Neuentwicklungen CSAR 62 • Electra 92 • AR-N 7520

Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Produktinformation - Neuentwicklungen
CSAR 62 • Electra 92 • AR-N 7520
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Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
DIE ALLRESIST GMBH
Gesellschaft für chemische Produkte
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Neuentwicklungen 2013 - 2015
zur Mikrostrukturierung mbH
Die Allresist GmbH bietet eine breite Palette an
Resists und Prozesschemikalien für alle Standardprozesse der Photo- und E-Beam-Lithographie zur
Herstellung elektronischer Bauteile an.
Als unabhängiger Resisthersteller entwickeln, produzieren und vertreiben wir unsere Produkte selbst.
Seit 1992 auf dem Markt, nutzt Allresist ihr Know
how aus 30 jähriger Resistforschung und produziert
ihre Produkte in höchster Qualität (ISO 9001 : 2008).
Die geschäftsführenden Gesellschafter
Als chemischer Betrieb sind wir uns der besonderen Verpflichtung für eine gesunde Umwelt bewusst.
Ein verantwortlicher, schonender Ressourcenumgang
und freiwilliger Ersatz umweltgefährdender Produkte
sind gelebte Politik. Allresist ist umweltzertifiziert (ISO
14001) und Umweltpartner des Landes Brandenburg.
Ein Fall für Zwei: Positiv
empfindlich
preisgünstige ZEPAlternative
hohe Auflösung
10 nm
CSAR 62
prozess- &
plasmaätzstabil
AR-PC
5090.02
für isolierende
Substrate
Electra 92
leitfähig
Das Unternehmen ist mit seiner umfangreichen Produktpalette weltweit vertreten. Neben unseren Standardartikeln fertigen wir kundenspezifische Produkte.
einfaches
Removing
Darüber hinaus entwickelt Allresist innovative Produkte für Zukunftstechnologien wie z.B. die Mikrosystemtechnik und Elektronenstrahllithographie.
In diesen Wachstumsmärkten werden leistungsfähige,
empfindliche und hochauflösende Lacke benötigt.
Unsere neu entwickelten E-Beamresists CSAR 62
und AR-N 7520 entsprechen diesen Forderungen
und befördern mit ihren exzellenten Eigenschaften
wegweisende Technologien. Mit Electra 92 als TopLayer können E-Beamresists auch auf isolierenden
Schichten wie Glas, Quarz, GaAs verarbeitet werden.
32 nm-Technologie mit SX AR-N 7520/4 = AR-N 7520.07 neu
2
AR-PC
5091.02
langzeitstabil
AR-N 7520 neu
negativ
Unser Team
Unser flexibles Eingehen auf Kundenwünsche verbunden mit einer effizienten Produktionstechnologie erlauben eine rasche Verfügbarkeit. Daraus resultieren sehr
kurze Lieferzeiten, kleine Abpackungen ab ¼ l, 30 ml
Testmuster sowie ein individueller Beratungsservice.
Allresist wurde für ihre wissenschaftlichen und wirtschaftlichen Spitzenleistungen vielfach ausgezeichnet
(Technologietransferpreis, Innovationsspreis, Kundenchampions, Qualitätspreis und Ludwig-Erhard-Preis).
Interessante Neuigkeiten und weitere Informationen
haben wir für Sie auf unserer Website zusammengestellt. In unserem Resist-WIKI und den FAQ können
Sie rasch Antworten auf viele Fragen finden.
WWW.ALLRESIST.DE
empfindlich
prozess- &
plasmaätzstabil
hohe Auflösung
25 nm
Ein Fall für Zwei: Negativ
Stand: Sept. 2015
Stand: Januar 2016
10 nm-Strukturen mit dem AR-P 6200 = CSAR 62 (100 nm pitch)
preiswerte EpacerAlternative
positiv
3
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Pr o z essb ed i n gu n gen
AR-P 6200 E-Beam Resists höchster Auflösung
Kontrastreiche E-Bemresists für die Herstellung integrierter Schaltkreise und Masken
Charakterisierung
Eigenschaften I
- E-Beam; Schichtdicken 0,05-1,6 µm (6000-1000 rpm)
- hohe, über Entwickler einstellbare Empfindlichkeit
- höchstauflösend (< 10 nm) und sehr hoher Kontrast
- sehr prozessstabil, sehr plasmaätzresistent
- leichte Erzeugung von Lift-off-Strukturen
- Poly(α-methylstyren-co-α-chloracrylsäuremethylester) und ein Empfindlichkeitsverstärker
- Safer Solvent Anisol
Parameter / AR-P 6200
.18
Feststoffgehalt (%)
18
Viskosität 25 °C (mPas)
29
Schichtdicke/4000 rpm (µm) 0,80
Auflösung bester Wert (nm)
Kontrast
Flammpunkt (°C)
Lagerung bis 6 Monate (°C)
Spinkurve
Eigenschaften II
Glas-Temperatur (°C)
Dielektrizitätskonstante
Cauchy-Koeffizienten
Plasmaätzraten (nm/min)
(5 Pa, 240-250 V Bias)
.13
13
11
0,40
.04
4
2
0,08
Dieses Schema zeigt ein Prozessierungsbeispiel für die Resists AR-P 6200. Die Angaben sind Richtwerte, die
auf die eigenen spezifischen Bedingungen angepasst werden müssen. Weitere Angaben zur Prozessierung
 „Detaillierte Hinweise zur optimalen Verarbeitung von E-Beamresists“. Empfehlungen zur Abwasserbehandlung
und allgemeine Sicherheitshinweise  „Allgemeine Produktinformationen zu Allresist-E-Beamresists“.
Beschichtung
AR-P 6200.09
4000 rpm, 60 s
0,2 µm
Temperung (± 1 °C)
150 °C, 1 min hot plate oder
150 °C, 30 min Konvektionsofen
128
2,8
80 CF4
+ 16 O2
Strukturauflösung
.09
9
6
0,20
6
14
44
8 - 12
N0
N1
N2
Ar-Sputtern
O2
CF4
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
E-Beam-Bestrahlung
Raith Pioneer, Beschleunigungsspannung 30 kV
Bestrahlungsdosis (E0): 65 µC/cm²
Entwicklung
Stoppen / Spülen
AR 600-546
1 min
AR 600-60, 30 s, DI-H2O, 30 s
Nachtemperung
(optional)
130 °C, 1 min hot plate oder 130 °C, 25 min Konvektionsofen
für leicht verbesserte Plasmaätzbeständigkeit
Kundenspezifische
Technologien
z.B. Erzeugung der Halbleitereigenschaften
Removing
AR 600-71 oder O2-Plasmaveraschung
(21-23 °C ± 0,5 °C) Puddle
1,543
71,4
0
10
180
45
99
Resiststrukturen
Plasmaätzresistenz
AR-P 6200.09
AR-P 6200.04
25-nm-Strukturen,
Schichtdicke 180 nm,
Artwork
4
Prozessparameter
Prozesschemikalien
Substrat
Temperung
Belichtung
Entwicklung
Haftvermittler
Entwickler
Verdünner
Stopper
Remover
Si 4“ Wafer
150 °C, 60 s, hot plate
Raith Pioneer, 30 kV
AR 600-546, 60 s, 22 °C
AR 300-80
AR 600-546, 600-549
AR 600-02
AR 600-60
AR 600-71, 300-76
Stand: Januar 2016
Stand: Januar 2016
Auflösung bis zu 6 nm bei einer
Schichtdicke von 80 nm
CSAR 62 zeichnet sich durch eine
hohe Plasmaätzresistenz aus. Hier
werden die Ätzraten vom AR-P
6200.09 mit denen vom AR-P 3740
(Photoresist), von AR-P 679.04
(PMMA-Resist) und ZEP 520A in
CF4 + O2 Plasma verglichen.
