低速イオンビームのバンチ化と ビーム診断技術の開発 低速イオン

低速イオンビームのバンチ化と
ビーム診断技術の開発
21/ Dec/ 2004 第3回小型加速器研究会@KEK
東京大学大学院理学系研究科
附属原子核科学研究センター
渡辺伸一
[email protected]
はじめに
•CNS和光実験準備棟加速器開発室に10GHzECRイ
オン源(HiECR)を設置した。
•分析用磁石、Q磁石、プロファイルモニターを備え
たビームラインを建設した。
•低速イオンビームを用いた実験として、HTSDCCTの実証試験、イオンビーム照射実験などを行
なった。
•メタルコア型高周波空洞によりイオン源ビームの
バンチ試験を行なったのでその結果を報告する。
21/ Dec/ 2004 小型加速器研究会@KEK
研究の背景
新しい知の創造の基盤=宇宙核物理、不安定核の研究を進めるため
のAVFサイクロトロンの高度化と重イオン源の開発を行なってい
る。
AVFサイクロトロン、イオン源
•
フラットトップ加速によるビームエネルギー幅の縮小化、加速範囲の拡
大(h=1,2,3)と高エネルギー化 (K70→K80)
•
入射用イオン源(HypereECR)の性能改善(10 pmA, Mg8+ , Li3+)とイオ
ン源からAVFへのビーム入射効率の改善
重イオン源の基礎実験と低速イオンビームの応用
• HiECRを用いたCBECRの基礎実験と、HiECRのビームを応用した実験=
HTS-DCCT,RF buncher,Ion Etching
•
大強度ナノクラスターイオン源の開発
B,Ti,Cu
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AVF加速器施設とCNS
HyperECR
Injection line
To RRC
AVF
AVF@RIKEN
CRIB
60% beam time is
shared by
HyperECR@CNS
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ビーム入射効率の改善
• Injection line
Small emittance , Optimization of
alignment error, Low beam loss at inflector
• AVF RF acceleration system
Beam bunching to increase the beam
intensity captured by the Dee voltage
separatrix.
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ビーム入射効率の改善結果-Injection line
エミッタンス
Beam; 14N6+
Measured; 115 and 89 pmmmrad in
horizontal and vertical, respectively.
Calculated; 138 and 91 pmmmrad in
both planes. These values are roughly
in agreement with the measured values.
Transmission; 29% was obtained at
cyclotron exit.
ビームサイズ
Cyclotron inflector
calculated in horizontal
and vertical planes, respectively.
This calculated result is a solution with which
about 95% beam from the ion source reaches the
inflector of the cyclotron. However, the
measurement shows about 70% beam loss near
the center of the cyclotron. We are now studying
the central region to get better transmission.
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入射効率の改善-バンチャー
* RIKEN-AVF, 1988
Wide band amp+All pass network (50W→200W) + single gap
mesh electrodes, fbunch=12~24 MHz, Vout= 600V, BF~5. 電力
合成器による電圧発生
V
(sin(wt)+1/3*sin(2wt)+1/9*sin(3wt))
*CNS SF cyclotron, Tanashi, 1990
Wide band amp+All pass network (50W→200W) + 2gap electrodes,
frf=7~18 MHz, Vout=140V. BF~3,
電圧波形= Vsin(wt)
* AGOR cyclotron KVI, Netherlands, 2002
Sub-harmonic generator +single gap, 10 metal cylinder,
frf=24~62MHz, Vout=1500V. BF~15(25,+/-10degree RF)
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Buncher for cyclotron(principle)
Acceptance: wDt
Dt=(t+L/v(t))-L/vo
wDt=wt-(aL/ro)sin wt
=+/-18°, where aL/ro=1.5
ro=15.53mm=radius of 1st turn,
L=flight path,
a=V/Vo, V=buncher voltage, Vo=Vinj,
a=7.05x10-3, if Vo=8.04 kV then V=56.7V,
When L=3.3m, l=48.8mm
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Buncher & center region
RIKEN-AVF
Buncher
gap=5mm, mesh= 2mm pitch
Transmission=87%
RIKEN-AVF
Center region
低速イオンビームの応用
-HiECRビームを用いたビーム診断技術の開発-
イオンビーム照射
HTS-DCCT
高周波
空洞
ファラ
デーカッ
プ
プロファイ
ルモニ
ター
Hi-ECR イオン源
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HiECRイオン源
-ビーム診断技術研究など多目的重イオン源-
ECRイオン源
加速器開発室のHi-ECRイオン源
使用目的
1)HiECRイオン源によるECRの基礎実験
1)イオン源
・マイクロ波
:10 GHz
・最大のミラー磁場強度 :8.5 kG
・六極磁石表面磁場強度:7.6 kG
2)分析磁石
・曲率半径
:35 cm
・偏向角
:90 度
・最大磁束密度
:10 kG
・チャージブリダーによる多価イオンの生成テスト
・レーザーによるイオン化効率のテスト
2)金属イオンのテスト
・金属試料導入によるプラズマ室内の汚れ対策
3)HiECRイオン源の応用
・ビームモニターの開発・校正
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HiECRイオンビーム
Atom
Qn
A
vb (m/s)
Transit time(sec)
Ifc2(emA)
H
1+
1
1.384x106
3.61x10-9
18
Ar
2+
40
0.308x106
16.2x10-9
36
Ar
4+
40
0.437x106
11.4x10-9
18
Ar
6+
40
0.532x106
9.39x10-9
11
Ar
8+
40
0.615x106
8,13x10-9
7
O
4+
16
0.688x106
7.27x10-9
NC
O
5+
16
0.769x106
6.50x10-9
16
O
6+
16
0.842x106
5.94x10-9
8
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低速イオンビームのバンチ化―
-広帯域で小型の高周波空洞-
名称:メタルコア型高周波空洞
製作:理化学研究所(渡辺真朗氏(現原研東海))
メタルコア:ファインメット(日立金属)
運転周波数:18~45 MHz
入力インピーダンス:50Ω
特徴:広帯域で小型の高周波空洞、世界中で最初( 30MHz以上)
運転例
Vgap=640V@24MHz at Pin=2300W,
Cooling=Forced air
120mm
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メタルコア型高周波空洞
-空洞の構造と特性-
インピーダンスの
絶対値
アドミッタンス
G
B
resonance frequency ≒30Hz
200
0
160
-0.05
120
|Z|
Y(S)
0.05
-0.1
80
-0.15
40
-0.2
6
10
7
10
Frequency(Hz)
0
6
10
7
10
Frequency(Hz)
Y=G+jB
Characteristics of the rf cavity were measured
from the acceleration gap.
