CNZ1102 (ON1102), CNZ1108

透過形フォトセンサ
CNZ1102 (ON1102), CNZ1108 (ON1108)
透過形フォトセンサ
CNZ1102
Mark for
indicating
LED side
13.0±0.3
■ 特 長
10.0±0.2
3.0±0.2
2.5±0.2
7.0 min.
止
CNZ1102, CNZ1108は,
発光素子に高効率のGaAs赤外発光ダ
イオードを,
受光素子に高感度のフォトトランジスタを使い,
両
素子を向い合わせに併置し,
両素子間を通過する物体を検出す
る光複合素子です。
2-0.45±0.2
*9.6±0.3
19.0±0.2
2-φ3.2±0.2
6.2±0.2
*2.54±0.2
CNZ1108
V
50
mA
75
mW
VCEO
30
V
VECO
5
V
IC
20
mA
PC
100
mW
動作周囲温度
Topr
−25 ∼ +85
°C
保存温度
Tstg
−30 ∼ +100
°C
出力( フォト コレクタ・エミッタ間
トランジスタ) 電圧(B 開放時)
エミッタ・コレクタ間電圧
保
コレクタ電流
コレクタ損失
*2
保
守
注 ) *1 : 入力側の電力低減率はTa = 25°C 以上で 1.0 mW/°C
*2 : 出力側の電力低減率はTa = 25°C 以上で 1.33 mW/°C
13.0±0.3
3.5±0.2
3.0±0.2
Device
Center
3.0±0.3
単位
3
10.0±0.2
定格
VR
7.0 min.
記号
IF
*1
Unit : mm
Mark for indicating
LED side
PD
許容損失
4
4- 0.45±0.2
*9.4±0.3
2
*2.54±0.2
3
6.2±0.2
守
ダイオード) 順電流
1
2.5±0.2
廃
項目
3
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Collector
4 : Emitter
PISTR104-005 Package
(Note) * is dimension at the root of leads
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
逆電圧
2
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
• 位置検出精度が高い : 1.2 mm
• 出力電流が大きい
• 応答速度が速い : tr , tf = 4 µs (typ.) (CNZ1102)
6 µs (typ.) (CNZ1108)
• 出力電流の温度変化が少ない
• CNZ1108 は小形パッケージでプリント基板の有効利用可能
温度
25.0±0.35
Device
center
■ 概 要
入力( 発光
Unit : mm
3.0±0.3
無接点スイッチ,物体検知用
1 : Anode
2 : Cathode
1
4
3 : Collector
4 : Emitter
PISTR104-006 Package
(Note) * is dimension at the root of leads
内部接続図
2
3
1
4
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2004年4月
SHG00027BJD
1
CNZ1102, CNZ1108
■ 電気的・光学的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
条件
VF
IF = 50 mA
逆電流
IR
VR = 3 V
端子間容量
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
入力特性 順電圧
最小
コレクタ出力容量
CC
VCE = 10 V, f = 1 MHz
IC
VCE = 10 V, IF = 20 mA
*1
µA
200
nA
20.0
mA
V
pF
5
2.0
pF
IF = 50 mA, IC = 1 mA
0.4
CNZ1108
IF = 50 mA, IC = 0.1 mA
0.4
CNZ1102
*1
10
CNZ1102 VCE(sat)
tr
CNZ1108
CNZ1102
tf
VCC = 10 V, IC = 5 mA, RL = 100 Ω
4.0
VCC = 10 V, IC = 1 mA, RL = 100 Ω
6.0
VCC = 10 V, IC = 5 mA, RL = 100 Ω
4.0
VCC = 10 V, IC = 1 mA, RL = 100 Ω
6.0
µs
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
下降時間
V
止
上昇時間
単位
1.5
VCE = 10 V
ICEO
コレクタ・エミ
ッタ間飽和電圧
最大
1.2
50
出力特性 コレクタ・エミッタ間遮断電流
(B 開放時)
伝達特性 コレクタ電流 *2
標準
CNZ1108
µs
Sig. in
廃
注 ) 1. 入出力は電気によって行われます。
2. 本製品は耐放射線を考慮にした設計ではありません。
3. *1 : スイッチングタイム測定回路
VCC
(入力パルス)
(出力パルス)
Sig. out
RL
守
50Ω
*2 : ランク分類
ランク
保
IC (mA)
tr
S
ノンランク品
2.0 ∼ 5.0
4.0 ∼ 10.0
7.0 ∼ 20.0
> 2.0
IC  I F
102
Ta = 25°C
VCE = 10 V
Ta = 25°C
IC
20
10
コレクタ電流 IC (mA)
順電流 IF (mA)
50
30
0
−25
40
30
20
10
1
10−1
10
0
20
40
60
周囲温度 Ta (°C)
2
IF  V F
60
保
守
順電流 IF , コレクタ電流 IC (mA)
40
tf
R
IF , I C  T a
50
tr : 上昇時間
tf : 下降時間
Q
60
IF
90%
10%
80
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
順電圧 VF (V)
SHG00027BJD
2.0
2.4
10−2
10−1
1
10
順電流 IF (mA)
102
CNZ1102, CNZ1108
VF  T a
IC  VCE
102
0
40
10−1
102
10
10−4
−40
0
40
周囲温度 Ta (°C)
廃
80
上昇時間 tr (µs)
10 V
守
10−3
VCE = 24 V
40
0
−40
0
40
VCC = 10 V
Ta = 25°C
RL = 1 kΩ
10
500 Ω
100 Ω (CNZ1108)
100 Ω (CNZ1102)
1
Sig. in
VCC
Sig. V1
out
V2 V2
RL
V1
50 Ω
10−1
10−2
10−1
tr
td
1
コレクタ電流 IC (mA)
90%
10%
80
周囲温度 Ta (°C)
∆IC  d
100
基準0
d
80
60
40
20
tf
10
0
0
1
2
3
4
5
6
距離 d (mm)
保
守
10−2
80
tr  I C
102
10−1
120
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
1
1
VCE = 10 V
IF = 20 mA
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
103
10
保
コレクタ・エミッタ間遮断電流 (B開放時) ICEO (µA)
10 mA
1
10−2
10−1
80
周囲温度 Ta (°C)
ICEO  Ta
20 mA
相対コレクタ電流 ∆IC (%)
0
−40
10
止
0.4
コレクタ電流 IC (mA)
順電圧 VF (V)
10 mA
0.8
Ta = 25°C
IF = 30 mA
IF = 50 mA
1.2
∆IC  Ta
160
相対コレクタ電流 ∆IC (%)
1.6
SHG00027BJD
3
安全上のご注意
■ 本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。
ガリウムひ素の粉末や蒸気は、人体に対し危険ですので、同製品の燃焼、
破壊、切断、粉砕および化学的な分解を行わないでください。
また、本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、一般産業廃棄物や家庭
用ごみと混ぜないでください。
危険
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
(2)
本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権
もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三
者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。
予
最 一 定品
新 括 種
の し 、
ht 情 て 保
tp 報 保 守
:// は 守 品
w ホ 廃
w
w ー 止 種、
.s ム と 廃
em ペ 表
ic ー 記 予定
on ジ し
.p を て 品種
an ご い
as 覧 ま 、
on く す 廃品
ic だ 。 種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(1)
廃
(3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること
を意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
守
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
保
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)
による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。