J N R D M 2 0 1 4 2 6 - 2 7 - 2 8 M A I 2 0 1 4 Cité Scientifique - CS20048 59651 Villeneuve d'Ascq Cedex France S O M M A I R E PRÉSENTATION 3 PROGRAMME 4 ACTIVITÉS PARALLÈLES 5 PARTICIPANTS SESSIONS ORALES 6 PARTICIPANTS SESSIONS POSTERS 8 RÉSUMÉS KEYNOTES 15 COMITÉ D’ORGANISATION 19 COMITÉ DE LECTURE 20 21 PARTENAIRES PRÉSENTATION THÉMATIQUES ! Nanostructures pour l’électronique, technologies CMOS et technologies émergentes! ! ! ! Microélectronique organique, tout plastique et graphène ! Microélectronique de puissance ! Mémoires, spintronique ! Composants passifs! Dispositifs pour applications millimétriques et térahertz! ! ! ! Micro-capteurs, micro/nanosystèmes et micro-dispositifs pour la chimie et la biologie ! ! Conception/test de circuits intégrés et niveau système, system-on-chip ! ! ! Caractérisation, fiabilité et analyse de défaillance ! Optoélectronique, photonique et plasmonique ! Systèmes de communication, C’est dans le cadre du fort développement de la microélectronique et des nanotechnologies que s’est créé en 1998 le Réseau Doctoral Européen en MicroNanoélectronique (RDEMN). C e ré s e a u , s o u t e n u p a r l e M i n i s t è re d e l’Éducation Nationale, de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche, est géré par des doctorants et des responsables permanents du Comité national de Formation en Microélectronique (CNFM). Depuis sa création, le réseau soutient l’organisation des Jour nées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) qui se déroulent chaque année pendant trois jours. L’originalité de cette conférence réside dans le fait que son comité de pilotage est uniquement composé de doctorants. Les JNRDM sont l’évènement majeur annuel du RDEMN. Cette manifestation est ouverte à l’ensemble des acteurs de la communauté scientifique en micronanoélectronique. Packaging et structures 3D ! ! identification et localisation (RFID, réseau de capteurs) Pour la 17 ème édition, 150 intervenants sont attendus et les sessions seront accessibles à tout public. Les JNRDM offrent la possibilité d’échanger des idées nouvelles et de se tenir informé(e) des avancements les plus récents sur les thématiques actuelles de recherche en micro-nanoélectronique. Le comité d’organisation! JNRDM 2014 !3 P R O G R A M M E J N R D M 2 0 1 4 L I L L E Lundi 26 mai Mardi 27 mai 8h00-8h30 Accueil Accueil 8h30-9h00 Session d’ouverture: L. BUCHAILLOT, A. CAZARRE et T. LASRI Keynote C. GAQUIERE MC2 Technologies Keynote K. SEGUENI DelfMEMS 9h00-9h30 Keynote M. ROCCHI OMMIC Keynote A. CAPPY IRCICA Accueil 9h30-10h30 Session Orale 1 Session Orale 5 Session Orale 8 10h30-11h00 Mercredi 28 mai Pause-café + Session Poster 10h30-11h30 Session Poster 1 + Stands entreprises Session Poster 3 + Stands entreprises Session Poster 4+ Stands entreprises 11h30-12h30 Session Orale 2 Session Orale 6 Conclusion des journées 12h30-14h00 Déjeuner 14h00-14h30 Keynote S. DELAGE III-V Lab Keynote O. BONNAUD CNFM 14h30-15h30 Session Orale 3 Session Orale 7 15h30-16h30 Session Orale 4 16h30-17h00 Pause-café + Session Poster 16h30-17h30 Session Poster 2 + Stands entreprises 17h30-18h30 Cocktail 19h30-nuit Fin des JNRDM Sortie culturelle jusqu’à 18h00 Gala !4 ACTIVITÉS PARALLÈLES L’activité culturelle et le gala JNRDM 2014 se dérouleront à Lille le mardi 27 mai. ACTIVITÉ CULTURELLE : LE DÉFI CITADELLE ! Venez participer au jeu de piste en plein cœur de la citadelle lilloise : au cours de cette animation, vous devez vous orienter à l’intérieur et aux alentours du célèbre monument et de son bois, et défiez le temps… Vous devez relever 2 épreuves : ‣ ‣ Une partie orientation pédestre : muni d’une carte vous vous orientez à l’intérieur et aux alentours du célèbre monument et de son bois. Une partie orientation canoë, cette foisci sur l’eau : Par équipe en canoë biplace vous vous repérez sur la Deûle e t ré c u p é re z l e s i n d i c e s s i t u é s e n bordure. L e s i n d i c e s v o u s p e r m e t t e n t d e ré p o n d re correctement à un maximum de questions, et cumuler le plus de points pour ainsi remporter la partie. Au cours de ce périple vous traversez une exposition, grimpez à bord d’une péniche, escaladez une mini falaise, « remontez du gros » et repar tez inévitablement incollable sur la citadelle Vauban, son histoire et ses secrets les mieux gardés. U n e a v e n t u re s p o r t i