5
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Verarbeitungshinweise
E-Beambelichtung: Die notwendige E-Beam-Bestrahlungsdosis zur Strukturabbildung hängt von der gewünschten
minimalen Strukturgröße, dem Entwickler, der Beschleunigungsspannung (1-100 kV) und der Schichtdicke ab.
Die Bestrahlungsdosis des AR-P 6200.09 beträgt bei diesem Versuch ( Abb. Vergleich CSAR 62 und PMMA)
55 µC/cm² (Dose to clear D0, 30 kV, 170 nm Schicht,
Entwickler AR 600-546, Si-Wafer). Der Kontrast wurde
hier mit 14,2 bestimmt.
Damit ist der CSAR 62 im Vergleich zum Standard-PMMA
AR-P 679.03, 3x empfindlicher (entwickelt im AR 600-56)
bzw. 6x empfindlicher (entwickelt im AR 600-60). Auch
der Kontrast ist hierbei um den Faktor 2 bzw. 1,4 höher.
Eine zusätzliche Empfindlichkeitssteigerung durch einen
Empfindlichkeitsverstärker erfolgt bereits bei der Bestrahlung. Somit ist ein Post-Exposure-Bake nicht erforderlich.
Für die Erzeugung von 10 nm Gräben (174 nm Schicht,
100 nm Pitch) benötigt der AR 6200.09 eine Dosis von
ca. 220 pC/cm (30 kV, Entwickler AR 600-546)
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Verarbeitungshinweise
Entwicklung: Zur Entwicklung der belichteten Resistschicht eignen sich die Entwickler AR 600-546, 600-548
und 600-549. Der Entwickler AR 600-546 gewährleistet
als schwächerer Entwickler ein breiteres Prozessfenster.
Verwendet man den stärkeren Entwickler AR 600-548,
kann die Empfindlichkeit um das 6-fache auf < 10 µC/cm²
gesteigert werden. Der mittelstark wirkende Entwickler
AR 600-549 macht den CSAR 62 doppelt so empfindlich
im Vergleich zu dem AR 600-546, zeigt er ebenfalls keinen
Dunkelabtrag, der Kontrast liegt bei 4.
Für die Tauchentwicklung werden Entwicklungszeiten von
30-60 Sekunden empfohlen. Mit dem Entwickler AR 600546 ist auch nach 10 Minuten kein Abtrag an den unbelichteten Flächen bei Raumtemperatur messbar.
Dagegen greift der Entwickler AR 600-548 schon nach
zwei Minuten die Resistoberfläche erkennbar an. Wird
jedoch bei einer Entwicklertemperatur um 0 °C gearbeitet, findet auch nach 5 Minuten kein Abtrag (jedoch unter
Empfindlichkeitseinbuße) statt.
Lift-off-Strukturen: Der Resist CSAR 62 eignet sich sehr
gut zur Erzeugung von lift-off-Strukturen bei einer Auflösung von bis zu 10 nm. Mit einer etwa 1,5-2 fach höheren
Dosis lassen sich mit dem AR-P 6200.09 schmale Gräben
mit einem definierten Unterschnitt erzeugen:
Hohe Schichten für Spezial-Anwendungen:
Mit dem AR-P 6200.13 lassen sich Schichtdicken bis 800
nm und mit dem AR-P 6200.18 bis 1,5 µm erzeugen.
Unterschnittene Strukturen durch erhöhte Dosis
AR-P 6200.13: 100-nm-Gräben bei 830 nm hoher Schicht
Nach dem Bedampfen mit Metall und dem anschließenden leicht auszuführenden Liften bleiben die Metallstrukturen zurück:
Der CSAR 62 findet auch Einsatz in verschiedenen Zweilagen-Systemen. Dabei kann er sowohl als Bottom- als
auch als Top-Resist eingesetzt werden:
19-nm-Metallbahnen nach Liftprozess mit AR-P 6200.09
AR-P 6200.09 hier als Top-Resist für extreme Lift-off-Anwendungen
Nach dem Entwickeln sollte der Vorgang rasch gestoppt
werden. Dazu wird das Substrat für 30 Sekunden im
Stopper AR 600-60 bewegt. Optional kann das Substrat
zur Entfernung der letzten Lösemittelreste danach noch
für 30 Sekunden mit DI-Wasser gespült werden.
Hinweis: Dabei ist jedoch zu berücksichtigen, dass es
durch intensive Spülprozesse zum Kollabieren kleiner
Strukturen kommen kann ( untenstehende Abb.).
Eine Nachtemperung für spezielle Arbeitsgänge bis max.
130 °C führt zu einer leicht verbesserten Ätzbeständigkeit
bei nasschemischen und plasmachemischen Prozessen.
Ein weiteres Einsatzgebiet für den CSAR 62 sind
Maskblanks. Sie werden mit unserem Lack beschichtet
und von unseren Partnern angeboten:
6
CrAu-Test-Strukturen mit einer Linienbreite von 26 nm
Maximale Auflösung CSAR 62 von 10 nm (180 nm)
Gefahr von kollabierten Stege nach zu langem Rinse
Bei einer Schichtdicke von 380 nm werden mit dem AR-P
6200.13 auf einer Chrom-Maske 100 nm lines&spaces erreicht.
Die Empfindlichkeit beträgt 12 µC/cm² (20 kV, AR 600-548).
Stand: Januar 2014
Stand: Januar 2014
Vergleich D0 und Kontrast CSAR 62 und PMMA
7
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Anwendungsbeispiele für CSAR 62
Künftig können mit CSAR 62 Schaltkreise für den 5Ghz
Bereich hergestellt werden, die vor allem für die drahtlose Bluetooth oder Wi-Fi-Technik genutzt werden. Die
E-Beam-Lithographie wird auch bei der Erforschung von
Nanomaterialien wie Graphen, dreidimensionalen integrierten Schaltkreisen sowie bei optischen und Quantencomputern benötigt. Bei all diesen Technologien wird die
Rechenleistung oder Speicherdichte gesteigert. Im Bereich höchster Rechneranforderungen, z.B. bei der numerischen Strömungssimulation oder bei der Raumfahrt, sind
Mikrochips mit allerhöchster Integrationsdichte gefragt.
CSAR 62 auf Maskenblanks
Experten am HHI Berlin haben den CSAR 62 auf Maskenblanks getestet (s. Abb. 1). Sie erreichten auf Anhieb eine
Auflösung von 50 nm, was für Masken ein ausgezeichneter Wert ist. Aktuell werden auf Masken minimal 100
nm Linien genutzt. Zurzeit erfolgen Probebeschichtungen
von Maskenblanks mit CSAR 62, sie werden in absehbarer Zeit allen Kunden über unseren Partner angeboten.
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Anwendungsbeispiele für CSAR 62
Beim trockenchemischen Ätzen, zum Beispiel bei der Strukturierung von Siliziumnitrid, bietet der CSAR das Beste aus
zwei Welten: Zum einen erlaubt er den Einsatz als hochauflösender Positivresist analog zum PMMA, zum anderen
bietet er eine Ätzstabilität, die eher dem Novolak entspricht. Hierdurch können Strukturen mit steilen Flanken
erzeugt werden, die die notwendige Ätzstabilität bieten
und die häufig auftretende, störende Facettierung an den
Rändern vermeiden.