Original acceleration gap is thin mesh plate.
M. Watanabe、Y. Chiba、K. Ohtomo、H. Tsutsui、T. Koseki、T. Katayama、S.
Watanabe、and Y. Ohshiro: “A broad-band rf cavity using Finemet cut-cores
as a buncher of heavy ion beams” The third Asian Particle Accelerator
Conference, March 22-26, 2004, hosted by Pohang Accelerator Laboratory and
Pohang University of Science and Technology,.Gyeongju, Korea. to be published.
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測定例
3.5 10
-5
Beam current(A)
3 10 -5
2.5 10 -5
2 10 -5
1.5 10 -5
1 10 -5
0
1 10 -7
2 10 -7
Time(s )
3 10 -7
4 10 -7
10 keV 水素ビーム (DC 20mA) のバンチ化
高周波空洞の運転条件: 周波数:30MHz、最大加速電圧:150V.
ファラデーカップ:20Dx70L 銅製, 50Ω終端
バンチング電圧を調整し BF=Ibtop/Ibbottomが最大になる値を探す
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高周波バンチャー試験のまとめ
• イオン種:
H+,Ar2+,Ar4+,Ar6+,Ar8+,O4+,O5+,O6+
• ビームエネルギー:10 keV(H+)
• ビーム電流:10~30mA(DC)
• バンチング周波数 18~45MHz
• 電圧波形:正弦波
• バンチング電圧: 30~240 V
• バンチングファクター ~2
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ビーム診断技術の開発
-バンチビーム用ファラデーカップの検討-
•イオン種、価数、エネルギーによる二次電子生成
率の評価
•二次電子抑制用静電電極の検討
•二次電子抑制用静磁場の検討
•インピーダンス整合のための同軸構造
•照射による発熱対策
•電磁雑音遮蔽対策
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イオン種、価数、エネルギーによる
二次電子生成率の評価
D.Hasselkamp “Particle Induced Electron
Emission II”, Vol.123 Springer-Verlag.
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ファラデーカップ
DC~100 MHz
二次電子抑制グリッド:#50Wメッシュ、
Vsup=10~500V
ZL=50W,VSWR ~1.2
Pb=10W, fb=20mm f
Qt
Qc
g =z(-Qc/(Qt+Qc))
Reference
Y.Hashimoto(KEK) measure e2nd from target
irradiated by NIRS 100MHz Linac beam.
Identify trise=150ps and compared with MCP
g : total electron yield
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まとめ
新しい知の創造の基盤=既存重イオン加速器の高度
化と重イオン源の研究を進めている。
•低速イオンビームのバンチ化とビーム診断技術の
研究状況を報告した
•上記の研究を進めるために共同研究者との連携を積極的に行
なっている。
http://www.cns.s.u-tokyo.ac.jp/proj/accel/index.html
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高エネルギー重イオン加速器の研究
-高温超伝導SQUIDを応用した微弱ビーム電流計測器(HTS-DCCT)の開発ー
超伝導コイル化
HTS-DCCTの課題
イオンビームエッチ
ングでHTS膜の細
線化を研究した
(H16年度)
目標感度
測定実績
Ar 4+ 1.8mA
上:HTS-DCCT
下:Faraday Cup
241
226
196
211
181
166
151
136
106
121
91
76
61
46
0311102 Bi2223
16
31
実験結果
HTS;Bi2223
幅100μm
深さ:5μm
1
SQUIDと結合してい
るブリッジを超伝導コ
イル化し、磁束増加
でS/N比を改善する
イメージ図
10000
0
Etching Depth (A)
1ナノアンペア
-10000
-20000
-30000
-40000
-50000
Etching width (micron)
Ar2+ 20emA/cm2 10h
電流セン
サー
SQUID結合部を超伝導コイル化する
関連研究→ 異
元素化合物のス
パッタリング収量
の研究につなが
る
Dec/06/2004 CNS助言委員会