v e e t c u l t u re l l e o ù l a stratégie, l’esprit d’initiative, et la coopération seront de mise SOIRÉE DE GAL A Après l’effort, le réconfort ! Afin de reprendre des forces et de se détendre après notre super activité culturelle et sportive, nous vous proposons d’assister à notre Gala qui se tiendra à l’Odéon (www.odeon-lille.fr) rue de Puebla dans le centre ville de Lille , un lieu c h a r m a n t , c h a l e u re u x e t h a u t e n c o u l e u r s privatisé pour l’occasion. Vous y attendront un cocktail de bienvenue ainsi qu’un buffet qui vous fera découvrir les spécialités culinaires de notre région. Vous pourrez également admirer la collection d’instruments mécaniques que possède cet établissement atypique, le tout dans une ambiance joyeuse et festive où musique et danse de tous horizons seront au rendez-vous. Alors gardez un peu d’énergie pour vous bouger sur le dancefloor ! !5 P A R T I C I P A N T S Session orale 1 : lundi 26 mai Session orale 2 : lundi 26 mai Session orale 4 : lundi 26 mai O R A L E S NOM Prénom Titre 9h30-9h45 RODER Raphaël Comportement électrique des composants de puissance à semi-conducteur de type IGBT et MOSFET à 200°C 9h45-10h00 EL-ZAMMAR Georgio Etude de protection du GaN 10h00-10h15 CANDERLE Elodie Variation des paramètres d’un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connections métalliques 10h15-10h30 KARISHY Slyman Plasmonic Diodes THz Response to Impulse Train and Stochastic Optical Excitations 11h30-11h45 SU Li Design new logic gate based on spin-current injection and detection in graphene 11h45-12h00 VINCENT Adrien Utilisation de mémoires magnétiques à transfert de spin comme synapses memristives stochastiques 12h00-12h15 QUACH Patrick Photodétecteurs à cascade quantique en GaN/AlGaN fonctionnant à λ=1.55 µm avec une bande passante autour de ~40 GHz 12h15-12h30 ODEN Jonathan Caractérisation large bande de détecteurs de puissance en régime térahertz Nicolas Oxydation locale d’une couche de titane par AFM pour la réalisation de composants monoélectroniques: étude paramétrée de différents modes et types de pointes Maria Croissance localisée d’InAs par épitaxie par jets moléculaires 15h00-15h15 SEGOVIA MERA Alejandro Propriétés ferroélectriques et thermodynamiques de suspensions de nanoparticules de Sn2P2S6 dans un cristal liquide ferroélectrique 15h15-15h30 MENNAI Amine Caractéristiques électriques de dispositifs MIM intégrant un film mince de dioxyde de vanadium 15h30-15h45 PARAGUA Carlos Un Circuit Equivalent des CNT Imprimés par Jet d’Encre sur Papier 15h45-16h00 WEI Wei Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radiofrequency applications 16h00-16h15 BORREL Julien Nouvelle technologie de contact pour CMOS FD-SOI 10nm et en deçà le contact dipolaire 16h15-16h30 TOMASEVIC Veljko 14h30-14h45 GUILLAUME Session orale 3 : lundi 26 mai S E S S I O N S 14h45-15h00 FAHED Microélectronique de puissance Dispositifs pour applications millimétriques et térahertz Spintronique Optoélectronique, photonique et plasmonique Nanostructures pour l’électronique, technologies CMOS et technologies émergentes Microélectronique organique, tout plastique et graphène Nanostructures pour l’électronique, technologies Conception d’un système de mesure sur puce CMOS et dédié à l’étude de l'activation des structures technologies parasites bipolaires dans les circuits intégrés émergentes de type «SMART POWER» !6 NOM Prénom Titre Yann Influence du nombre d’alimentations sur la susceptibilité des microcontrôleurs aux essais d’immunité aux transitoires électriques rapides en salves Benjamin Automatisation de la vérification du réseau ESD sur silicium : un enjeu majeur pour les circuits intégrés en technologies CMOS avancées Sijia Microscopie Champ Proche Micro-ondes pour la Caractérisation de Liquides 10h15-10h30 BRIDIER Vincent Mesure non linéaire dédiée aux amplificateurs de puissance radar excité par un train de pulses non périodique avec un NVNA basé sur des mélangeurs 11h30-11h45 BOURGE Alban Méthode de sélection de checkpoint matériel avec outil de synthèse de haut niveau 11h45-12h00 FADHUILE François Méthodologie de Conception d’Amplificateur Faible Bruit RF basée sur le Facteur de Mérite et le Coefficient d’Inversion Mostafa Implementation of NISC-based flexible architecture for MIMO MMSE-IC turboequalization 12h15-12h30 GARCI Maroua