Circuiterie des portes CMOS complémentaires Alain GUYOT TIM A DEA MICROÉLECTRONIQUE ((33) 04 76 57 46 16 : [email protected] http://tima-cmp.imag.fr/~guyot Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture. Unité associée au C.N.R.S. n° B0706 complémentaire 70 fonction logique But Passer d'une porte logique (ou d'un ensemble de portes) au dessin portes logiques réseau N Optimiser la surface en minimisant - le nombre de transistors - le nombre de vias et de contacts - le nombre d'arêtes de polygone réseau P Minimiser le temps de conception symbolique porte logique classique masque complémentaire 71 Abstraction logique +5V Discrétisation des tensions Valeur logique 1 } tolérance au bruit pris comme 0 par certaines portes et comme 1 par d'autres Valeur NON logique Valeur logique 0 0V } tolérance au bruit 0 0 1 1 Transistor N Transistor P Bloqué si grille = 0 Passant si grille = 1 Passant si grille = 0 Bloqué si grille = 1 complémentaire 72 Portes élémentaires en CMOS 5V p a p a n b p b n p p n 0V n n 0V +5 V 0 p p 1 n n 0V 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 complémentaire 73 Discrétisation du temps A 2,4 volt A B 2,6 volt portes de seuils logiques différents 0 1 ⇒ 2,5 volt B 0 1 fonctionnement non logique dispersion technologique ⇒ dispersion des seuils logiques dispersion technologique + bruits ⇒ tension sans image logique passage par tension non logique ⇒ incohérence circuit/fonction incohérence + délai des portes ⇒ incohérence temporaire incohérence temporaire ⇒ discrétisation du temps discrétisation du temps ⇒ horloge (synchrone ou autosynchrone) complémentaire 74 Comparaison logique/analogique Analogique Logique Précision limitée (techno) Précision arbitraire (# bits) Valeur approchée (±5%) Valeur exacte Logique infidèle fidélité absolue (pas de dérive) Compensations nécessaires pas de compensation Valeurs continues valeurs discrètes (bruit de quantification) Temps continu Temps discret (bruit d'échantillonnage) Silencieuse et sensible Bruyante et insensible Exemple: multiplieur de Gilbert (Mos en faible inversion) 14t Exemple: multiplieur 5x5 bits 550 transistors MOS bloqués/saturés complémentaire 75 4 vues d'une fonction logique V dd a s b ❶ métal poly diffusion Masque métré a p b p ❷ Logique V dd Electrique 0V a b b 0V 0V Masque symbolique ❸ s n V dd a ❹ n s s complémentaire 76 Portes logiques un peu plus complexes V dd V dd p p Réseau trans. P V dd p Sortie Entrées d Réseau trans. N c b a a p b p n n n n n n c d 0V 0V a b c d p p n n 0V p a b c d complémentaire 77 Réseau de transistors V dd Réseau trans. N Réseau trans. N 0V conduit si les 2 réseaux conduisent Réseau trans. N Sortie Entrées Réseau trans. P ET logique ie sér n e ux a e s 2 ré t i so soit 2 réseaux en parallèle soi t1 tran sist or Conduit si sa grille vaut 1 Réseau trans. N Réseau trans. N OU logique conduit si l'un ou l'autre (ou les deux) réseaux conduisent complémentaire 78 Conception des portes complexes (1) Equation logique ⇒ schéma électrique V dd Sortie Entrées Réseau trans. P Réseau trans. N Les transistors P sont utilisés pour tirer à 1 et les transistors N pour tirer à 0. Il n'y a pas de perte de seuil En conséquence les fonctions réalisables sont des fonctions DECROISSANTES 0V V dd n p des entrées. 