Abb. 2 Kontrastkurven AR-P 6200 und ZEP 520A, 50kV, Substrat: Si; ZEP 520A, Schichtdicke 220 nm, 60 s ZED N-50, Kontrast 6; AR-P 6200, Schicht: 260 nm, 60 s AR 600-546, Kontrast 9
CSAR 62 für die höchstauflösende Lithographie
In der Fachgruppe Nanostrukturierte Materialien der
MLU Halle wird CSAR 62 vor allem für die höchstauflösende Lithographie für den Lift-off und als Ätzmaske für
trockenchemische Ätzprozesse verwendet. Er zeigt hier
mehrere besondere Vorteile. Er erreicht die hohe Auflösung von PMMA, jedoch bei deutlich niedrigerer Dosis.
Durch den hohen Kontrast werden senkrechte Resistflanken erzeugt, die auch bei dünnen Schichten einen sicheren lift-off ermöglicht. Das erlaubt einen gleichmäßigen
Lift-off bis zu 20 nm:
Üblicherweise wird CSAR 62 bei Schichtdicken zwischen
50 und 300 nm eingesetzt. Intensives Plasmaätzen zur
Herstellung tiefer Ätzstrukturen erfordert jedoch noch
deutlich dickere Resistschichten und stellt besondere Anforderungen an Auflösung und Kontrast. Deshalb wurde
der AR-P 6200.18 für hohe Schichtdicken von 0,6-1,6 µm
entwickelt. Damit lassen sich besonders gut hohe Metallstrukturen mittels Lift-off, tiefe Plasmaätzprozesse oder
Nanowires realisieren.
Abb. 5 Lift-off Strukturen mit starkem Unterschnitt bei einer
Schichtdicke von 800 nm
8
Herstellung von plasmonischen Nanomaterialien
In der Arbeitsgruppe Quantendetektion der Aarhus University Denmark, die seit vielen Jahren ElektronenstrahlProjekte für Nanostrukturierung erfolgreich vorantreibt,
wurde besonders die hohe Prozessstabilität des CSAR
62 gegenüber dem ZEP 520A herausgestellt. Mit CSAR
können kleine Prozessschwankungen wieder wettgemacht werden, die gewünschte hohe Auflösung ist auch
dann garantiert. Außerdem erreicht der Allresist-Lack in
Vergleichsmessungen mit dem ZEP 1,5-fach höhere Kontrastwerte (siehe Abb. 2).
Abb. 3 Chrom-Strukturen mit 20 nm Linien nach dem Lift-off
Beim Lift-off von Metallstrukturen, z.B. bei der Kontaktierung von Nanodrähten, werden 30-50 nm Abmessungen
benötigt. Diese sind zwar auch mit anderen Resists realisierbar, die beim CSAR 62 vorhandene „Auflösungsreserve“ ermöglicht jedoch eine deutlich verbesserte Strukturtreue sowie ein schnelleres Design mit weniger Iterationen:
Abb. 6 AR-P 6200.13, 823 nm Schicht, Dosis: 1440 pC/cm
Abb. 4 Typische Struktur zur Kontaktierung von Nanodrähten,
große Flächen sind mit kleinen Details gemischt
Abb. 7 Senkrechte Strukturen bei einer Flächendosis von
120 µC/cm² für Nanowires
Vergleich CSAR 62 vs. ZEP 520A
Bei einem führenden Elektronenstrahlgeräte-Hersteller wurde CSAR 62 mit ZEP 520A verglichen.
Auf der aktuellen E-Beam-Maschine SB 250 (Vistec GmbH)
wurden drei vergleichende Untersuchungen des CSAR 62
(AR-P 6200.09) und des ZEP 520A hinsichtlich Strukturauflösung, Kontrast und Empfindlichkeit in ihren jeweils systemeigenen Entwicklern durchgeführt:
1. Strukturauflösung: Ein Vergleich der 90-nm-Stege beider
Resists (siehe Abb. 8 und 9) in der Mitte eines Siliziumwafers bei einer Schichtdicke von 200 nm zeigt, dass sowohl CSAR als auch ZEP eine exzellente Strukturauflösung
(Grabenbreite 91 nm, Pitch 202 nm) und vergleichbare
Prozessfenster aufweisen:
Abb. 8 links ZEP 520A, 200 nm, ZED N50, 50kV, 80 µC/cm²
Abb. 9 rechts AR-P 6200.09, 200 nm, AR 600-546, 50 kV, 85 µC/cm²
2. Kontrast: Im Diagramm (Abb. 10) wird der Kontrast beider Lacke verglichen: der ZEP 520A in seinem Systementwickler ZED-N50 und der CSAR in zwei Systementwicklern AR 600-546 und 600-549.
Abb. 10 Kontrast ZEP 520A, 200 nm, ZED N50 sowie
AR-P 6200.09, 200 nm, AR 600-546 und AR 600-549
Stand: Januar 2016
Stand: Januar 2016
Abb. 1 CSAR 62-Teststruktur auf Maskenblank mit 50 nm
Stegen und 50 nm Gräben; pitch line & space hier 99,57 nm
Trotzdem lassen sich bei einer Schichtdicke von 800 nm
Gräben einer Breite < 100 nm erzeugen. Der hohe Kontrast wird durch Einsatz unseres Entwicklers AR 600-546
ermöglicht. Erhöht man die Bestrahlungsdosis, kann der
Grad des erzeugten Unterschnitts gezielt eingestellt werden (Abb. 5 + 6). Hiermit kann jeder Anwender das für
seinen Lift-off-Prozess günstigste Profil auswählen.
Werden in solch dicken Schichten Kreise belichtet und
entwickelt, können durch eine hohe Metallabscheidung
(Bedampfen, Sputtern oder Galvanik) Säulen (Nanowires)
erzeugt werden (siehe senkrechte Flanken in Abb. 7).
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Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Anwendungsbeispiele für CSAR 62
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Positiv - E-Beam Resists AR-P 6200 (CSAR 62)
Anwendungsbeispiele für CSAR 62
Während die Systeme ZEP-ZED-N50 und CSAR-AR 600549 nahezu gleich gute Kontraste ergeben, verdoppelt sich
der Kontrast des CSAR im hierfür optimierten Entwickler
AR 600-546 nahezu, was CSAR auch für höchste Auflösungen prädestiniert (Abb. 10).
In Abb. 14-16 sind die Empfindlichkeiten und Auflösungen
des AR-P 6200.04 bei 6 °C und 21 °C (Entwickler AR
600-546) dargestellt. Aufgrund des hohen Kontrastes bei
6 °C konnte eine Auflösung von 6 nm erzielt werden. Die
verwendeten Dosen (z.B. #1 = 45 µC/cm²) sind in der
Tabelle in Abb. 17 aufgeführt.
Abb. 12 Hochpräzise L-Strukturen, erzeugt mit dem ZweilagenSystem AR-P 6200.09 / AR-P 617.06; rechts Zweilagensystem
Abb. 11 Empfindlichkeit ZEP 520 A, 200 nm, ZED-N50 sowie
AR-P 6200.09, 200 nm, AR 600-548 und 600-549
3. Empfindlichkeit (Dose to Clear): Das Diagramm (siehe
Abb. 11) zeigt die benötigte Dosis beider Lacke auf gutem Niveau. Jedoch sind auch hier die CSAR Resist-Entwicklersysteme empfindlicher (mit AR 600-549 12% und
AR 600-548 51%) als das ZEP Resist-Entwicklersystem:
Aus allen drei Versuchen geht hervor, dass CSAR 62 sehr
gut mit ZEP 520A konkurrieren kann und sogar tlw. günstigere Parameter besitzt, die sich auch aus der Entwicklervielfalt ergeben.