Modélisation compacte et simulation électrothermique de l’effet des porteurs chauds dans les transistors MOS 14h30-14h45 HAMDAOUI Sana Conception d’un micro capteur colorimétrique pour la détection des allergènes Yannick Réalisation de capteurs de pression sur substrat souple en technologie basse température (<200°C) François Génération d’un interposeur pour surface tactile vibrante pour rendu haptique Dino A study about wire-bonds for RF Energy Harvesting applications 9h30-9h45 Session orale 5 : mardi 27 mai 9h45-10h00 BACHER VIALE 10h00-10h15 GU Session orale 6 : mardi 27 12h00-12h15 RIZK mai Session orale 7 : 14h45-15h00 KERVRAN mardi 27 mai 15h00-15h15 BERNARD 9h30-9h45 MICHELON Session 9h45-10h00 IGUAL-PEREZ Roman orale 8 : merc. 28 10h00-10h15 VEYRAC Yoan mai 10h15-10h30 SADOUDI Laid Experimentation and modeling of node energy consumption in wireless sensor networks Un émetteur radio logicielle intégrale: la pompe de Riemann Contribution au développement d'un réseau sans fil pour le Contrôle Santé Intégré (CSI) des structures Caractérisation, fiabilité et analyse de défaillance Conception/test de circuits intégrés et niveau système, systemon-chip Micro-capteurs, micro/nanosystèmes et micro-dispositifs pour la chimie et la biologie (laboratoire sur puce) Systèmes de communication, identification et localisation (RFID, réseau de capteurs, …) !7 P A R T I C I P A N T S NOM Prénom Titre DOGMUS Ezgi Characterization of InxGa1-xN/GaN MQWs heterostructures for solar cells applications ALSHEHRI Bandar Optical properties of nanoporous Gallium Nitride for photonic applications VU Thi Nhungh Composants optoélectroniques à faible consommation en III-V sur silicium XU Wei A novel fabrication process of self-aligned vertical comb-drive actuators for optical MEMS application ABDALLAH Zeina Modélisation non-linéaire de photodiodes hyperfréquences NAA Christian Room temperature magnetoresistance of La0.7Sr0.3MnO3 nanoparticles synthesized by solgel method ABBES Omar Formation des phases Mn-Ge pour des applications de la spintronique Erya Low Power Magnetic Full-Adder based on Spin Transfer Torque MRAM You High compatibility compact model of stochastic Spin transfer torque(STT) in perpendicular magnetic anisotropy MTJ for reliability analysis Léon Thierry Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur Silicium Nicolas Combinaison d’une polarisation élevée et d’une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si FEVRE Angélique Formation de silicium poreux par injection dans du silicium faiblement dopé n pour l’isolation de composants de puissance OHEIX Thomas Gravure par faisceau d’ion pour la réalisation de diodes pseudo-vertical intégrées sur nitrure de gallium PHULPIN Tanguy Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de Single Event Burnout DINH Thi Ty Mai Elaboration des micro-condensateurs électrochimiques intégrés sur silicium pour le stockage de l’énergie électrique BENYAHYA Nawal Caractérisation et simulation électriques des transistors HEMTs à base d’InAlN MORENO Gabriel Microscopie champ proche aux fréquences THz JIN Chong GaN Schottky Varactor Diodes Based Phase-Shifter DENG Session poster WANG 1: !! S E S S I O N S OKALA lundi 26 mai 10h30- HERBECQ 11h30 P O S T E R S Thématique Optoélectronique, photonique et plasmonique Spintronique Microélectronique de puissance Dispositifs pour applications millimétriques et térahertz !8 NOM Prénom Titre GUEMRI Rabiaa Génération optique de signaux millimétriques à base de modulateurs de phase optiques sans filtrage optique ou RF et sans polarisation électrique D'ESPOSITO Rosario A model for the characterization of mutual thermal coupling in transient operation for multifinger SiGe HBTs PHILIPPE Justine Intégration hétérogène de systèmes communicants CMOS-SOI en gamme millimétrique KHENISSA Mohamed Salah Transistors à Effet de Champ à Base du Graphène sur SiC avec grille en T : Homogénéité et Performances AL-NAFIEY Amer Green synthesis of reduced graphene oxide-silver nanoparticles using environmentally friendly arginine JIJIE Roxana Copolymerization of ethylene glycol with styrene: synthesis, characterization and stability in biological media SKANDRANI Nadia Formulation de nanocapsules lipidiques cationiques pour la vectorisation d’ADN DENG Chenxing Raman Spectroscopy Study of He+ Ion Irradiation Effect in