有機半導体材料可溶性DNTT前駆体

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有機半導体材料
可溶性 DNTT 前駆体
O
O
N
N
O
S
O
S
S
exo-DNTT-PMI
[D5154]
S
endo-DNTT-PMI
[D5153]
特長
・塗布可能な DNTT 前駆体
・加熱により基板上で DNTT に変換
・有機トランジスタやメモリーに利用可能
利用例
DNTT-PMIを用いた塗布型有機トランジスタ
(1) Spin coating
(3) Electrode deposition
Solution of
D5153
（endo-DNTT-PMI）
DNTT-PMI
Substrate
DNTT
(2) Heating (200 °C)
S
DNTT-PMI
200 °C
S
DNTT
Ref. (a) J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 2224-2225. (b) Adv. Mater. 2015, 27, 727–732. (c) Adv. Mater. 2015, 27, 6606-6611. (d) Organic Electronics, 2013,
14, 1211–1217. (e) Appl. Phys. Express, 2015, 8, 101601-101604. (f ) Y. Ikeda, T. Shiro, K. Takimiya, Patent JP5269825.
D5153 endo-DNTT-PMI
D5154 exo-DNTT-PMI
本品は，帝人株式会社とのタイアップにより製品化されました。
50mg 29,500円
50mg 29,500円
有機半導体材料可溶性 DNTT 前駆体
素子作成手順 (endo-DNTT-PMI の例 )
（1）endo-DNTT-PMIとポリスチレン (PS) を 2:1 の重量比で混合します
（2）混合した粉末にクロロホルムを加えて 1w% になるように溶液を調整します
（3）洗浄・UV/O3 処理した n+-Si/SiO2 基板に溶液をスピンコート *1 して薄膜を作成します
（4）大気下で 10 分間 200 ºC で加熱することで DNTT 薄膜へと変換します
Au
（5）金電極を蒸着しソース・ドレイン電極を形成します *2
Au
DNTT-PS
SiO2(1000 nm)
Si
*1 スピンコート条件 : 500 rpm × 5 s → 2000 rpm × 20 s
*2 チャネル長 : 20 μm or 200 µm, チャネル幅 : 1000 µm
(exo-DNTT-PMI (D5154) を用いたトランジスタは，Org. Electron. 2013, 14, 1211. 参照 )
Fig. 1 Device structure
薄膜・および素子の特性
Fig. 2 に DNTT-PMI から得られた DNTT 薄膜の偏光顕微鏡 (POM) 画像
を示します。画像より、多結晶膜が形成されていることが確認できました。
endo-DNTT-PMI から作成した DNTT 薄膜は典型的な p 型半導体特性を
示します (Fig. 3)。チャネル長 200 µm の場合、最大で移動度 0.86 が観
察されました。また、チャネル長を 20 µm にしたところ、2.33 の高い移動
度が観測されました。これはチャネル長 20 µm の場合、チャネル間が単
一グレイン内に収まりグレイン境界面の電荷輸送障壁が無くなるため高
移動度を示したと考えられます。
Fig. 2 POM image of DNTT thin film.
Fig. 3 Transfer (left) and output (right) curves of OFET device prepared from endo-DNTT-PMI.
Device
Anneal. Temp.
(deg. C)
Channel
Length (µm)
Mobility
2
(cm /Vs)
on/off
Vth (V)
1
200
200
0.86
4.8 × 10
6
-5.5
2
3
210
210
200
20
0.85
2.33
4.6 × 10
1.1 × 107
-0.9
-3.1
5
Table 1 Summary of OFET properties of DNTT prepared from endo-DNTT-PMI.
DNTT-PMIs の特徴
溶解性 : D5153 endo-DNTT-PMI (1.0wt% in CHCl3). D5154 exo-DNTT-PMI (0.2wt% in CHCl3)
保管条件 : 光によって徐々に赤変するため遮光下で保管してください。
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FF058 20161115

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