平成２９年度新規／拡充プロジェクト（案）概要 作成：平成２８年１２月 プロジェクト名 ：低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／ 研究開発項目④GaNパワーデバイスの実用化加速技術開発 研究開発の目的 研究開発の内容 （１）ＧａＮウエハの革新的製造技術の開発 【拡充内容】 研究開発項目④ GaNパワーデバイスの実用化加速技術開発 ・窒化ガリウム（ＧａＮ）は、ＳｉＣと並び次世代のパワーデバイス材料と して期待されている。日米での研究が加速している中、日本の保有 するパワーエレクトロニクス技術やGaN光デバイス技術を進展させ、 パワーエレクトロニクスの国際競争力を高めることは重要である。 高周波動作に適する等高い材料特性を有する我が国発のGaNをパワー半導体として 応用するための研究開発を行います。 ・ＧａＮウエハの品質及びコストは、パワーデバイス実用化への大きな ボトルネックとなっており、本事業では、これを解消し、そのポテン シャルを発揮できるようにすることを目的とする。 ＜ポイント＞ ・低欠陥で、パワーデバイスに供するＧａＮウエハ実現のための革新的製造技術の開発 （２）ＧａＮ等の新規用途開拓の推進 ・低コスト化を実現するためのウエハの大口径化に関する革新的製造技術の開発 ・ＧａＮパワーデバイスは、高周波数かつ高出力な用途に適用可能で あり、スイッチングデバイス、パワーデバイス、高周波無線デバイス、 レーダー、エネルギー伝達デバイスなど、様々な応用が期待される。 ・ＧａＮパワーデバイスの成膜技術、モジュール化など共通基盤技術の開発 ・本事業では、ＧａＮをＳｉや他の化合物半導体の代替にとどめず、Ｇａ Ｎの特長（高周波特性等）が最大限に活きる用途での実用化を見据 え、その用途に応じた開発ステージでの研究開発を行うことを目的と する。 ・ＧａＮなどの化合物半導体デバイスの将来の革新的な用途に関する原理検証 ・大容量高周波無線通信デバイス技術などのＩｏＴ社会を実現するための要素技術開発 その他関連図表 【産業機器・車載機器】 プロジェクトの規模 ・事業費総額 １５億円（予定） ・NEDO予算総額 １１億円（予定）：委託、２／３助成※ ・実施期間 平成２９ ～ ３１年度（３年間） ※民間企業単独あるいは民間企業のみでの連携等により実施される場合、1/2助成とする。 【大容量通信機器】 【民生機器】 成果適用のイメージ 【GaNウエハ】 【GaNパワーデバイス】 詳細は「基本計画（案）」をご参照ください
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