Graphene Transferred onto SiO2 DU Yu Fabrication and characterization of 2D phononic crystals based on Lithium Niobate substrate and Nickel pillars DING Xiaokun Characterization of Multi-layered Nanopore Structure KUMAR Vinay InAs based Esaki Tunnel Diodes LACATENA Valeria Phononic Crystals patterning by e-beam lithography “Dots on the fly” methodology for integration into thermoelectric energy converters MUGNY Gabriel Image and many-body effects in ultra-thin gate insulator MOSFET and their influence on gate leakage current LIN Yaochen Caractérisation diélectrique d’un cristal liquide nématique en vue d’élaboration de colloïdes à base de nanoparticules ferroélectriques Session poster 2: ! lundi 26 mai 16h30- 17h30 KACZMAREK Jean Thématique Dispositifs pour applications millimétriques et térahertz Microélectronique organique, tout plastique et graphène Nanostructures pour l’électronique, technologies CMOS et technologies émergentes Caractérisation d'un cristal liquide ferroélectrique dopé par un dérivé azobenzene photo-sensible !9 NOM Prénom Titre NGUYEN MaiChung Conduction gap in unstrained/strained graphene junctions: direction dependence GHEGIN Elodie Contacts omhiques à faible budget thermique sur n-InP et p-InGaAs MEBARKI Mokrane Role of the mask on contact etching at the 20 nm node MEBIENE- ENGOHANG Armel- Petit Assessment of the optics carbonaceous contamination induced by CAR outgassing in multi e-beams lithography tools Mathilde Intégration de semi-conducteurs III-V comme canal haute mobilité dans les nMOSFETs Maria An approach to the passivation breakthrough during silicon plasma etching with a hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) mask Session poster BILLAUD 2: ! lundi 26 mai 16h30- RIZQUEZ 17h30 Thématique Nanostructures pour l’électronique, technologies CMOS et technologies émergentes Ordered arrays of gold catalysts by BENKOUIDER Abdelmalek focused ion beam patterning assisted dewetting Meher Fabrication of large-scale arrays of Sibased nanocrystals via thin film dewetting INNOCENTI Jordan Amélioration de la consommation dynamique en technologie « CMOS 80 nm embedded Flash » par l’amélioration de la performance des dispositifs basse tension DENG Marina Caractérisation en bruit hyperfréquences de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C avancés jusque 170 GHz Session poster MAHJOUB 3: Meriam Implementation and experimentation of realtime behavioural framework for the evaluation of security threats in Cloud Computing environment mardi 27 mai MOUNKAILA 10h3011h30 Mahamadou Spectroscopie d’impédance électrique des composites à fibre de carbone pour la réalisation des structures intelligentes Mickael Méthodologie d’extraction des paramètres mécaniques des matériaux de brasure afin de réaliser des simulations précises d’assemblages de composants montés en surface NAFFOUTI ! POCHERON Caractérisation, fiabilité et analyse de défaillance !10 NOM Prénom Titre CHIBANI Kais Analyse de criticité des registres dans un microprocesseur SPARC ANDEE Yogadissen Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4ports CARDENAS Jose Design and Implementation of Digital Modulation Schemes BASK-PSK-FSK using an FPGA Board FIGUEROA TORRES Cruz Angel Design and construction of an electronic impedance tuner with application in the noise characterization of microwave transistors Anastasia Fabrication of magnetoelastic bragg reflectors for surface acoustic wave applications and investigation of its tuning with constant magnetic field Mohamed Conception, réalisation et test d’un microcapteur de pression Pirani pour un fonctionnement au voisinage de la pression atmosphérique Sergey Deformation of droplets with magnetic nanoparticles in a rotating magnetic field Sergey Band Gap Formation and Elastic Wave Transmission in Two-Dimentional Surface Phononic Crystal Yulia Ultrasonic tomography reconstruction of phase objects by a multi-channel scanning system PERRET Grégoire Méthodes expérimentales et théoriques dans la biomécanique de dégradation de l'ADN sous rayonnement pour le traitement optimisé des tumeurs EL ROMH Mohamad Ali Elaboration et caractérisation de films épais de titanate de baryum dopé pour la détection de gaz KHANAL Manakamana Phenylboronic acid-modified nanodiamond: Potential antiviral therapeutics OSBERGER Laurent Etude de la technique du courant