10
Aufgabenstellung am IAP der Friedrich-Schiller-Universität Jena war die Herstellung sehr kleiner, hoch präziser
Rechteckstrukturen. Dazu wurde ein Zweischichtsystem
aus dem Top Layer AR-P 6200.09 und dem Bottom Layer AR-P 617.06 aufgebaut. Nach der Belichtung mit EBeam Writer Vistec SB 350OS wurde CSAR 62 mit dem
Entwickler AR 600-546 strukturiert, anschließend der
Bottom-Layer mit dem Entwickler AR 600-55 entwickelt.
Dann erfolgte die Beschichtung mit Gold. Der Lift-off
wurde mit einem Gemisch aus Aceton und Isopropanol
durchgeführt. Die Strukturen sind in Abb. 12 gezeigt. Die
Strukturgrößen betragen 38 nm bei Strukturabständen
von etwa 40 nm. Besonders positiv zu bewerten sind die
kleinen Krümmungsradien an der Ecke der „L“-Innenseite.
Abb. 16 max. Auflösung von 6 nm bei 235 pC/cm bei 6 °C
Abb. 14 CSAR 62 Strukturen bei 6 °C, opt. Dosis 195 pC/cm
Abb. 13 Unterschiedliche Belichtungsdesigns und die resultierenden Quadratstrukturen (mitte: A, rechts: B)
CSAR 62 – Entwicklung bei tieferen Temperaturen
Die Empfindlichkeit des CSAR 62 kann durch die Wahl
des Entwicklers beeinflusst werden. Im Vergleich zum
Standard-Entwickler AR 600-546 kann die Empfindlichkeit
bei der Verwendung des AR 600-548 fast verzehnfacht
werden. Allerdings geht damit ein beginnender Abtrag der
unbestrahlten Resistflächen einher. Der ist zu einem bestimmten Maß tolerabel: Wenn man z.B. immer 10 % der
Schicht verliert, kann das vorher eingeplant werden. Diesen Abtrag kann man jedoch auch vermeiden, wenn man
bei tieferen Temperaturen entwickelt. Allerdings verliert
man dadurch wiederum einen Teil der gewonnenen Empfindlichkeit. Es läuft also auf eine Optimierung des Prozesses hinaus. Die tieferen Temperaturen räumen aufgrund
der schonenden Entwicklung die Möglichkeit einer Kontraststeigerung oder geringeren Kantenrauigkeit ein.
Abb. 17 Dosis-Werte für Abb. 14-15
Abb. 15 CSAR 62 Strukturen bei 21 °C, opt. Dosis 121 pC/cm
Stand: Januar 2016
Stand: Januar 2016
Hochpräzise Lift-off-Strukturen mit dem Zweilagensystem
CSAR 62 / AR-P 617
CSAR 62 – hochpräzise Quadratstrukturen
Eine ähnliche Zielstellung wurde von dieser Arbeitsgruppe
bei der Erzeugung von Quadratstrukturen angestrebt. Auch
hier sollten die Ecken über eine besonders gute Auflösung
verfügen. Dazu wurde CSAR 62 in einer Schichtdicke von
100 nm mit 50 kV bestrahlt und mit dem Entwickler AR
600-546 entwickelt. Neben den exzellenten Eigenschaften
des CSAR 62 ist das Bestrahlungsdesign von entscheidender Bedeutung (siehe Abb. 13, Mitte: A und rechts: B).
11
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Protective Coating PMMA-Electra 92 (AR-PC 5090)
Pr o z essb ed i n gu n gen
Leitfähiger Schutzlack für nichtnovolakbasierte E-Beamresists
Top-Layer zur Ableitung von E-Beam-Aufladungen auf isolierenden Substraten
Charakterisierung
Eigenschaften I
- ist als Schutzlack nicht licht-/strahlungsempfindlich
Parameter / AR-PC
Feststoffgehalt (%)
Viskosität 25°C (mPas)
Schichtdicke/4000 rpm (nm)
Schichtdicke/1000 rpm (nm)
Auflösung (µm) / Kontrast
Flammpunkt (°C)
Lagerung bis 6 Monate (°C)
- dünne, leitfähige Schichten zur Ableitung von
Aufladungen bei der Elektronenbestrahlung
- zur Beschichtung auf PMMA, CSAR 62, HSQ u.a.
- langzeitstabile, preisgünstige Espacer-Alternative
- leichtes Removing mit Wasser nach Bestrahlung
- Polyanilin-Derivat gelöst in Wasser und Isopropanol
Leitfähigkeit
Plasmaätzraten (nm/min)
(5 Pa, 240-250 V Bias)
80 CF4
+ 16 O2
Stand: Januar 2016
150 °C, 30 min Konvektionsofen
Auf Quarz geschriebene 200 nm
große Quadrate
ohne Verzeichnungen
durch Aufladungen
mit AR-P 662.04 und
AR-PC 5090.02.
Substrat
Beschichtung
Temperung
Haftvermittler
Entwickler
Verdünner
Remover
4“ Quarz-Wafer mit AR-P 662.04
2000 rpm, 60 nm auf E-Beamresist
85 °C
-
Resiststrukturen nach Ableitung von Aufladungen
Prozesschemikalien
DI-Wasser
150 °C, 2 min hot plate oder
2. Beschichtung
AR-PC 5090.02
2000 rpm, 60 s , 60 nm
2. Temperung (± 1 °C)
90 °C, 2 min hot plate oder
85 °C, 25 min Konvektionsofen
E-Beam-Bestrahlung
ZBA 21, 20 kV
Bestrahlungsdosis (E0): 110 µC/cm² (AR-P 662.04, 140 nm)
Removing
AR-PC 5090.02
DI-H2O, 60 s
Entwicklung
(21-23 °C ± 0,5 °C) Puddle
Stoppen
AR-P 662.04
AR 600-56, 2 min
AR 600-60, 30 s
Nachtemperung
optional
130 °C, 1 min hot plate oder 130 °C, 25 min Konvektionsofen
für eine leicht verbesserte Plasmaätzbeständigkeit
Kundenspezifische
Technologien
Erzeugung der Halbleitereigenschaften, Ätzen, Sputtern
Removing
AR 600-71 oder O2-Plasmaveraschung
Verarbeitungshinweise
Über die Einstellung der Schichtdicke durch unterschiedliche Drehzahlen kann die Leitfähigkeit variiert werden. So
haben dickeren Schichten von 90 nm gegenüber 60 nm eine um 2,5 fach höhere Leitfähigkeit.
Für die Ausbildung einer gleichmäßigen Schicht sollte erst die Resistlösung das gesamte Substrat benetzen, ehe der
Schleudervorgang gestartet wird.
