﻪ ﺑﺎ ﺗﻴﻮن ﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ ﻣﻴﺘﻮان ﺗﺸﺨﻴﺺ داد در ﻛﺠﺎي ﺑﺎﻧﺪ اﻳﻢ ﻣﺘﺎﻣﺎﺗﺮﻳﺎل ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻋﺒﻮر را ﺧﻮاﻫﺪ داﺷﺖ ﺑﺎ اﻳﻦ ﺣﻞ ﺿﻤﻦ اﻳﻨﻜﻪ ﻣﻴﺘﻮان رﻓﺘﺎر ﺳﻴﺴﺘﻢ اﻧﺘﻘﺎﻟﻲ ﭼﻨﻴﻦ ورﻗﻪ ﻫﺎي ﻣﺘﺎﻣﺎﺗﺮﻳﺎل را آﻧﺎﻟﻴﺰ ﻛﺮد ﻣﻴﺘﻮان ﺑﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻨﺎﺳﺐ Field Monitorﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي ﺳﻄﺤﻲ ﻣﺘﺎﻣﺎﺗﺮﻳﺎل ،ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي داﺧﻠﻲ و ﻋﺒﻮري ،ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي ﭘﻴﺮاﻣﻮﻧﻲ و ﺣﺘﻲ ﭘﺘﺮن ﺗﺸﻌﺸﻌﻲ ﺣﺎﺻﻠﻪ از ﺑﺮﺧﻮرد اﻧﺮژي ﭘﻮرت ﺑﻪ آﻧﻬﺎ را ﺑﻬﻤﺮاه ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻄﺤﻲ روي ﻗﻄﻌﺎت ﻓﻠﺰي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﻧﻤﻮد .اداﻣﻪ ﻣﺜﺎل ﺳﺎب اﺳﺘﺮﻳﺖ ﺑﺎ روﻳﻪ ﻓﻠﺰي ﺷﻜﺎﻓﺪار را ﺑﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ دو ﭘﻮرت در دو ﻃﺮف ﺳﻤﭙﻞ ﺑﻄﻮرﻳﻜﻪ ﺗﻨﻬﺎ ﻳﻚ ﭘﻮرت را ﻣﻨﺒﻊ ورودي ﺧﻮاﻫﻴﻢ ﮔﺮﻓﺖ ﭘﻲ ﻣﻴﮕﻴﺮﻳﻢ. اﻗﺪاﻣﺎت ﻣﻬﻢ: ﭼﻮن ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻣﺎ ﻳﻚ ﺳﻴﺴﺘﻢ openﻣﻴﺒﺎﺷﺪ و ﺑﺮاي ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﺎز ﻣﻨﺒﻊ ﻳﺎ ﺑﺎﻳﺪ plane waveﻳﺎ farfieldﺑﺎﺷﺪ و در ﻫﺮدو ﺣﺎﻟﺖ اﻣﻜﺎن ﺗﻌﺮﻳﻒ ورودي ﺧﺮوﺟﻲ و ﻣﺘﻌﺎﻗﺒﺎً وﻟﺘﺎژﻫﺎي ورودي-ﺧﺮوﺟﻲ ﻧﻴﺴﺖ و ﺗﻨﻬﺎ ﻳﻚ ﺗﺎﺑﻊ اﻓﺖ ﻣﺴﻴﺮ |F|dBﻣﺘﺼﻮر اﺳﺖ ﻟﺬا ﺑﺮاي ﻣﻤﻜﻦ ﺳﺎزي ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻣﺎﺗﺮﻳﺲ اﺳﻜﺘﺮﻳﻨﮓ در اﻳﻦ روش ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻻزم اﺳﺖ ﭘﻮرﺗﻬﺎ از ﻃﺮﻓﻴﻦ ﺑﻴﺮوﻧﻲ ﺑﺮ ﻻﻳﻪ ﻫﺎي ) PECرﺳﺎﻧﺎي ﻛﺎﻣﻞ( ﭼﺴﺒﻴﺪه ﺑﺎﺷﻨﺪ )ﮔﺎم اول(. >> ﺗﻨﻈﻴﻢ ﭘﻮرﺗﻬﺎ)ﻣﺜﻞ ﺳﺎﺑﻖ(: 13 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] ﻣﺮزﻫﺎي دﻳﻮاره ﻫﺎي ﻓﻠﺰي ﺑﻪ Et=0ﻳﺎ ﻫﻤﺎن ﻣﺮز اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ و ﺳﺎﻳﺮ ﻣﺮزﻫﺎي ﭘﺸﺘﻴﺒﺎﻧﻲ ﻧﺸﺪه ﺑﻄﻮر ﺧﻮدﻛﺎر ﺑﻪ Openﺗﻨﻈﻴﻢ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ .