赤外分光法による半導体材料分析

テーマ別セミナー
赤外分光法による半導体材料分析
ブルカー・ドイツ本社の専任アプリケーションサイエンティスト等を講師とした、半導体材料の評価・
解析に関する特別セミナーを開催します。
先端材料の研究に携わる方をはじめ、ぜひ皆様奮ってのご参加をお待ちしております。
開催概要
■ タイトル：テーマ別セミナー - 赤外分光法による半導体材料分析
■ 日　程
： 2016 年 6 月 3 日（金）13 : 00 - 17: 00　※受付開始12 : 45
■ 会　場
：トラストシティカンファレンス・京橋 Studio 2
■参加費
：無料
■ 定　員
：50 名（先着順）
■ 講演内容： Bruker Optik GmbH（ドイツ）専任アプリケーションサイエンティストによる講演他
※詳細は裏面に記載
お申込み方法
■ ブルカー・オプティクスホームページにて受付中
www.bruker.co.jp/optics
※セミナー当日は、お申込み後にメールでお送りする「参加証」を必ずご提示ください
モバイル端末をお持ちの場合は、参加証画面をご提示いただくだけで結構です
講演内容
12:45 - 13:00
●開場/受付
13:00 - 13:05
● ご挨拶
13:05 - 13:50
● FT-IRによる半導体材料分析の概要
膜厚・組成分析
シリコン中の不純物分析
13:50 - 14:20
● シリコン分析専用システムの紹介その１
三洋貿易 IR-EPOCH ほか
● シリコン分析専用システムの紹介その２
ブルカー・オプティクス CryoSAS
14:20 - 15:05
-　極低温冷却型シリコン不純物定量システム
ブルカー・オプティクス SiBrickScan
-　シリコンインゴット酸素濃度定量システム
15:05 - 15:25
●休憩
15:25 - 16:10
● フォトルミネッセンス法による半導体および光電子材料の解析
16:10 - 16:40
● 最新の分析ツールとその応用
16:40
●謝辞/閉会
＊講演内容は予告なく変更となる場合があります。最新の情報は弊社ホームページをご覧ください
www.bruker.co.jp/optics
＊講演の主言語は英語になります
会場のご案内
トラストシティカンファレンス・京橋
東京都中央区京橋2-1-3
京橋トラストタワー4階
※JR東京駅八重洲南口より徒歩4分、
東京メトロ銀座線京橋駅7番出口より徒歩1分
ブルカー・オプティクス株式会社
本社：
〒104-0033 東京都中央区新川 1-4-1
Phone: 03-3523-6870 Fax: 03-3523-6871
大阪営業所：〒532-0004 大阪市淀川区西宮原 1-8-29
Phone: 06-6394-8118 Fax: 06-6394-9003
Website: www.bruker.co.jp/optics
E-mail: [email protected]

Download Report