Stand: Januar 2016
12
1. Temperung (± 1 °C)
1,2
N0
N1
N2
Ar-sputtern
O2
CF4
AR-P 662.04 auf isolierenden Substraten (Quarz, Glas, GaAs)
4000 rpm, 60 s, 100 nm
5090.02
2
1
42
100
28
8 - 12
Leitfähigkeit in Schicht,
60 nm (S/m)
Cauchy-Koeffizienten
Prozessparameter
Das Schema zeigt ein Prozessierungsbeispiel für den leitfähigen Schutzlack AR-PC 5090.02 und PMMA-Resist AR-P
662.04. Die Angaben sind Richtwerte, die auf die eigenen spezifischen Bedingungen angepasst werden müssen.
1. Beschichtung
Eigenschaften II
Widerstandsmessungen der durch Schleuderbeschichtung erzeugten Schichten des AR-PC 5090
Mit dünneren Schichten nehmen der Widerstand zu
und die Leitfähigkeit ab.
Protective Coating PMMA-Electra 92 (AR-PC 5090)
13
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Protective Coating Novolak-Electra 92 (AR-PC 5091)
Pr o z essb ed i n gu n gen
Leitfähiger Schutzlack für novolakbasierte E-Beamresists
Top-Layer zur Ableitung von E-Beam-Aufladungen auf isolierenden Substraten
Charakterisierung
Eigenschaften I
- ist als Schutzlack nicht licht-/strahlungsempfindlich
Parameter / AR-PC
Feststoffgehalt (%)
Viskosität 25°C (mPas)
Schichtdicke/4000 rpm (nm)
Schichtdicke/1000 rpm (nm)
Auflösung (µm) / Kontrast
Flammpunkt (°C)
Lagerung bis 6 Monate (°C)
- dünne, leitfähige Schichten zur Ableitung von
Aufladungen bei der Elektronenbestrahlung
- Beschichtung auf Novolak E-Beamres. wie AR-N 7000
- langzeitstabile, preisgünstige Espacer-Alternative
- leichtes Removing mit Wasser nach Bestrahlung
- Polyanilin-Derivat gelöst in Wasser und Isopropanol
Leitfähigkeit
N0
N1
N2
Ar-sputtern
O2
CF4
-
Resiststrukturen nach Ableitung von Aufladungen
Auf Glas geschriebene 50 nm Linien
bei einem pitch von
150 nm mit AR-N
7520.07 neu und
AR-PC 5091.02
Haftvermittler
Entwickler
Verdünner
Remover
4“ Quarz-Wafer mit 7520.07 neu
2000 rpm, 60 nm auf E-Beamresist
50 °C
2. Beschichtung
AR-PC 5091.02
2000 rpm, 60 s , 50 nm
2. Temperung (± 1 °C)
50 °C, 2 min hot plate oder
E-Beam-Bestrahlung
Raith Pioneer, Beschleunigungsspannung 30 kV
Bestrahlungsdosis (E0): 30 µC/cm², 100 nm spaces & lines
Removing optional
AR-PC 5091.02 (Removingschritt kann auch gleichzeitig mit dem
nachfolgenden Entwicklungsschritt erfolgen)
DI-H2O, 60 s
Entwicklung
(21-23 °C ± 0,5 °C) Puddle
Spülen
AR-N 7520.07 neu
AR 300-47, 50 s
DI-H2O
Nachtemperung
optional
85 °C, 1 min hot plate oder 85 °C, 25 min Konvektionsofen
für eine leicht verbesserte Plasmaätzbeständigkeit
Kundenspezifische
Technologien
Erzeugung der Halbleitereigenschaften, Ätzen, Sputtern
Removing
AR 600-70 oder O2-Plasmaveraschung
Verarbeitungshinweise für den Schutzlack
DI-Wasser
Über die Einstellung der Schichtdicke durch unterschiedliche Drehzahlen kann die Leitfähigkeit variiert werden. So
haben dickeren Schichten von 90 nm gegenüber 60 nm eine um 2,5 fach höhere Leitfähigkeit. Bei ggf. auftretender
Rissbildung nach Tempern des Schutzlackes kann auch auf die Temperung verzichtet werden.
Für die Ausbildung einer gleichmäßigen Schicht sollte erst die Resistlösung das gesamte Substrat benetzen, ehe der
Schleudervorgang gestartet wird.
Stand: Januar 2016
Stand: Januar 2016
80 CF4
+ 16 O2
Substrat
Beschichtung
Temperung
85 °C, 1 min hot plate oder
85 °C, 30 min Konvektionsofen
1,2
(5 Pa, 240-250 V Bias)
14
1. Temperung (± 1 °C)
45 °C, 25 min Konvektionsofen
Plasmaätzraten (nm/min)
Prozesschemikalien
AR-N 7520.07 neu auf isolierenden Substraten (Quarz, Glas, GaAs)
4000 rpm, 60 s, 80 nm
5091.02
2
1
31
80
39
8 - 12
Leitfähigkeit in Schicht,
60 nm (S/m)
Cauchy-Koeffizienten
Prozessparameter
Das Schema zeigt ein Prozessierungsbeispiel für den leitfähigen Schutzlack AR-PC 5091.02 und E-Beamresist AR-N
7520.07 neu. Die Angaben sind Richtwerte, die auf die eigenen spezifischen Bedingungen angepasst werden müssen.
1. Beschichtung
Eigenschaften II
Widerstandsmessungen der durch Schleuderbeschichtung erzeugten Schichten des AR-PC 5091. Mit dünneren Schichten nehmen der Widerstand zu und die
Leitfähigkeit ab.
Hinweis: Novolak-basierte E-Beamresists besitzen
andere Oberflächeneigenschaften als CSAR 62 bzw.
PMMA. Deshalb wurde der AR-PC 5091 mit einer
anderen Lösemittelzusammensetzung konzipiert. Ansonsten ist jedoch die Polymerzusammensetzung von
AR-PC 5090 und 5091 gleich, so dass wir bei beiden
Lacken von Electra 92 sprechen.
Protective Coating Novolak-Electra 92 (AR-PC 5091)
15
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Protective Coating Electra 92
Anwendungsbeispiele für PMMA-Electra 92
Lagerfähigkeit Electra 92
Leitfähigkeitsverhalten unterschiedlich lang gelagerter Chargen Electra 92
Die Leitfähigkeit wurde in Abhängigkeit von der Messtemperatur ermittelt. Bei Temperaturen < 100 °C
sind beide Leitfähigkeiten nahezu identisch. Demnach besitzt Electra 92 eine sehr hohe Lagerstabilität.
Eine Messung der Leitfähigkeit bis 160 °C direkt auf einer
Hotplate führt zu einer großen Erhöhung der Leitfähigkeit um
den Faktor 10 (siehe Diagramm). Dieser Fakt beruht auf der
vollständigen Entfernung des Wassers aus der Schicht. Nach
einigen Stunden Aufnahme der Luftfeuchtigkeit unter Raumbedingungen sinkt die Leitfähigkeit auf den Ausgangswert zurück. Im Hochvakuum des E-Beam-Gerätes wird das Wasser
ebenfalls restlos entfernt, die Leitfähigkeit steigt. Das wurde
bei direkten Messungen der Leitfähigkeit im mittleren Vakuum
nachgewiesen. Temperaturen größer 165 °C wiederum zerstören das Polyanilin irreversibel, die Leitfähigkeit verschwindet.
