3相インバータ回路

IGBTモデリングサービスの概要
2015年2月6日
ビー・テクノロジー
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国内外の自動車メーカーに対して、HEV,EVの回路解析シミュレーション
(PSpice、LTspice)をサポートしています。コアデバイスのSPICEモデルから
デザインキットまでご提供しています。
【事例】
3相インバータ回路
構成1: 二次電池+インバータ回路(IGBT,SiC MOSFET)+ACモータ
構成2: 二次電池+インバータ回路(IGBT,SiC MOSFET)+制御信号+ACモータ
構成3:昇圧回路+インバータ回路+ACモータ
構成4: 駆動回路及び回生回路
マルチバッテリーシステムシミュレーション
構成1: 2種類のリチウムイオン電池の駆動及び回生システムシミュレーション
構成2: 4種類のリチウムイオン電池の駆動及び回生システムシミュレーション
エネルギーハーベストシステム
太陽電池システム
振動デバイスシステム
ペルチェ素子システム
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IGBTのスパイスモデルについて
FWD
Z1
D1
FWD
逆回復特性(IFIR法)
(1)スタンダードモデル
ダイオードのモデルパラメータ
(2)プロフェッショナルモデル
等価回路モデル
IGBT
逆回復特性(電流減少率法)
(3)スペシャルモデル
等価回路モデル
MOSFET(LEVEL=3 Model)
+BJT(Gummel Poon Model)型
等価回路モデル
MOSFETは、LEVEL=3 Modelを採用し
ています。BSIMモデルは、ウエハー
レベルのプロセスモデルですので、
採用しません。
(3),(2)の順番で収束性が悪くなります。
(1)は収束性の問題はありません。
FWDで再現性のある電気的特性は、
(1)順方向特性
(2)逆回復特性
です。
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3
C
IGBT本体のスパイスモデルについて
等価回路モデル(MOSFET+BJT型)
VC
0Vdc
0
E1
C2
IN+
OUT+
OUTINEVALUE
1*(-0.83913+0.70067*LOG10(I(VC)))
C1
RC
400u
S S1
-
CGD
250n
+
R1
100MEG
+
-
1
VON = 0V
VOFF = -100mV
RON = 1m
ROFF = 1e12
D1
DGD
R2
10MEG
ROFF = 1e12
RON = 1m
VOFF = -100mV
VON = 0V
2
+
-
+
-
DBE
DE
85
QOUT
Q1
81
S S2
RG
M1
MFIN
82
G
3.2
CGE
165n
DDS
DO
83
RE
44.4u
E
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4
IGBTのスパイスモデルについて
再現性のある電気的特性
再現性のある電気的特性
必要な特性図
IGBT
伝達特性
Vge vs. Ic
飽和特性
Vce(sat) vs.Ic
測定条件:Vge
ゲートチャージ特性
Qge,Qgc,Qg,Vcc,Ic
スイッチング特性
Tf値
測定条件:Ic, Vcc
FWD
順方向特性
Vce vs. Ie
逆回復特性
【IFIR法の場合】
Trr値,IF,IR,RL
【電流減少率法の場合】
Trr値,IF,Vcc,Ic
【IFIR法の場合】:スタンダードモデル及びプロフェッショナルモデル
【電流減少率法の場合】:スペシャルモデル
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5
IGBTのデバイスモデリング
コンサルティング
IGBTのデバイスモデリングを手順(デバイスモデリングマニュアル)を開示し、
お客様がご自身でIGBTモデルを作成できるようにするサービスです。
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