tournant pour la réduction du bruit en 1/f des capteurs à effet Hall verticaux par simulation FEM PAVLOVA MOUTAOUKEIL Session poster KOSHELYUK 3: ! mardi YANKIN 27 mai 10h30- 11h30 KUTLUBAEVA Thématique Caractérisation, fiabilité et analyse de défaillance Micro-capteurs, micro/nanosystèmes et micro-dispositifs pour la chimie et la biologie (laboratoire sur puce) !11 NOM Prénom Titre LE BORGNE Brice Développement de nano-capteurs à base de nanofils et de nanorubans de silicium polycristallin DONERO Laetitia Micro capteur nano-fonctionnalisé pour la détection biologique MASILAMANY Gayathri Implémentation d’une sonde radiofréquences sans contact pour la caractérisation diélectrique de tissus biologiques LEHEE Guillaume Modélisation des pertes thermoélastiques d'une poutre résonante en silicium intégrant une détection du mouvement par nanojauges COTTANCE Myline Micro et nano-technologies pour améliorer la fabrication des implants rétiniens Aliki- Theodora Development of an electrochemical microsensor based on algal metabolism for the detection of water pollutants Sami MOEMS polymère pour l’optique adaptative sur diodes VCSELs Loïc Conception et réalisation d’une biopuce pour la surveillance de la qualité de l’eau. Comparaison de deux méthodes de mesure, optode et résazurine BOUDJIET Mohand- Tayeb Etude de l’influence de la géométrie des structures sur la sensibilité des capteurs de masse volumique de gaz à base de micropoutres en silicium NAIMI Aiteb Expérimentations de microjauges de déformation réalisées par microfabrication sur des aiguilles médicales YUAN Xichen Electrokinetic Protein Preconcentration Using a Simple and Rapid Prototyping Glass/Tape Based Microstructures BELHAJ Mohamed Moez Lignes de transmission imprimées pour les applications RF jusqu’à 67 GHz Adrien Caractérisation électrique d’une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW Session poster TSOPELA 3: ! mardi ABADA 27 mai 10h30- 11h30 RECOULES Session poster CUTIVET 4: ! merc. 28 mai 10h30- GHALEM 11h30 PASTRE Thématique Micro-capteurs, micro/nanosystèmes et micro-dispositifs pour la chimie et la biologie (laboratoire sur puce) Composants passifs Areski Conception d’un filtre accordable à partir de films minces ferroélectriques Aymeric Contrôle de la porosité dans des films d’or pour des micro- supercondensateurs !12 NOM Prénom Titre MALASS Imane Conception d’un Caméra à balayage de fente intégré basé sur un système de comptage de photon unique résolu dans le temps HEIL Mickael Mécanisme auto-organisé de tolérance aux fautes pour MPSoC reconfigurable communicant en réseau WANG Xusheng A novel peak detector for synchronous capacitor resonant converter WANG Xusheng An novel automatically gain control amplifier with simple structure PONTIE Simon Architecture d’un crypto processeur ECC sécurisé contre les attaques physiques PAWLIK Matthieu Impact du recuit d’activation sur la passivation par Al2O3 du silicium type p Cz Session GIUDICELLI poster 4 : Emmanuel merc. 28 mai 10h30- 11h30 Technologie et processus de fabrication de cellules photovoltaïques à base de matériaux antimoniures (III-Sb) pour applications aux fortes et très fortes concentrations solaires LA BARBERA Selina Atomic Switch: synaptic functionalities and integration strategies WANG Zhaohao Compact Modelling of Ferroelectric Tunnel Memristor SAADI Mohamed Caractérisation électrique de HfO2 pour la réalisation des mémoires non volatiles de type CBRAM CARDENAS Jose Flexible system based on PA models with memory as Wiener, Hammerstein and MPM REBORA Charles Fabrication et caractérisation de mémoires de type ECM basées sur un électrolyte solide de Ge2Sb2Te5 Jonathan La consommation énergétique, un enjeu majeur des mémoires non volatiles embarquées adressant des applications sans fils ! ! BARTOLI Thématique Conception/test de circuits intégrés et niveau système, system-on-chip Optoélectronique, photonique et plasmonique Mémoires !13 NOM ! Prénom Titre Thématique WANG Fei Caractérisation quantitative des capacité sous échelle de 10 nm avec un Interférométrique Scanning-Microwave-Microscopie Nanostructures pour l’électronique, technologies CMOS et technologies émergentes BOUCHAALA Afef Modélisation anticipée du boîtier avec les lignes microruban multi-couches NGOHO MOUNGOHO Stéphane Samuel Packaging d'un modulateur électro-optique pour des