光／ナノ構造デバイスを支える結晶成長・プロセス要素技術小特集（英文

──光／ナノ構造デバイスを支える結晶成長・プロセス要素技術小特集（英文論文誌 C）論文募集──
光／ナノ構造デバイスを支える結晶成長・プロセス要素技術小特集編集委員会
光デバイスは，インターネットで知られる光通信をはじめ，プロジェクションなどの映像機器，信号機や照明，更に
は無被爆・非侵襲検査等の医療分野に至るまで，我々の生活の中で広く利用されようになりました．最近では，ナノ構
造と言われる微細技術や大量生産に有利なシリコンウェーハとの貼付け技術などのシリコンフォトニクスと融合するこ
とで新たな機能を獲得し，応用的発展を続けています．ここでは，半導体レーザや発光ダイオード，ナノ構造光デバイ
ス，光集積デバイスなど，これらの光デバイスを支える基盤から最先端の作製技術にフォーカスします．具体的には，
半導体結晶成長技術やプロセス技術，及びそのための装置などを特集します．
光デバイス産業・研究が更に深くそして広く発展するための，その一助となることを目的として本小特集（平成 29
年 2 月号掲載）を企画致しました．皆様の奮っての御投稿をお願い申し上げます．
1．対象分野
以下の光デバイス作製要素技術を対象としますが，これらに限定するものではありません．
・光半導体結晶成長・評価，プロセス（ドライ加工，ウェット加工，ウェーハ接合，電極形成など）
・パッケージ技術，光実装技術
（上記技術の適用対象デバイス例：半導体レーザ，発光ダイオード，光導波路技術，フォトニック結晶，ナノフォ
トニクス，半導体光増幅器，光センサ，光記録，受光素子，光変調器，医療フォトニクス，ほか）
2．論文の執筆と取扱い
通常の英文論文と同一とします．ペーパー（Full Papers）とブリーフペーパー（Brief Papers）を受け付けます．論
文のページ数は，原則として，ペーパー（Full Papers）は仕上がり 8 ページ，ブリーフペーパー（Brief Papers）は 4
ページ（厳守）を標準とします．標準ページ数を超えると，掲載料が急に高くなりますので御注意下さい．詳細は Information for Authors（http://www ieice org/eng/shiori/mokuji_es html）を御参照下さい．査読後の再提出期間（通
常は 60 日）を短縮する場合があります．
3．投稿方法
Web による電子投稿のみ受け付けます．以下の手順で御投稿下さい．
https://review ieice org/regist/regist_baseinfo_e aspx から登録を行って下さい．初期投稿時に，編集可能な論文本
体（TeX/Word），図，著者の写真，biography も投稿する必要があります．なお登録時には必ず“Journal/Section”
で［Special-PN] Special Section on Fabrication technologies supporting the Photonic/Nanostructure Devices を選択し
て下さい．［Regular-EC］を決して選択しないで下さい．
4．論文投稿締切日
平成 28 年 5 月 31 日（火）厳守
5．問合せ先
藤原直樹
日本電信電話株式会社 NTT 先端集積デバイス研究所
TEL〔046〕240-3266，FAX〔046〕270-2331
E-mail：fujiwara naoki@lab ntt co jp
6．小特集編集委員会
委員長
野田
進（京大）
幹
事
藤原直樹（NTT）
委
員
佐藤健二（NEC 山梨）
，田中有（富士通研）
，八木英樹（住友電工）
，野村政宏（東大）
，宮本智之（東工
大）
，有賀
博（三菱電機）
，石川光映（NTT）
7．付記
＊Web による電子投稿の際，
“Copyright Transfer and Page Charge Agreement”に承諾して頂きます．
＊締切日を厳守して下さい．
＊招待論文を含む全ての採録論文については掲載料をお支払い頂きます．
＊投稿に際しては，著者のうち少なくとも 1 名は本会会員でなければなりません．ただし招待論文に関してはこの限
りではありません．必要な投稿資格を満たしていない著者からの投稿論文については，投稿を受け付けないことと
なりますので御注意下さい．入会の案内はこちらを御覧下さい．http://www ieice org/jpn/nyukai/index html

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