0V Fonction identité qui ne marche pas complémentaire 79 Conception des portes complexes (2) conduit si f(E) conduit si ¬ f(E) 0V Sortie f(E) Entrées E V dd Un et un seul des deux réseaux N et P conduit à chaque instant. Ces réseaux sont logiquement complémentaires. Comme l'un est en transistor P et l'autre en transistor N, les réseaux N et P sont duaux. Les deux réseaux ont les mêmes entrées et le même nombre de transistors. V dd Réseau P Réseau P Réseau N Réseau N conduit conduit 0V haute impédance correctes court circuit complémentaire 80 Conception des portes complexes (3) a b Pour construire une porte complexe on construit en premier le réseau de transistors N, avec les règles: c d e V dd a ET - réseaux en série OU - réseaux en parallèle. b d Pour construire le réseau de transistors P on peut procéder de 3 façons: c 1 - croiser les règles ci dessous 2 - utiliser l'algèbre de Boole pour complémenter la fonction et procéder comme pour les N 3 - utiliser une méthode graphique pour tracer le dual du graphe N. e a b c d e V ss complémentaire 81 Conception des portes complexes (4) construction du dual Méthode 1: croiser les règles Règle pour le réseau N Vdd a b Règle pour le réseau P d c Méthode 2: complémenter Equation pour le réseau N e a b Equation pour le réseau P c d e V ss ET - transistors série OU - transistors parallèles. ET - transistors parallèle OU - transistors série F = (a ∧ b) ∨ c ∧ (d ∨ e) D F=( a ∨b ) ∧( c ∨d ∧e ) Se souvenir que N tire à la masse, donc l'équation doit être complémentée, et P conduit pour un 0 donc les variables doivent être complémentées complémentaire 82 Conception des portes complexes (5) construction du dual (suite) Méthode 1: construire le graphe dual Vdd a Graphes duaux: tout cycle de l'un est sommet de l'autre et réciproquement. Les arêtes externes sont les connexions à l'extérieur b F d c a c e d +5V F V dd a b c d e e b V ss 0V V ss complémentaire 83 Conception des portes complexes (6) amélioration électrique Raccourcir les chemins entre sortie et alimentation Minimiser la capacité parasite de sortie ∧b ∨ c ∧(a ∨b) f= a a b b a c a b Mettre plus près de la sortie les transistors activés le plus tard b f a b c c b a b a a b a a b a c b c a a b a c b c b c b a b a a b complémentaire 84 Conception des portes complexes (7) amélioration délai et consommation Dimensionner plus gros les transistors ayant une charge plus importante Affecter la charge capacitive la plus faible aux signaux les plus actifs Connecter les signaux les plus en retard prés de la sortie complémentaire 85 Variantes d'une fonction logique a b a a c a b b f a b c a b c b a b f b a b a b b c a a c c f a b complémentaire 86 Variantes d'un autre fonction a b c a b b d c c d b a b c f a c d d a d b f c d a complémentaire 87 Stratégies de dessin Aligner les diffusions d e c b Aligner les grilles a moins de coude, moins de contacts a moins de coude complémentaire 88 Diffusions alignées (1) Vdd a b Vdd b f b d c a a c c e e d d e f a b c d e Vss Vss f 1- Trouver tous les chemins décrivant chaque réseau passant une fois et une seule par toutes les branches (chemin de Euler) 2- Trouver un chemin parcourant les transistors dans le même ordre pour les deux réseaux 3- S'il n'existe pas de tel chemin, briser les réseaux et recommencer avec chaque bout. complémentaire 89 Diffusions alignées (2) a b c d V dd a b p p p p n n n n c d 0V Ces deux réalisations sont elles équivalentes ? complémentaire 90 Diffusions alignées (3) V dd V dd diff P diff N métal poly diffusion V ss V ss complémentaire 91 Diffusions alignées (4) V dd V dd diff P diff N métal poly diffusion V ss V ss complémentaire 92 Diffusions de plusieurs portes alignées a ⊕b V dd 0V métal a a b b ( a ∧ ( a ∧ b) ) ∧ ( b ∧ ( a ∧ b ) ) = a ∧ b ∨ a ∧ b = a ⊕ b poly diffusion complémentaire 93 Diffusions de plusieurs portes alignées a⊕b Vdd a≥ b 0V métal a a b b ( a ∧ ( a ∧ b)) ∧ ( b ∧ ( a ∧ b )) = a ∧ b ∨ a ∧ b = a ⊕ b poly diffusion complémentaire 94 Mise en commun de transistor a P c P a a N a Figure 1 N c Figure 2 Figure 3 Les 3 portes de la figure 1 contrôlent une paire de transistors pour en faire une porte 3 états. Le schéma à transistors est donné à la figure 2, les transistors à fusionner sont entourés d'un cartouche. La figure 3 est le résultat de cette fusion. complémentaire 95
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