communications à haut débit CHEVAL Kévin Elaboration de circuits imprimés 3D sur polymère (MID) par microtamponnage pour la plastronique BELISARIO Andres Réseaux des capteurs pour l’estimation et caractérisations des endommagements de structures hétérogènes renforcés par matériaux composites : cas d’étude pour une structure en béton appliquée à la SHM – Structural Health Monitoring HAMOUDA Zahir Contribution à la réalisation d’antennes patch à partir de polyaniline chargée de nanotubes de carbone YAN Xin Robust receiver in impulsive noise ABBADI Amal Antennes Patch enfouis dans le béton BOUASSIDA Nassim Un émetteur radio logicielle intégrale à base de recombinaison d'harmonique Session poster 4: ! merc. 28 mai 10h30- 11h30 Packaging et structures 3D Systèmes de communication, identification et localisation (RFID, réseau de capteurs, …) !14 R É S U M É S K E Y N O T E S Lundi 26 MAI - 14h00 à 14h30 KEYNOTE S. DELAGE Développement des composants III-V pour les applications d’électronique rapide et analogique hyperfréquence Sylvain Delage III-VLab Route de Nozay, 91460 Marcoussis [email protected] ! Créé depuis 10 ans, le III-VLab, groupement d’intérêt économique regroupant Thales, AlcatelLucent et le CEA, est chargé de développer des composants à base de matériaux semiconducteurs pour les applications d’optoélectronique, d’imagerie infrarouge, d’électronique rapide et hyperfréquence. ! Les développements en microélectronique sont dans la majorité des cas adossés à la société franco-allemand UMS, fondeur européen de composants hyperfréquences III-V, qui est une joint venture entre Thales et Airbus Industrie. Les liens unissant III-VLab et UMS permettent une industrialisation naturelle des résultats de la recherche & développement. Actuellement UMS est le leader mondial des radars pour automobile avec des quantités dépassant la quinzaine de millions de radars par an. Il est également un leader européen des composants et circuits pour des applications professionnelles en télécommunication et pour la défense. Réputés comme des composants adaptés à des marchés de niche, ils n’en demeurent pas moins irremplaçables pour des applications exigeantes et critiques. ! La présentation abordera les points forts des technologies III-V pour les applications électroniques. Les développements technologiques et en conception des transistors bipolaires à hétérojonction InP seront présentés pour les applications en électronique analogiquenumérique rapide nécessaires en bout de fibre (amplificateur transimpédance, remise en forme des signaux, etc…) et cela avec des débits dépassant les 100Gb/s. Le second domaine d’excellence étudié par le III-VLab concerne les transistors hyperfréquences à base de GaN et quelques réalisations seront présentées et la bande S à la bande Ka, voire au delà. !15 Mardi 27 MAI - 8h30 à 8h45 KEYNOTE C. GAQUIERE Présentation de l’entreprise MC2 Technologies Christophe Gaquiere MC2 Technologies 5 rue du Colibi 59650 Villeneuve d'Ascq Cedex [email protected] ! MC2-Technologies is a center of characterisation, modelling and design of microwave components and systems. The company presents three complementary activities in constant progress since its creation: The first one concerns the microwave characterisation, modelling and design services to private or public companies, the second one is dedicated to the manufacturing of microwave products including characterisation setups, and the last one concerns the development of innovative microwave products for security applications. !16 Mardi 27 MAI - 9h00 à 9h30 KEYNOTE A. CAPPY Traitement de l’information : il devient urgent d’entrer dans l’ère post CMOS ! Alain Cappy IRCICA-USR 3380 Parc Scientifique de la Haute Borne 50 Avenue Halley BP 70478 59658 Villeneuve d'Ascq Cedex [email protected] L’efficacité énergétique devient le critère essentiel des technologies de traitement de l’information. C’est en effet pour des raisons énergétiques que les règles de changement d’échelle (R. Dennard, 1974) qui ont guidé l’évolution de la micro-nanoélectronique pendant près de 40 ans ne peuvent plus être appliquées aujourd’hui. Les conséquences de ce changement sont multiples : la stagnation de la fréquence d’horloge (2-3 GHz depuis 2004) et la complexité plus grande de l’architecture des processeurs (multicœurs). La médiocre efficacité