MOSFET: Gate charge: L

パワーMOSFETのスイッチング特性
toffに関するモデルパラメータについて
(1)モデル・パラメータL,W,TOXが若干影響する。
(2)ゲートチャージ特性に関わるモデルパラメータが一番影響している。
モデルパラメータCGSO,CGDO
(3)スタンダードモデル(モデルパラメータ)の場合、ミラー容量に再現性
が無い為、モデルパラメータにミラー容量に再現性がある等価回路を
付加している。それがプロフェッショナルモデルです。プロフェッショナル
モデルの等価回路の定数も関係します。
2012年3月16日(金曜日)
株式会社ビー・テクノロジー
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Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
1
MOSFET: Gate charge: L
L = 3u, Qgs=3.27n
Qgd=6.617n
L = 2u, Qgs=2.4809n
Qgd=6.7434
Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
L = 1u, Qgs=1.77n
Qgd=6.9066
2
MOSFET: Gate charge: W
W=0.7037, Qgs=3.1258n
Qgd=9.534n
W=0.5073, Qgs=2.42n
Qgd=6.8n
Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
W=0.3125, Qgs=1.66n
Qgd=4.117
3
MOSFET: turn-on charge: TOX
TOX=0.14u, Qgs=2.0478n
Qgd=6.7698n
TOX=0.08u, Qgs=2.42n
Qgd=6.8n
Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
TOX=0.04u, Qgs=3.244n
Qgd=6.917n
4
MOSFET: Gate charge: CGSO
CGSO = 1n
CGSO = 500p
CGSO = 100p
Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
5
MOSFET: Gate charge: CGDO
CGDO = 1n
CGDO = 570p
CGDO = 200p
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6
D
S1
R2
+
-
+
S
R1
10M
10MEG
DGD
CGD
S2
+
-
+
-
Q1
S
G
S
上記は、ゲートチャージ特性に再現性のある等価回路モデル
(プロフェッショナルモデル)です。これらに関わる定数も影響します。
Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
7

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