CSAR 62 auf Glas mit Electra 92 zur Ableitung
CSAR 62 und Electra 92 auf Glas
Stand: Janaur 2016
Anwendungsbeispiele für Novolak-Electra 92
Electra 92 mit HSQ auf Quarz
Electra 92 und AR-N 7700 auf Glas
Glas 24 x 24 mm
Haftvermittlung AR 300-80
4000 rpm; 10 min, 180 °C Hotplate
Beschichtung AR-P 6200.09
4000 rpm; 8 min, 150 °C Hotplate
Beschichtung AR-PC 5090.02
4000 rpm; 5 min, 105 °C Hotplate
E-Beam-Bestrahlung
Raith Pioneer; 30 kV, 75 µC/cm²
Removing Electra 92
2 x 30 s Wasser, Tauchbad
20 nm Stege des HSQ, präpariert auf Quarz mit AR-PC 5090.02
Zwischenbad (Trocknung)
30 s AR 600-60
Entwicklung CSAR 62
60 s AR 600-546
Stoppen
30 s AR 600-60
Nach der Beschichtung mit Electra 92 auf den HSQ-Resist kann auch dieser auf einem Quarzsubstrat mit sehr
guter Qualität strukturiert werden. Der HSQ-Resist (20
nm dick) wurde mit der notwendigen Flächendosis von
4300 µC/cm² bestrahlt. Anschließend wurde der leitfähige Resist AR-PC 5090 innerhalb von 2 Minuten mit warmem Wasser vollständig entfernt, es konnten keinerlei
Rückstände beobachtet werden. Nach der Entwicklung
des HSQ-Resists blieben die Strukturen mit hochpräzisen
20-nm-Stegen stehen.
Bei einer CSAR-Schichtdicke von 200 nm wurden Quadrate mit einer Kantenlänge von 30 nm sicher aufgelöst.
PMMA-lift-off auf Glas mit Electra 92
Lift-off-Strukturen auf Granat
60 – 150 nm Quader (100 nm hoch) auf Glas mit AR-N 7700.08 und
AR-PC 5091.02
Zunächst wurde der E-Beamresist AR-N 7700.08 auf Glas
aufgeschleudert, getrocknet, mit Electra 92 beschichtet
und bei 50 °C getrocknet. Nach der Bestrahlung wurde
die Electraschicht innerhalb 1 Minute mit Wasser entfernt
und dann der E-Beamresist entwickelt. Es resultiert eine
für chemisch verstärkte Resists sehr gute Auflösung von
60 nm.
200 nm Quadrate erzeugt mit 2-Lagen-PMMA-Lift-off
Auf einem Glas-Substrat wurde zuerst der PMMA-Resist
AR-P 669.04 (200 nm dick) beschichtet und getempert.
Darauf wurde der zweite PMMA-Resist AR-P 679.03 (150
nm dick) aufgebracht und getempert. Dann folgte die Beschichtung mit Electra 92. Nach der Bestrahlung wurde
Electra mittels Wasser entfernt, die PMMA-Strukturen mit
AR 600-56 entwickelt und das Substrat mit Titan/Gold
bedampft. Nach dem Liften mit Aceton blieben die gewünschten Quadrate hochpräzise auf dem Glas zurück.
Substrat
Glas 25 x 25 mm
Beschichtung AR-P 669.04
4000 rpm; 3 min, 150 °C Hotplate
Beschichtung AR-P 679.03
4000 rpm; 3 min, 150 °C Hotplate
Lift-off-Strukturen auf Granat (University of California, Riverside,
Department of Physics and Astronomy)
Plasmonische Strukturen auf Quarz
Beschichtung AR-PC 5090.02 2500 rpm; 5 min, 105 °C Hotplate
E-Beam-Bestrahlung
Raith Pioneer; 30 kV, 75 µC/cm²
Removing Electra 92
2 x 30 s Wasser
Entwicklung PMMAs
60 s AR 600-56
Stoppen
30 s AR 600-60
Bedampfung
Titan/Gold
Silbernanopartikel auf Quarz erzeugt mit AR-P 672.11 und AR-PC
5090.02 (Aarhus University in Dänemark)
Stand: Januar 2016
16
Die Kombination von CSAR 62 mit AR-PC 5090.02 bietet beste Möglichkeiten, komplizierte E-Beam-Strukturierungen auf Glas, Quarz oder semiisolierenden Substraten wie z.B. Galliumarsenid durchzuführen. Die sehr gute
Empfindlichkeit und höchste Auflösung des CSAR werden
durch die Leitfähigkeit des Electra harmonisch ergänzt.
Anwendungsbeispiele für PMMA-Electra 92
Substrat
PMMA-Lift-off auf Glas mit Electra 92
30 – 150 nm Quadrate des CSAR 62 auf Glas
Protective Coating Electra 92
17
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Negativ - E-Beam Resists AR-N 7520 neu
Negativ - E-Beam Resists AR-N 7520 neu
Pr o z essb ed i n gu n gen
AR-N 7520 E-Beamresists für mix & match
Höchstauflösende E-Beamresists für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen
Charakterisierung
Eigenschaften I
- E-Beam, Tief-UV, i-line (früher SX AR-N 7520/4)
- kurze Schreibzeiten, sehr hoher Kontrast
- mix- & match-Prozesse zwischen E-Beam- und UVBelichtungen 248-365 nm, im UV negativ
- höchstauflösend, sehr prozessstabil (no-CAR)
- plasmaätzresistent, thermisch stabil bis 140 °C
- Novolak, organischer Vernetzer
- Safer Solvent PGMEA
Parameter / AR-N
7520.17 7520.11 7520.07
Feststoffgehalt (%)
17
11
7
Viskosität 25 °C (mPas)
4
3
2
Schichtdicke/4000 rpm (µm)
0,4
0,2
0,1
Auflösung bester Wert (nm)
30
Kontrast
8
Flammpunkt (°C)
42
Lagerung bis 6 Monate (°C)
Spinkurve
Eigenschaften II
Glas-Temperatur (°C)
Dielektrizitätskonstante
Cauchy-Koeffizienten
Plasmaätzraten (nm/min)
(5 Pa, 240-250 V Bias)
14 - 20
102
3,1
N0
N1
N2
Ar-Sputtern
O2
CF4
80 CF4
+ 16 O2
Strukturauflösung
Dieses Schema zeigt ein Prozessierungsbeispiel für die Resists AR-N 7520. Die Angaben sind Richtwerte, die
auf die eigenen spezifischen Bedingungen angepasst werden müssen. Weitere Angaben zur Prozessierung
 „Detaillierte Hinweise zur optimalen Verarbeitung von E-Beamresists“. Empfehlungen zur Abwasserbehandlung
und allgemeine Sicherheitshinweise  „Allgemeine Produktinformationen zu Allresist-E-Beamresists“.
Beschichtung
AR-N 7520.17
4000 rpm, 60 s,
0,4 µm
Temperung (± 1 °C)
85 °C, 1 min hot plate oder
85 °C 30 min Konvektionsofen
E-Beam-Bestrahlung
Raith Pioneer, Beschleunigungsspannung 30 kV
Bestrahlungsdosis (E0): 30 µC/cm² , 100 nm space & lines
Entwicklung
Spülen
AR 300-46
90 s
DI-H2O, 30 s
Nachtemperung
(optional)
85 °C, 1 min hot plate oder 85 °C, 25 min Konvektionsofen
für bessere Plasmaätzbeständigkeit
Kundenspezifische
Technologien
z.B. Erzeugung der Halbleitereigenschaften
Removing
AR 300-70 oder O2-Plasmaveraschung
(21-23 °C ± 0,5 °C) Puddle
1,622
123,2
0
8
169
41
90
Resiststrukturen
Entwicklungsempfehlungen
AR-N 7520.17
400- und 600-nmStege, Schichtdicke
400 nm
18
Prozessparameter
Prozesschemikalien
Substrat
Temperung
Belichtung
Entwicklung
Haftvermittler
Entwickler
Verdünner
Remover
Si 4“ Wafer
85 °C, 90 s, hot plate
Raith Pioneer 30 kV
AR 300-47, 60 s, 22 °C
AR 300-80
AR 300-46 bzw. AR 300-47
AR 300-12
AR 600-71, AR 300-73
AR 300-26
3:1;1:1
AR 300-47
50 s
optimal geeignet
AR 300-35
-
geeignet
AR 300-40
300-46 ; 300-47
Verarbeitungshinweise
Die Resists sind für die E-Beam-Bestrahlung prädestiniert, jedoch auch für die UV-Belichtung geeignet. Mix-&-match-Prozesse sind bei sorgfältiger Abstimmung beide Belichtungsmethoden möglich. Bei E-Beam-Bestrahlung arbeitet der Resist
negativ. Bei UV-Belichtung im Tief-UV (248-270 nm) oder im mittleren UV (290-365 nm) arbeitet der Resist ebenfalls
negativ. Durch einen zusätzlichen Temperschritt (85 °C, 2 min hot plate) nach der bildmäßigen UV-Belichtung kann die
Empfindlichkeit leicht erhöht werden.