énergétique des systèmes actuels constitue également un frein au développement des applications mobiles et son impact sur l’environnement (consommation électrique) devient non négligeable. Il devient donc urgent de proposer de nouveaux paradigmes de traitement de l’information capables de réduire de façon drastique la consommation d’énergie tous en en améliorant les performances. Reposant sur de multiples disciplines, (thermodynamique, physique de la matière, nanosciences et nanotechnologies, théorie de l’information, informatique, neurosciences..) la recherche sur ces nouveaux paradigmes demande impérativement une approche pluridisciplinaire couvrant, a minima, les aspects matériel et logiciel. Après une présentation des questions scientifiques et technologiques qui se posent, nous proposerons quelques pistes possibles pour le traitement de l’information de l’ère post CMOS. Nous montrerons en particulier l’intérêt des architectures neuromorphiques pour de nombreuses applications, dont le traitement d’images. !17 Mardi 27 MAI - 14h00 à 14h30 KEYNOTE O. Bonnaud Les docteurs en microélectronique et nanotechnologies : environnement, compétences, conditions d'obtention du diplôme et recrutement dans l’enseignement supérieur ! Olivier Bonnaud ! Directeur Général du GIP-CNFM Ancien directeur du Collège Doctoral de Rennes Ancien Président du Conseil National des Universités 63ème section Institut d'Electronique et Télécommunication de Rennes CS 74205 35042 RENNES Cedex [email protected] ! Les doctorants en microélectroniques et nanotechnologies étudient dans un domaine porteur mais qui nécessite un environnement technologique spécifique, qui exige des compétences et du savoir-faire acquis notamment dans le cadre des études doctorales, et qui peut ouvrir la voie de la recherche et de l'enseignement supérieur. ! La formation des étudiants est assurée grâce à un environnement qui s'est organisé depuis le début des années 80, sous la forme d'un réseau national, intitulé Coordination Nationale pour la Formation à la Microélectronique et aux nanotechnologies et qui regroupe 12 centres interuniversitaires comprenant des plateformes technologique, de conception, de test et de caractérisation. Ces outils sont accessibles aux doctorants et aux étudiants en formation initiale. ! Après une présentation synthétique du réseau, une attention particulière sera portée sur les compétences indispensables d'un futur docteur dans ce domaine de la microélectronique au sens large et sur les conditions de soutenance des thèses qui doivent être reconnues sur le plan international. ! Une dernière partie sera consacrée aux conditions et aux démarches d'accès à l'enseignement supérieur et à la recherche. Cette présentation doit pouvoir répondre à de nombreux questionnements des doctorants afin qu'ils puissent gérer dans les meilleures conditions possibles leur future carrière de chercheurs ou d'enseignant-chercheur. !18 C O M I T É Yann DESMET D ’ O R G A N I S A T I O N C O M I T É D E Nanostructures pour l’électronique, technologies CMOS et technologies émergentes Cyrille GARDES Alain-Bruno FADJIE Elodie CANDERLE Nicolas WICHMANN Sylvain BOLLAERT Composants passifs Sami HAGE-ALI Areski GHALEM Dispositifs pour applications millimétriques et térahertz Sofiene BOUAZIZ Nicolas WICHMANN L E C T U R E Micro-capteurs, micro/nanosystèmes et micro-dispositifs pour la chimie et la biologie (laboratoire sur puce) Jaouad MARZOUK Adrien BUSSONIERE Sébastien LAMANT Mouhamad IBRAHIM Georges DUBOURG Alexandre BONTEMPS David GUERIN Conception/test de circuits intégrés et niveau système, system-on-chip Pietro MARIS Areski GHALEM Caractérisation, fiabilité et analyse de défaillance Microélectronique organique, tout plastique et graphème Marina DENG David MELE Philippe ALTUNTAS Emiliano PALLECCHI Pietro MARIS Alain AGBOTON Optoélectronique, photonique et plasmonique Microélectronique de puissance Matthieu PAWLIK Philippe ALTUNTAS Djamila CHERFI Jean-Claude GERBEDOEN Thomas AVILES Alain AGBOTON Arnaud STOLZ Mémoires, spintronique Systèmes de communication, identification et localisation (RFID, réseau de capteurs, …) Nicolas TIERCELIN Philippe ALTUNTAS Cyrille GARDES Packaging et structures 3D Sofiene BOUAZIZ Michael BOCQUET Alexandre BONTEMPS !2 0 P A R T E N A I R E S J N R D M 2 0 1 4 L I L L E !21 P L A N D ’ A C C È S Ecole