シート / Datasheet FF600R17ME4_B11

FF600R17ME4_B11
EconoDUAL™3モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロールdiode内蔵and
PressFIT/NTCサーミスタ
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC
VCES = 1700V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
一般応用
• ハイパワーコンバータ
• 風力タービン
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Windturbines
電気的特性
• 高い電流密度
• 低VCEsat飽和電圧
• Tvjop=150°C
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• Highcurrentdensity
• LowVCEsat
• Tvjop=150°C
• VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
機械的特性
• 高いパワー密度
• 絶縁されたベースプレート
• 標準ハウジング
MechanicalFeatures
• Highpowerdensity
• Isolatedbaseplate
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 108°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
600
950
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1200
A
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,95
2,35
2,45
2,30
V
V
V
5,80
6,40
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
6,15
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,2
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
48,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
1,55
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 900 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,20
0,20
0,21
0,24
µs
µs
µs
0,07
0,08
0,08
µs
µs
µs
0,62
0,75
0,80
µs
µs
µs
0,11
0,16
0,18
µs
µs
µs
Eon
140
210
225
mJ
mJ
mJ
IC = 600 A, VCE = 900 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
115
180
205
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
3000
2300
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
td on
tr
td off
tf
Tvj op
2
0,0369 K/W
0,0328
-40
K/W
150
°C
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1700
V
IF
600
A
IFRM
1200
A
I²t
32000
30500
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,20
VF
1,80
1,90
1,95
IF = 600 A, - diF/dt = 6500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
580
650
670
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 600 A, - diF/dt = 6500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
150
250
285
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 600 A, - diF/dt = 6500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
75,0
145
165
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
順電圧
Forwardvoltage
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
0,0730 K/W
0,0378
-40
K/W
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TNTC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 3,4
kV
Cu
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
14,5
13,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
12,5
10,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
1,10
mΩ
Tstg
-40
125
°C
6,00
Nm
6,0
Nm
M
3,00
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
G
4
max.
20
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Datasheet
typ.
LsCE
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
質量
Weight
> 200
min.
345
g
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
1200
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
800
800
IC [A]
1000
IC [A]
1000
600
600
400
400
200
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VCE=900V
1200
1000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
900
1000
800
700
800
E [mJ]
IC [A]
600
600
500
400
400
300
200
200
100
0
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
5
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=600A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
800
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
700
ZthJC : IGBT
600
ZthJC [K/W]
E [mJ]
500
400
0,01
300
200
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0017 0,00225 0,03078 0,00216
τi[s]:
0,00053 0,00324 0,03234 8,13887
100
0
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
11
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1Ω,Tvj=150°C
1400
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1200
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1000
1000
800
IF [A]
IC [A]
800
600
600
400
400
200
200
0
0
Datasheet
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=600A,VCE=900V
200
200
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
180
160
160
140
140
120
120
E [mJ]
E [mJ]
180
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
200
400
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
600
IF [A]
800
1000
0
1200
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
11
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
0,1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJC [K/W]
10000
0,01
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0081 0,0526 0,00697 0,00531
τi[s]:
0,00088 0,029 0,17225 5,18101
0,001
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
7
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
V3.0
2016-11-08
FF600R17ME4_B11
回路図/Circuitdiagram
パッケージ概要/Packageoutlines
In fin e o n
Datasheet
8
V3.0
2016-11-08
TrademarksofInfineonTechnologiesAG
µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™
TrademarksupdatedNovember2015
OtherTrademarks
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Edition2016-11-08
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