Die Entwicklerverdünnung sollte mit DI-Wasser so eingestellt werden, dass die Entwicklungszeit zwischen 20 und 120 s
bei 21-23 °C beträgt. Durch eine Verdünnung der Entwickler können Kontrast und Entwicklungsgeschwindigkeit in hohem
Maße beeinflusst werden. Eine stärkere Verdünnung führt zu einer Erhöhung des Kontrastes und zu einer Verlangsamung
der Entwicklungsgeschwindigkeit.
Stand: Januar 2014
Stand: Januar 2014
AR-N 7520.07
30-nm-Steg bei einer
Schichtdicke von 90 nm
Entwickler
AR-N 7520.18, .11; .07
AR-P 7520.07
4000 rpm, 60 s,
0,1 µm
19
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Produktportfolio Photoresists
Wir liefern unsere Produkte innerhalb 1 Woche ab Werk, vorrätige Lagerware sofort bzw. entsprechend Wunschtermin.
Wir liefern unsere Produkte innerhalb 1 Woche ab Werk, vorrätige Lagerware sofort bzw. entsprechend Wunschtermin.
Sie erhalten unsere Resists in den Packungsgrößen ¼ , 0,5 ,1 , 2,5 , 6 x 1 , 4 x 2,5  und die passenden Prozesschemikalien
in 1 , 2,5 , 5 , 4 x 2,5 , 4 x 5 . 30 ml und 100 ml Testmuster/ Kleinstmengen sind möglich. Fordern Sie unsere Preislisten an.
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ResistSystem
Produkt
ResistSystem
AR-P
1200
1210,1220,
[0,5 - 10]
1230
AR-P
3100
Sprühresist, verschied.
MEMS
Anwendungen
1
3110, 3120, 1,0 ; 0,6
3170
; 0,1
hochauflösend,
haftverstärkt
0,5 ; 0,4;
0,4
AR-P
3200
3210,
10 ;
3220, 3250 10 ; 5
Dicklack hoher Maß- Galvanik, 4 ;
3 ; 1,2
haltigkeit bis 100 µm MST
2,0 ; 2,0
; 2,5
AR-P
3500
3510,
3540
große Prozessbreite,
ICs
hochauflösend
0,8 ; 0,7
4,0 ;
4,5
große Prozessbreite,
hochauflös., 0,26 n ICs
TMAH-entwickelbar
0,6 ;
0,5
4,5 ;
5,0
0,4 ;
0,4
2 ; 0,5
AR-P
3700,
3800
3740,
3840
1,4 ;
1,4
höchstauflösend,
sub-µm, hoher Kontr.
3840 eingefärbt
AR-P
5300
5320,
5340
5,0 ; 1,0
unterschnitt.
Strukturen
(Einlagen-lift-off)
AR-U
4000
4030,
1,8 ; 1,6
4040 4060 ; 0,6
AR-BR 5460,
5400
5480
1,0 ; 0,5
AR-P
5900
5910
5,0
AR-N
2200
AR-N
4200
Sonderanwendung
2,0 ;
1,4
wahlw. positiv oder
negativ, lift-off
Masken,
Gitter
VLSICs
Belichtung
Verdünner
Entwickler
Remover
3
-
300-44
600-71
300-73
3,0
300-12
300-35
300-26
300-76
300-73
300-12
300-26
600-71
300-76
300-12
300-35
300-26
300-12
6,0 ;
6,0
300-12
4;5
300-12
i-line,
g-line,
BB-UV
Protective Coating, Schutz40 % KOH-ätzstabil schicht
0,8 ; 0,7;
0,5
-
3;3;
3,5
-
300-12
AR-P
631671
PMMA 50K,
0,02-1,70
200K, 600K,
Chlorbenzen
950K
600-71
300-73
AR-P
632672
300-44
300-26
300-76
600-71
300-47
300-26
300-26
-
600-01
300-35
300-26
-
höchstauflösend, uniICs,
versell, prozessstabil,
Masken
einfache Verarbeitung
6 / 100
7,0
600-01
600-55 600-71
600-56 300-76
PMMA 50K,
0,01-1,87
200K, 600K,
Anisol
950K
höchstauflösend, uniICs,
versell, prozessstabil,
Masken
einfache Verarbeitung
6 / 100
7,0
600-02
600-55 600-71
600-56 300-76
AR-P
639679
PMMA 50K,
0,02-0,74
200K, 600K,
Ethyllactat
950K
höchstauflösend, uniICs,
versell, prozessstabil,
Masken
einfache Verarbeitung
6 / 100
7,0
600-09
300-55 600-71
300-56 300-76
600-71
300-76
AR-P
6200
6200.04, .09,
6200.13, -18 0,08 ; 0,4 ;
0,2 ; 0,8
höchstauflösend,
hochempfindlich,
plasmaätzresistent
6
15
600-02 600-548
600-76
300-73
AR-P
6500
6510.17, .18, 350 rpm:
45, 80,
6510.19
150
PMMA
hohe PMMA-SchichMikroten bis 250 µm für
bauteile
MST, Synchroton
AR-P
7400
7400.23
Novolak
0,6
mix & match, hochICs,
auflösend, plasmaMasken
ätzresistent, auch neg.
40 /
150
4,0
AR-N
7500
7500.08,
7500.18
Novolak
0,1 ;
0,4
mix & match, hochauflösend, plasmaätzresistent, pos./neg.
ICs,
Masken
40 /
100
5,0
AR-N
7520
neu
7520.07, .11,
7520.17
Novolak
0,1 ; 0,2;
0,4
mix & match,
höchstauflösend,
plasmaätzresistent
ICs,
Masken
30
8,0
AR-N
7700
7700.08,
7700.18
Novolak
0,1 ;
0,4
80 /
100
5,0
AR-N
7720
7720.13,
7720.30
Novolak
0,25 ;
1,4
AR-PC
5000
Polyanilin-D. 0,04 ;
5090.02
0,03
5091.02
600-72
300-76
600-71
300-76
-
-
MEMS
2
2,0
300-12
300-26
300-76
300-73
2210,
[0,5 - 10]
2220, 2230
Sprühresist, verschied.
