シート / Datasheet FS500R17OE4DP

FS500R17OE4DP
EconoPACK™+モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール3diode内蔵and
pressFIT/すでに塗布されたサーマルグリース
EconoPACK™+modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diodeandPressFIT/
pre-appliedThermalInterfaceMaterial
VCES = 1700V
IC nom = 500A / ICRM = 1000A
一般応用
• スタティックインバーター
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
• 風力タービン
TypicalApplications
• Auxiliaryinverters
• Highpowerconverters
• Motordrives
• Windturbines
電気的特性
• 高い短絡電流耐量
• 高いサージ電流耐量
• 優れたロバスト性
• Tvjop=150°C
• トレンチIGBT4
ElectricalFeatures
• Highshort-circuitcapability
• Highsurgecurrentcapability
• Unbeatablerobustness
• Tvjop=150°C
• TrenchIGBT4
機械的特性
• 強いメカニカルロバストネス
• 内蔵されたNTCサーミスタ
• 絶縁されたベースプレート
• PressFIT接合技術
• RoHS対応
• すでに塗布されたサーマルグリース
MechanicalFeatures
• Highmechanicalrobustness
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• Isolatedbaseplate
• PressFITcontacttechnology
• RoHScompliant
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 50°C, Tvj max = 175°C
IC nom 500
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1000
A
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 500 A, VGE = 15 V
IC = 500 A, VGE = 15 V
IC = 500 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,95
2,35
2,45
2,30
V
V
V
5,80
6,40
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 20,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
5,10
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,5
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
40,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
1,30
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
3,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 500 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 500 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 500 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 500 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 500 A, VCE = 900 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,20
0,19
0,23
0,24
µs
µs
µs
0,08
0,08
0,09
µs
µs
µs
0,70
0,85
0,90
µs
µs
µs
0,11
0,16
0,18
µs
µs
µs
Eon
125
165
175
mJ
mJ
mJ
IC = 500 A, VCE = 900 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
94,0
155
175
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
2100
A
ジャンクション・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
td on
tr
td off
tf
RthJH
Tvj op
2
0,0852 K/W
-40
150
°C
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1700
V
IF
500
A
IFRM
1000
A
I²t
41000
37000
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,05
VF
1,70
1,75
1,80
IF = 500 A, - diF/dt = 6200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
700
815
855
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 500 A, - diF/dt = 6200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
145
240
265
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 500 A, - diF/dt = 6200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
82,0
150
170
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
RthJH
順電圧
Forwardvoltage
IF = 500 A, VGE = 0 V
IF = 500 A, VGE = 0 V
IF = 500 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
0,119 K/W
-40
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TNTC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 3,4
kV
Cu
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
18,5
12,6
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
16,0
10,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
typ.
20
nH
RCC'+EE'
1,10
mΩ
-40
TBPmax
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
質量
Weight
max.
LsCE
Tstg
最大ベース・プレート動作温度
Maximumbaseplateoperationtemperature
> 200
min.
G
924
125
°C
125
°C
6,00
Nm
6,0
Nm
g
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN 2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN 2012-07
Datasheet
4
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
1000
1000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
900
800
800
700
700
600
600
IC [A]
IC [A]
900
500
400
300
300
200
200
100
100
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
500
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
900
700
350
600
300
E [mJ]
400
500
250
400
200
300
150
200
100
100
50
5
Datasheet
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
450
800
0
0,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=900V
1000
IC [A]
500
400
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
5
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IC [A]
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=500A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
700
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
600
ZthJH : IGBT
500
E [mJ]
ZthJH [K/W]
400
300
0,01
200
100
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00566 0,0316 0,031 0,0169
τi[s]:
0,000967 0,0433 0,237 1,05
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
20
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=150°C
1050
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1000
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
900
900
800
750
700
600
IF [A]
IC [A]
600
450
500
400
300
300
200
150
100
0
0
Datasheet
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.8Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=500A,VCE=900V
220
200
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
200
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
180
160
160
140
120
E [mJ]
E [mJ]
140
100
120
100
80
80
60
60
40
40
20
0
0
20
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
20
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
1
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
10000
R[Ω]
ZthJH [K/W]
0,1
0,01
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00717 0,0418 0,0487 0,0209
τi[s]:
0,00126 0,0386 0,164 0,775
0,001
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
7
0
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
V3.0
2016-11-08
FS500R17OE4DP
回路図/Circuitdiagram
J
パッケージ概要/Packageoutlines
Datasheet
8
V3.0
2016-11-08
TrademarksofInfineonTechnologiesAG
µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™
TrademarksupdatedNovember2015
OtherTrademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2016-11-08
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