Si フォトトランジスタ KPT801C

RoHS指令(EU 2002/95/EC)適応品
KPT801C
Si フォトトランジスタ
特長
• NPN型フォトトランジスタ
• セラミックパッケージ
• 低暗電流
外形寸法図 (単位: mm)
用途
• 光スイッチ
• 光学式エンコーダ
• 光アイソレータ
• カメラストロボ
• 赤外センサ
• 自動制御機器
1. エミッタ
2. コレクタ
(Unit: mm)
絶対最大定格
項目
記号
定格値
単位
備考
コレクタ-エミッタ間電圧
Vceo
20
V
エミッタ-コレクタ間電圧
Veco
5
V
コレクタ-ベース間電圧
Vcbo
-
V
エミッタ-ベース間電圧
Vebo
-
V
動作温度
Topr
-20 to +80
oC
結露なきこと
保存温度
Tstg
-30 to +100
oC
結露なきこと
電気的・光学的特性 (指定のない場合 Ta=25 oC)
項目
記号
Min.
Typ.
Max
単位
条件
S
0.64 x 0.64
mm2
動作電圧
Vopr
5
V
検出波長
λ
400
800 (λp)
1000
nm
λp=ピーク波長
光電流
IL
-
4
-
mA
Vce = 5V,
1000lx(@2856K)
暗電流
Iceo
-
100
200
nA
Vce = 20V
電流増幅率
hFE
600
-
-
Vce(sat)
-
-
0.4
V
Ic=1mA
tr, tf
-
5
-
μs
Vce = 5V,
Ic=2mA,RL=100Ω
有効受光面積
コレクタ飽和電圧
立上り・立下り時間
Vce = 5V, Ic=2mA
製品の仕様は改良のため予告なく変更することがあります
(0905/KPT801C)
京セミ株式会社
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RoHS指令(EU 2002/95/EC)適応品
KPT801C
Si フォトトランジスタ
125
5
100
4
75
50
800 lx
600 lx
400 lx
2
1
0
0
20
40
60
80
Ambient Temperature ( oC)
200 lx
100
Photocurrent - Illuminance
Ta=25oC
L=1000 lx
3
25
0
0
5
10
15
Collector-Emitter Voltage (V)
20
Dark Current - Ambient Temperature
100000
10
Ta=25oC
VCE=5V
VCE =10V
10000
Dark Currrent (nA)
Photocurrrent (mA)
Photocurrent - Collector-Emitter Voltage
Pho
otocurrent (mA)
Collecttor Disspation (mW)
Collector Disspation-Ambient Temperature
1
0.1
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.01
1
10
100
Illuminance (lx)
1000
10000
-25
25
50
75
100
Ambient Temperature (oC)
125
Directivity
Spectral Responsivity
100
‐30
Ta=25oC
80
60
40
20
‐20
‐10
0
+10
+20
+30
100
Relative Sensitivity
y (%)
Relative Sensitivity
y (%)
0
+40
40
‐40
‐50
50
+50
‐60
+60
‐70
+70
‐80
+80
+90
‐90
0
0
400
600
800
1000
Wavelength (nm)
1200
Angle ( o)
製品の仕様は改良のため予告なく変更することがあります
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