MEMS
Anwendungen
1
3
i-line,
g-line,
BB-UV
-
300-44
600-71
300-73
4240
hochempfindlich,
hochauflösend
0,6
AR-N
4300
4340
1,4
AR-N
4400
4400-50,
-25, -10,
-05
1000 rpm:
AR-N
4450
4450-10
50 ; 25 ;
10 ; 5
1000 rpm:
10
Negativresist
1,4
ICs
höchstempfindlich,
ICs
hochauflösend, CAR
0,5
5,0 ;
hohe Schichten bis
100, 50, 20, 10 µm, Galvanik, 3,5 ;
2,0 ; 1,0
leichtes Removing
MST,
hohe Schichten bis
20 µm, lift-off
LIGA
2,0
3,5
2,8
Tief-UV,
300-12
i-line
300-26
300-47
5
i-line,
g-line
300-26 600-76
300-475 300-72
6;
5;
4;4
10
lift-off
300-12
300-12
X-Ray,
E-Beam,
i-line
300-12
600-71
300-76
300-44 600-71
bis -475 600-70
300-47
ICs,
Masken
VerEntRemodünner wickler ver
600-50
600-55
-
komplizierte Strukt.
bis 5 % HF / BOE
höchstauflösend, 2x
empfindlicher als
PMMA, lift off
Belichtung
600-07
lift-off
(pos./neg.)
Anwen- Auflösung Kon[nm] *
dung
trast
6,0
3 ; 1,5
Lift-off
charakteristische
Eigenschaften
10 /
100
300-73
300-76
Bottomresist für
2L-lift-off-System
Typ
4000 rpm
Copolymer
PMMA/MA
33%
muster
ICs
Do/ µm
AR-P
617
Aufdampf-
Produkt
600-71
600-70
Alle Lacksysteme erhalten eine optimale Haftung mit dem Haftvermittler AR 300-80, der vor dem Resistauftrag erfolgt.
0,09-1,75
positiv
Kontrast
AR-P
3510 T,
3500 T 3540 T
Anwendung
CSAR 62 Styrenacrylat
ICs, Sensoren,
Masken
CAR, hochauflösend,
ICs,
hochempfindlich,
Masken
steile Gradation
600-546
600-549
1 µm
(X-Ray)
CAR, hochauflösend,
diffrakt. 80 /
flache Gradation für
Optiken 200
dreidimens. Strukt.
-
E-Beam,
Tief-UV
X-Ray,
10
(X-Ray) E-Beam
E-Beam,
Tief-UV,
g-, i-line
E-Beam,
Tief-UV,
i-line
leitfähige Schutzlacke zur Ableitung von Aufladungen für
Nichtnovolak-E-Beamresists (PMMA, CSAR 62, HSQ)
Novolak-E-Beamresists (z.B. AR-N 7500, 7700)
600-71
300-76
300-12
600-51 600-71
600-56 300-76
300-12
300-47 300-76
300-26 600-71
300-12 300-47
600-71
300-73
300-12
300-46 600-71
300-47 300-73
300-12
300-46 300-76
300-47 300-73
E-Beam,
Tief-UV
< 1,0
600-71
300-76
300-12 300-47
-
-
Alle Lacksysteme erhalten eine optimale Haftung mit dem Haftvermittler AR 300-80, der vor dem Resistauftrag erfolgt.
Die Resists AR-P 617, 631-679, 6200 benötigen nach der Entwicklung ein kurzes Abstoppen im Stopper AR 600-60.
300-76
300-72
DIWasser
Stand: Januarr 2016
Stand: Januar 2016
charakteristische
Eigenschaften
negativ
Auflösung
[µm]
2,0 ; 1,4
Typ
Positivresist
Do/ µm
4000 rpm
AR-PC 503 eingefärbt 1,2 ;
500
504, 5040 2,2
20
Produktportfolio E-Beam Resists
21
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Produktportfolio Experimentalmuster
Wir liefern unsere Produkte innerhalb 2 Wochen ab Werk, vorrätige Lagerware sofort bzw. entsprechend Wunschtermin.
Sie erhalten unsere Resists in den Packungsgrößen ¼ , 0,5 ,1 , 2,5 , 6 x 1 , 4 x 2,5  und die passenden Prozesschemikalien
in 1 , 2,5 , 5 , 4 x 2,5 , 4 x 5 . 30 ml und 100 ml Testmuster/ Kleinstmengen sind möglich. Fordern Sie unsere Preislisten an.
SonderProdukt
Do/ µm
Typ
4000 rpm
charakteristische
Eigenschaften
Auflösung
[µm] *
Kontrast
Belichtung
Verdünner
Entwickler
Remover
temperatur- und plasmaätzstabiler dicker Photoresist
2
2
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-26
300-76
300-72
Positiv-Photoresist,
alkalistabil bis pH 13
1
2
i-line, g-line
300-12
300-26
600-70
hochempfindlicher und
höchstauflösender CANegativ-E-Beam Resist
0,2
5
E-Beam,
Tief-UV
300-12
300-475
600-70
300-76
Positiv-Photoresist für Holographie (488 nm)
1
3
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-47
600-70
300-76
Thermostabiler PositivPhotoresist bis 300 °C
1
3
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-47
600-70
300-76
6,0
X AR-P
5900/4
1,4
X AR-N
7700/30
0,4
neg.
X AR-P
3220/7
positiv
Produktreife Experimentalmuster
Sonderanfertigungen / Experimentalmuster
2,0
SX AR-P
3500/8
1,4
SX AR-P
3740/4
1,4
Positiv-Photoresist, sehr prozessstabil, hoher Kontrast
0,6
5
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-475
600-70
300-76
SX AR-N
4340/7
1,4
Thermostabiler Negativresist bis 270 °C (1-/2L-System)
0,5
5
i-line, g-line
300-12
300-47
300-76
600-71
-
-
-
600-09
-
600-70
300-76
-
-
-
2 L: 10
2 L: 1
300-74/1
300-26
300-74/1
300-12/3
-
600-70
300-76
300-12/3
300-26
300-47
300-76
300-72
Protective Coating zum
Sprühen. oberflächengeglättet
SX
AR-PC
5000/40
5,0
-
Protective Coating 40%
KOH- und 50% HF-stabil
SX
AR-PC
0,4
5000/80.2
-
Polyimid-Photoresist,
Schutzlack für 2-Lagenstrukturierung
-
-
2 L: 2
2 L: 1
SX AR-P 0,8
5000/82.7
-
Polyimid-Photoresist, strukturierbar und thermostabil
1,5
2
Weißlicht E-Beam Resist,
sonst analog AR-N 7520
0,03
Weißlicht E-Beam Resist,
sonst analog AR-N 7700
0,08
SX AR-N
7730/1
Stand: Januar 2016
neg.
-
0,1
neg.
SX
AR-PC
0,02
5000/22.2
SX AR-N
7530/1
22
positiv
SX AR-P
3500/6
2 L: i-line
2 L: i-line
i-line
8
< 1,0
E-Beam,
Tief-UV
600-71
300-12
300-47
300-76
Alle Lacksysteme erhalten eine optimale Haftung mit dem Haftvermittler AR 300-80, der vor dem Resistauftrag erfolgt.
Autoren: Matthias und Brigitte Schirmer
unter Mitarbeit von Dr. Christian Kaiser
Layout: Ulrike Dorothea Schirmer
Copyright
©2014 / 2016 Allresist
23
Allresist GmbH
Am Biotop 14
15344 Strausberg
Tel.:
Tel. +49 (0) 3341 35 93 - 0
Fax:
Fax +49
+49 (0)
(0) 3341
3341 35
35 93
93 -- 29
29
[email protected]
www.allresist.de
24

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