MUSES7001 PDFデータシート

MUSES7001
300V/10A シリコンカーバイドショットキーバリアダイオード
■ 概要
MUSES7001 は、高音質オーディオ機器の電源用途に適した SiC-SBD
です。銅太線ワイヤによる低損失化や、SiC-SBD の特長である高速スイ
ッチング特性、音質を重視した製造技術によりオーディオ機器の高音質
化を実現します。
本製品とオペアンプをはじめとした MUSES シリーズと組み合わせ
ることで、MUSES シリーズを用いたオーディオ機器の性能を、より一
層効果的に引き出すことができます。
■ 特徴
●直流逆方向電圧
●順方向電流
●逆回復時間
●低い温度依存性
●外形
■外形図
VR:300V
IF:10A
15ns typ. (VR = 300V, Ta = 25℃)
MUSES7001TB2
TO-247-3
■ ピン配置図
■ 等価回路図
TAB
1 NC
2 カソード
3 アノード
TAB カソード
1
2
カソード
3
■ 使用例
オーディオ機器のブリッジ整流回路
2
3
カソード
アノード
Ver.6
-1-
MUSES7001
■絶対最大定格 (指定なき場合 Ta=25C)
項
目
記号
尖頭逆方向電
直流逆方向電
順
方
向
電
尖頭順サージ電
接
合
部
温
保存温度範
圧
圧
流
流
度
囲
定
格
単位
300
300
10
40 *1
150
-55～150
VRM
VR
IF
IFSM
Tj
TSTG
V
V
A
A
℃
℃
備考
Tj ≦150oC
*1 50Hz 正弦半波, 1 サイクル, 非繰り返し
■電気的特性 (指定なき場合 Ta=25C)
項
目
記号
順
方
向
電
圧
VF
逆
方
向
電
流
IR
逆
回
復
時
間
tC
量
Ct
全
容
条
件
IF = 10A, Tj = 25℃
IF = 10A, Tj = 150℃
VR = 300V, Tj =25℃
VR = 300V, Tj =150℃
VR = 300V, di/dt=500A/µs
VR = 1V, f = 1MHz
VR = 300V, f = 1MHz
最小
標準
最大
-
1.60
1.85
5
10
15
370
45
1.80
2.15
50
100
20
430
-
最小
標準
最大
-
-
3.0
単位
V
µA
ns
pF
■熱抵抗特性
項
熱
抵
目
記号
抗
Zth(j-c)
条
件
単位
o
C/W
■使用上の注意
動作時の接合部温度が 150℃を超えないようにご注意ください。
SiC-SBD における順方向特性の温度依存性は動作電流により異なりますので、熱設計時にご注意ください。
電源投入時の突入電流や過電流が絶対最大定格の尖頭順サージ電流の値を超えないようにご注意ください。
Ver.6
-2-
MUSES7001
■特性例
Fig.1 IF-VF Characteristics
Fig.2 IF-VF Characteristics
1E+00
20
Pulse Width = 100us
1E-01
15
Forward Current IF[A]
Forward Current IF[A]
150oC
150oC
125oC
10
75oC
5
1E-02
125oC
1E-03
75oC
1E-04
25oC
1E-05
Tj = -25oC
1E-06
25oC
o
Tj = -25 C
1E-07
0
1E-08
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Forward Voltage VF[V]
2.5
3.0
0.0
Fig.3 IR-VR Characteristics
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Forward Voltage VF[V]
1.2
Fig.4 Ct-VR Characteristics
1E-04
1000
1E-05
Total Capacitance Ct[pF]
Reverse Current IR[A]
Tj = 25oC
150oC
1E-06
125oC
o
75 C
25oC
Tj = -25oC
1E-07
1E-08
0
50
100
150
200
250
Reverse Voltage VR[V]
300
100
10
0.01
0.1
1
10
100
Reverse Voltage VR[V]
1000
Ver.6
-3-
MUSES7001
■特性例
Fig.5 Reverse Recovery
Fig.6 Zth(j-c) vs. Pulse Width
14
10
12
10
Thermal Resistance Zth(j-c) [oC/W]
IF = 10 A
VR = 300 V
di/dt = 500 A/us
8
Current[A]
6
tc = 13 ns
4
2
0
-2
-4
-6
1
0.1
-8
-10
0
20
40
60
0.01
0.0001
80 100 120 140 160 180 200
Time[ns]
0.001
Fig.7 PD vs. Tc
0.01
0.1
Pulse Width [sec]
1
10
Fig.8 Ip vs. Tc
50
60
Duty=0.1
45
50
Peak Forward Current Ip[A]
Power Dissipation PD[W]
40
35
30
25
20
15
10
40
Duty=0.25
30
Duty=0.5
20
DC
10
5
0
0
0
Ver.6
-4-
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc[oC]
150
0
25
50
75
100
125
o
Case Temperature Tc[ C]
150
MUSES7001
■特性例
Fig.9 Zth(j-a) vs. Pulse Width
Fig.10 PD vs. Ta
4.0
3.5
Power Dissipation PD[W]
Thermal Resistance Zth(j-a) [oC/W]
100
10
1
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1
0.001
0.0
0.01
0.1
1
10
Pulse Width [sec]
100
1000
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature Ta[oC]
Fig.11 Ip vs. Ta
16
Duty=0.1
Peak Forward Current Ip[A]
14
12
10
Duty=0.25
8
6
Duty=0.5
4
DC
2
0
0
25
50
75
100
125
o
Ambient Temperature Ta[ C]
150
Ver.6
-5-
150
MUSES7001
■外形図
Ver.6
-6-
＜注意事項＞
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万全を期しておりますが、掲載内容について何
らかの法的な保証を行うものではありません。
とくに応用回路については、製品の代表的な応
用例を説明するためのものです。また、工業所
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ではなく、第三者の権利を侵害しないことを保
証するものでもありません。

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