Intitulé de Poste - Master Chimie Montpellier

Intitulé de Poste :
Ingénieur Intégration Mémoires avancées.
Service : Service Composants Micro Electroniques du département des composants silicium du CEALETI (DCOS / SCME) Laboratoire des Composants Mémoires (LCM).
Enjeux du poste :
Support au développement et intégration de mémoires non volatiles avancées pour le nœud 28nm
Description des activités du CEA-LETI sur les technologies Mémoires
Laboratoire du CEA implanté à Grenoble, le LETI (Laboratoire d’Electronique et Technologie de
l’Information) est l’un des principaux centres européens de recherche appliquée en électronique.
Interlocuteur privilégié du monde industriel, 200 partenaires et 350 contrats par an, le LETI a suscité
la création de près de 30 start-ups de haute technologie, dont SOITEC, leader mondial du silicium sur
isolant. Il dépose environ 180 brevets par an et gère un portefeuille de 1 000 inventions protégées
par des brevets. Les principaux domaines d’activité sont les micro et nanotechnologies pour la
microélectronique, les technologies, conception et intégration des microsystèmes, les technologies
d’imagerie, les micro et nanotechnologies pour la biologie et la santé et les technologies de
communication et objets nomades. Il dispose de 11 000 m² de salles blanches, d’un parc
d’équipement d’une valeur de 200 M€ et investit plus de 40 M€ par an en nouvelles machines.
Le LETI a acquis durant ces 20 dernières années une forte expertise dans le domaine des dispositifs
électroniques de type Mémoires Non Volatiles (MVN). Ses travaux de R&D dans ce domaine couvrent
tout aussi bien l’amélioration des technologies matures industrielles de mémoires dites « Flash »
(stockage discret de l’information avec nanocristaux de silicium ou nitrure de silicium (TANOS),
FinFlash, 3D, Splitgate), que le développement de technologies de rupture telles que les mémoires
résistives à base de matériaux à changement de phase (PCRAM), d’oxydes métalliques (OxRAM), de
conducteurs ioniques (CBRAM), mémoires magnétiques (MRAM), ou de polymères organiques
(PoRRAM).
Les principaux domaines d’expertise du LETI concernent la science des matériaux, l’intégration de
modules technologiques, la caractérisation physico-chimique, la caractérisation électrique des
dispositifs, la modélisation physique et la simulation au niveau de la cellule mémoire (bit
élémentaire), jusqu’à la conception de circuits innovants basés sur ces nouvelles technologies.
Au cours de ces 5 dernières années, le LETI a publié plus de 250 articles dans des journaux et
conférences internationales. Le portefeuille de brevets inclut plus de 50 brevets concernant le design
et la technologie des mémoires.
De plus, le LETI a également développé de fortes collaborations avec différents partenaires
académiques internationaux et participe à de nombreux projets institutionnels ou industriels dans le
domaine des mémoires non volatiles avancées.
Dans le cadre de projets bilatéraux avec des industriels, le LETI a développé et transféré des solutions
innovatrices pour l’amélioration des dispositifs mémoires, en réalisant en avance de phase des
développements critiques, permettant ainsi de résoudre certains problèmes liés à l’introduction
directe de nouveaux matériaux dans les lignes pilotes industrielles.
L’étude de nouveaux matériaux et/ou briques technologiques critiques est habituellement réalisée
sur des structures de test au LETI (bit élémentaire), puis la validation des meilleures solutions est
faite sur des véhicules de test ou produits industriels au travers d’échanges de plaques.
Dans les prochaines années, les principaux objectifs concernant l’activité mémoire au LETI seront
axés sur :
- La recherche de solutions évolutives pour permettre autant que possible la réduction des
dimensions des mémoires Flash actuelles (vers le nœud 28 nm), tout en conservant de
-
bonnes performances en terme de consommation et fiabilité, en étant compatible avec la
partie logique CMOS avancée, et pour un coût limité ;
L’étude de solutions en rupture : le LETI travaille en parallèle sur les mémoires « back-end »
résistives (RRAMs) pour accélérer l’entrée de ces nouvelles technologies mémoires
émergentes sur différents marchés. Cela passe par une étude approfondie des différents
matériaux, l’introduction de nouveaux procédés/équipements de fabrication, et une analyse
détaillée des performances et de la fiabilité de ces mémoires.
Durée et description du poste :
Le poste est proposé sur une durée totale de 18 mois (durée initiale du contrat de 9 mois avec
possibilité de renouvellement de 9 mois supplémentaires). Il comporte deux volets :
- support à l’optimisation d’une filière industrielle de mémoires embarquées non volatiles Flash à
grille flottante (mémoires Front-end)
- développement de mémoires résistives avancées (mémoires Back-end).
Au sein du laboratoire, l’ingénieur Intégration Mémoire sera rattaché à une équipe en place
travaillant sur le développement de ces mémoires avancées. En liaison directe avec les responsables
projet, les experts technologiques et les services opérationnels, vos missions seront donc de:
- Participer à la définition des empilements technologiques (élaboration de carnet de lot) et au suivi
de fabrication pour la réalisation de ces structures mémoires
- Analyser les données du test paramétrique et réaliser des tests électriques manuels simples
- Optimiser les performances des dispositifs existants : proposition d’amélioration du procédé de
fabrication (intégration de nouveaux matériaux, impact des variations du procédé sur les
performances électriques…)
Il travaillera en collaboration avec les experts procédés, matériaux… de la plateforme technologique
du LETI et en s’appuyant sur les infrastructures de caractérisations électriques et physico-chimiques.
Profil :
De formation BAC+5 à BAC+8 (Physique, Micro-électronique) avec idéalement une expérience de 2 à
5 ans sur le fonctionnement/intégration technologique des dispositifs Mémoires avancées non
volatiles.
Compétences et connaissances :
o Physique des semi-conducteurs, composants CMOS et mémoires non volatiles (Flash)
o Intégration technologique
o Tests électriques
o Anglais
Aptitudes personnelles attendues :
Capacité d’analyse et de compréhension ; Rigueur et autonomie ; Communication ; Esprit d’équipe
Contacts:
C. Jahan
17, rue des Martyrs,
38054 Grenoble
[email protected]
J-F Nodin
17, rue des Martyrs,
38054 Grenoble
[email protected]

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