centrale de Lille Cité Scientifique - CS20048 59651 Villeneuve d'Ascq Cedex France Ecole Centrale A1: Chaufferie A2: Ateliers A3: Administration centrale A 4 & A 5 : Bâtiments Examens & Inscriptions B 5 - B 6 : CUEEP - Centre Université Economie d’Education Permanente B7: Enseignement BM : Bibliothèque de Mathématiques BU : Bibliothèque Universitaire C: CERLA - Centre Etudes et Recherches Lasers et Applications C1: Chimie - Enseignement C 3 à C 13 : Chimie - Laboratoires C6: Physique - Chimie - Laboratoires C7: ENSCL - Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Lille C 15 : Enseignement CH : Club House CIEL: Centre d’inovation CIEL. CNED: Centre Naational d’enseignement à Distance CS : Station de Métro Cité Scientifique 4C: Station de Métro 4 Cantons E 1 à E 8 : Parc Technologique - Entreprises EC : Espace Culture ECL : Ecole Centrale de Lille Polytech’Lille :Ecole Polytechnique Universitaire de Lille F6: Espaces Verts DUSVA G: Géographie - Laboratoires INRETS : Institut National de Recherche sur les Transports et leur Sécurité Lille « lieu des JNRDM » Administration et Services Communs Bâtiments de Recherche Bâtiments d'Enseignement Institut Universitaire de Technologie Ecoles d'Ingénieurs Résidences et Restaurants Universitaires Equipements Sportifs Entreprises Centre de Colloques GAND LILLE PARIS INRETS MN LML P HR Enseignement - SCAS (Service Commun d’Action Sociale) - CAS (Comité d’Action Sociale) - ASA (Association des Anciens) - ASP-USTL (Association Sportive des Personnels de l’USTL) R1: Restaurant Universitaire Sully R2: Résidence Universitaire Camus R3: Restaurant Universitaire Pariselle R4: Résidence Universitaire Galois R5: Résidence Universitaire Boucher R6: Résidence Universitaire Bachelard R7: Résidence Etudiants ECL Léonard de Vinci R8: Restaurant Universitaire Barrois R9: Résidence Universitaire G.Eiffel R10: Résidence Universitaire Pythagore S: SUDES - Service Universitaire de Développement Economique et Social SH 1-SH3 : Sciences Humaines et Sociales - Enseignement SH 2 : Sciences Economiques et Sociales - Laboratoires SN 1 : Sciences Naturelles - Enseignement SN 2 à SN 4 : Biologie Végétale et Animale - Laboratoires SN 5 : Sciences de la Terre - Laboratoires SN 6 : Animalerie SUP-SUAIO :Service universitaire pédagogique - Service Universitaire Accueil Information et Insertion proféssionnelle. T: Bâtiment des Thèses Télécom-Lille1: Ecole Nouvelle d’Ingénieurs en Communication TP : Travaux Pratiques de Chimie Station de Métro1: 4 Cantons Restaurant universitaire Barrois M3 P3 BM R8 A2 P4 S P7 P M2 CERLA P5 MDE P2 SUP SUAIO M5 H2 E3 A1 MACC R6 P7: Restaurant universitaire# Pariselle R5 P R10 Télécom-Lille1 (ENIC) Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique COSEC - Service des Sports (SUAPS) Halle de Sport Grémeaux Halle de Sport Vallin ASCOTEL (Hôtel Restaurant) Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord Institut de Recherche sur les Composants logiciels et Matériels pour l’Information et la communication Avancée. IRI: Institut de Recherche Interdiciplinaire IUT A : Institut Universitaire de Technologie L1: Local syndical L2: Maison Universitaire de la Santé L3: Centre de Loisirs du CAS L4: Service Technique Logistique LML : Laboratoire Mécanique de Lille MACC : Maison d’Activités Culturelles et de Colloques MASTER : Ex Bâtiment DESS - Bâtiment d’enseignement pour les Masters MDE : Maison Des Etudiants M1: Mathématiques - Enseignement M 2 & M 3 : Mathématiques & Informatique - Laboratoires M4: CRI- Centre de Ressources Informatiques M5: Informatique - Enseignement MN : Météorologie Nationale MUS: Maison Universitaire de la Santé (CUPS). P1: Physique - Enseignement P 2 à P 5 : Physique, Electronique, Electrotechnique, Automatique - Laboratoires Quartier TRIOLO IUT A MASTER (ex DESS) INRIA : H: H1: H2: HR : IEMN : IRCICA: M1 CS SH1 C13 C3 C1 SH2 P1 P C15 C4 SH3 C8 BU EC R9 C5 C11 C9 C6 C12 C7 TP ENSCL SN2 SN6 SN1 A3 SERRES T SN3 R7 G M4 L1 L4 Polytech'Lille P P X L3 L2 SEMM R4 R3 SN4 SN5 CH A4 CIEL A5 IRCICA ECL B7 4C H1 E5 E7 E2 B5 E1 F6 Sain g M - C hin en ysoin g R2 E8 B6 CUEEP P IRI Parc Scientifique Haute Borne P R1 CNED E6 INRIA P H N E4 Quatre Cantons GAND IEMN VALENCIENNES BRUXELLES LILLE PARIS Lille1/CRI/CN/BH/2011 J N R D M 2 0 1 4 2 6 - 2 7 - 2 8 M A I 2 0 1 4
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