シート / Datasheet FF1200R12IE5

FF1200R12IE5
PrimePACK™2モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT5andエミッターコントロール5diode内蔵and
NTCサーミスタ
PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC
VCES = 1200V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
一般応用
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
• UPSシステム
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• UPSsystems
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
• 高い短絡電流耐量
• 優れたロバスト性
• Tvjop=175°C
• トレンチIGBT5
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• Highshort-circuitcapability
• Unbeatablerobustness
• Tvjop=175°C
• TrenchIGBT5
機械的特性
MechanicalFeatures
• CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 長い縁面/空間距離
• Highcreepageandclearancedistances
• 高いパワー/サーマルサイクル耐量
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• 高いパワー密度
• Highpowerdensity
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
IC nom 1200
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
2400
A
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VCE sat
typ.
max.
1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
V
V
V
5,80
6,35
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600V
QG
5,75
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,75
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
65,5
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
2,60
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 175°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,25
0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
Eon
80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 175°C
Eoff
130
160
180
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
4000
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
td on
tr
td off
tf
Tvj op
2
28,7 K/kW
22,1
-40
K/kW
175
°C
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
VRRM 1200
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
370
335
電気的特性/CharacteristicValues
min.
kA²s
kA²s
typ.
max.
VF
1,90
1,75
1,70
2,45
2,30
2,25
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 175°C
IRM
630
860
985
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 175°C
Qr
91,0
205
280
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 175°C
Erec
37,0
83,0
120
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
順電圧
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
46,3 K/kW
29,0
-40
K/kW
175
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TNTC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 4,0
kV
Cu
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
33,0
33,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,15
0,09
mΩ
Tstg
-40
150
°C
3,00
6,00
Nm
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
G
4
max.
18
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Datasheet
typ.
LsCE
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
質量
Weight
> 400
min.
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
825
g
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=175°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2100
2100
1500
1500
IC [A]
1800
IC [A]
1800
1200
1200
900
900
600
600
300
300
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.82Ω,RGoff=0.82Ω,VCE=600V
2400
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
540
480
1800
420
1500
IC [A]
E [mJ]
360
1200
300
240
900
180
600
120
300
0
60
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
5
0
300
600
900
1200 1500 1800 2100 2400
IC [A]
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1200A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
800
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
750
700
ZthJC : IGBT
650
600
550
500
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
450
400
350
10
300
250
200
150
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 0,86
3,42
21,4
2,97
τi[s]:
0,000966 0,0127 0,0515 0,786
100
50
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
1
0,001
8,0
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE);
VGE=±15V,RGoff=0.82Ω,Tvj=175°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
ゲート充電特性IGBT-　インバータ（典型)
gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)
VGE=f(QG)
IC=1200A,Tvj=25°C
2500
15
VCC = 600V
13
IC, Modul
IC, Chip
11
2000
9
7
5
1500
3
IC [A]
VGE [V]
1
-1
1000
-3
-5
-7
500
-9
-11
-13
0
0
Datasheet
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
1400
-15
6
0
1
2
3
QG [µC]
4
5
6
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.82Ω,VCE=600V
2400
160
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2100
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
140
120
1500
100
IF [A]
E [mJ]
1800
1200
80
900
60
600
40
300
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
2,5
0
300
600
VF [V]
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=600V
900
1200 1500 1800 2100 2400
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
140
100
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJC : Diode
120
100
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
80
60
10
40
20
0
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,01
7,27
30,8
6,17
τi[s]:
0,000387 0,0114 0,0506 1,25
0,0
Datasheet
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
1
0,001
8,0
7
0,01
0,1
t [s]
1
10
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
Datasheet
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
8
V3.0
2017-02-08
FF1200R12IE5
回路図/Circuitdiagram
パッケージ概要/Packageoutlines
36 0,2
22 +- 0,6
0
3 0,1
36,5 0,3
screwing depth
max. 8 (7x)
screwing depth
max. 16 (4x)
18 0,2 (2x)
A
172 0,5
150
113
103
recommeded design height
lower side PCB to baseplate
92
76
58
8 0,1 (7x)
25,9 0,25
+
5,5 - 00,1
0,25 A B C
(10x)
20 0,1
37,7 0,25
B
recommeded design height
lower side bus bar to baseplate
28 0,1
5,5
17 0,1
M8
0,6 A B C
5,5
4,3
24,5 0,5
14
39
25
21,5 0,3
10
10
45,5 0,5
21 0,3
M4
0,6 A B C
(7X)
12,3 0,3
89 0,5
73
0,4 A
(7x)
1 MAX
(4x)
C
39
64
78
117
156
Datasheet
9
V3.0
2017-02-08
TrademarksofInfineonTechnologiesAG
µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™
TrademarksupdatedNovember2015
OtherTrademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2017-02-08
Publishedby
InfineonTechnologiesAG
81726München,Germany
©2017InfineonTechnologiesAG.
AllRightsReserved.
Doyouhaveaquestionaboutthisdocument?
Email:[email protected]
重要事項
本文書に記載された情報は、いかなる場合も、条件または特性の保証とみなされるものではありません（「品質の保証」）。本文に記
された一切の事例、手引き、もしくは一般的価値、および／または本製品の用途に関する一切の情報に関し、インフィニオンテクノロジ
ーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証およ
び責任を否定いたします。
さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文
書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。
本文書に含まれるデータは、技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています。本製品の対象用途への適合性、およびこれら用途
に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は、お客様の技術部門の責任にて実施してください。
本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください
（www.infineon.com）。
警告事項
技術的要件に伴い、製品には危険物質が含まれる可能性があります。当該種別の詳細については、インフィニオンの最寄りの営業所ま
でお問い合わせください。
インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ、インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き、インフィニオンの製品は、
当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が、合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできない
こと予めご了承ください
IMPORTANTNOTICE
Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe
applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout
limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty.
Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany
applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies
incustomer’sapplications.
Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical
departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin
thisdocumentwithrespecttosuchapplication.
Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon
Technologiesoffice(www.infineon.com).
WARNINGS
Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour
nearestInfineonTechnologiesoffice.
ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon
Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof
theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.

Download Report