ﭼﻮن ﻣﺎ ﻣﻴﺨﻮﺗﻬﻴﻢ Farfieldرا ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻛﻨﻴﻢ ﻣﺮزﻫﺎي را ﻃﻮري ﮔﺮﻓﺘﻴﻢ ﻛﻪ دﻳﻮاره اي روي ﻓﻠﺰ ﻗﺮار ﻧﮕﻴﺮد ﻟﺬا اﺳﺘﺜﻨﺎﺋﺎً ) open(free spaceﮔﺮﻓﺘﻪ اﻳﻢ. ﺗﻨﻈﻴﻢ Field Monitor ﺑﺮاي داﺷﺘﻦ ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي ﺳﻄﺤﻲ ،ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻄﺤﻲ ﻳﻜﺒﺎر E-fieldو ﺑﺮاي داﺷﺘﻦ ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي ﺗﺸﻌﺸﻌﻲ Farfield/RCSرا ﺑﺮاي ﺑﺎر دوم ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ. >> ﺗﻨﻈﻴﻤﺎت Integral Equation Solver ﺑﺮاي ﺻﺮﻓﻪ ﺟﻮﻳﻲ در وﻗﺖ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻘﺎرن ﻣﺴﺎﻟﻪ و ﻣﺘﻌﺎﻗﺒﺎً ﺗﻘﺎرن ﻣﺎﺗﺮﻳﺲ ] [Sدو ﻧﻜﺘﻪ را رﻋﺎﻳﺖ ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ اول ﻣﻨﺒﻊ را ﻓﻘﻂ Port1ﻣﻴﮕﻴﺮﻳﻢ و دﻳﮕﺮ اﻳﻨﻜﻪ ﺗﻴﻚ Autoرا در ﺑﺨﺶ ﺗﻨﻈﻴﻤﺎت ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﺑﺮداﺷﺘﻪ و ﺗﻌﺪاد Sampleﻓﺮﻛﺎﻧﺴﻲ را 10ﻣﻴﮕﻴﺮﻳﻢ. 14 ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ CST MICROWAVE STUDIO [email protected] ﭘﺲ از اﺟﺮا ﻧﺘﺎﻳﺞ ﻣﺎﺗﺮﻳﺲ Sو ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﺷﺮح زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﺧﻮاﻫﺪ آﻣﺪ: اﻟﺒﺘﻪ ﻣﻴﺪاﻧﻴﻢ ﭼﻮن اﻳﻦ ﻣﺜﺎل ﺻﺮﻓﺎً ﺑﺪون ﻫﻴﭽﮕﻮﻧﻪ ﺑﻬﻴﻨﻪ ﺳﺎزي اراﻳﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ داده ﻫﺎ اﺻﻼً ﻗﺎﺑﻞ ﻗﺒﻮل ﻧﻴﺴﺖ و ﺑﺎﻳﺪ S11 ﺟﺎﻳﺶ ﺑﺎ S21ﻋﻮض ﮔﺮدد! 15 [email protected] CST MICROWAVE STUDIO ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ Phase 0deg Phase 45deg Phase 90deg Phase 180deg Farfield: Realized Gain 16 CST MICROWAVE STUDIO ﺗﺎﺑﺶ ﻣﻮج ﺻﻔﺤﻪ اي ﺑﻪ ﻳﻚ ﭘﻨﺠﺮه در ﻣﺤﻴﻂ [email protected] Farfield: E field >> Template Based Postprocessing>1D Results: Farfield (Single Freq.) 17
© Copyright 2024 ExpyDoc