Produktportfolio Photoresists

Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
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Sie erhalten unsere Resists in den Packungsgrößen ¼ , 0,5 ,1 , 2,5 , 6 x 1 , 4 x 2,5  und die passenden Prozesschemikalien
in 1 , 2,5 , 5 , 4 x 2,5 , 4 x 5 . 30 ml und 100 ml Testmuster/ Kleinstmengen sind möglich. Fordern Sie unsere Preislisten an.
Produkt
Do/ µm
4000 rpm
AR-P
1200
1210,1220,
[0,5 - 10]
1230
AR-P
3100
Auflösung
[µm]
Kontrast
Sprühresist, verschied.
MEMS
Anwendungen
1
3110, 3120, 1,0 ; 0,6
3170
; 0,1
hochauflösend,
haftverstärkt
0,5 ; 0,4;
0,4
AR-P
3200
3210,
10 ;
3220, 3250 10 ; 5
AR-P
3500
3510,
3540
2,0 ; 1,4
Stand: Januar 2016
charakteristische
Eigenschaften
Verdünner
Entwickler
Remover
3
-
300-44
600-71
300-73
3,0
300-12
300-35
300-26
300-76
300-73
Dicklack hoher Maß- Galvanik, 4 ;
3 ; 1,2
haltigkeit bis 100 µm MST
2,0 ; 2,0
; 2,5
300-12
300-26
600-71
300-76
große Prozessbreite,
ICs
hochauflösend
0,8 ; 0,7
4,0 ;
4,5
300-12
300-35
300-26
600-71
300-73
große Prozessbreite,
hochauflös., 0,26 n ICs
TMAH-entwickelbar
0,6 ;
0,5
4,5 ;
5,0
300-12
300-44
300-26
300-76
600-71
0,4 ;
0,4
6,0 ;
6,0
300-12
300-47
300-26
600-71
300-76
2 ; 0,5
4;5
300-12
300-26
600-76
300-73
0,8 ; 0,7;
0,5
3;3;
3,5
300-12
300-35
300-26
600-72
300-76
Protective Coating, Schutz40 % KOH-ätzstabil schicht
-
-
-
600-01
-
600-71
300-76
Bottomresist für
2L-lift-off-System
3 ; 1,5
lift-off
-
-
-
300-73
300-76
MEMS
2
2,0
i-line,
g-line,
BB-UV
300-12
300-26
300-76
300-73
-
300-44
600-71
300-73
600-71
300-76
2,0 ;
1,4
AR-P
3700,
3800
3740,
3840
1,4 ;
1,4
höchstauflösend,
sub-µm, hoher Kontr.
3840 eingefärbt
AR-P
5300
5320,
5340
5,0 ; 1,0
unterschnitt.
Strukturen
(Einlagen-lift-off)
AR-U
4000
4030,
1,8 ; 1,6
4040 4060 ; 0,6
Sonderanwendung
AR-P
3510 T,
3500 T 3540 T
AR-PC 503 eingefärbt 1,2 ;
500
504, 5040 2,2
64
Typ
Positivresist
ResistSystem
wahlw. positiv oder
negativ, lift-off
Anwendung
Masken,
Gitter
VLSICs
Belichtung
i-line,
g-line,
BB-UV
Aufdampfmuster
ICs
AR-BR 5460,
5400
5480
1,0 ; 0,5
AR-P
5900
5910
5,0
AR-N
2200
2210,
[0,5 - 10]
2220, 2230
Sprühresist, verschied.
MEMS
Anwendungen
1
3
AR-N
4200
4240
1,4
hochempfindlich,
hochauflösend
ICs
0,6
2,8
Tief-UV,
300-12
i-line
300-26
300-47
AR-N
4300
4340
1,4
höchstempfindlich,
ICs
hochauflösend, CAR
0,5
5
i-line,
g-line
300-26 600-76
300-475 300-72
AR-N
4400
4400-50,
-25, -10,
-05
1000 rpm:
AR-N
4450
4450-10
50 ; 25 ;
10 ; 5
1000 rpm:
10
Negativresist
E-Beam Resists
Produktportfolio Photoresists
komplizierte Strukt.
bis 5 % HF / BOE
Lift-off
(pos./neg.)
5,0 ;
hohe Schichten bis
100, 50, 20, 10 µm, Galvanik, 3,5 ;
2,0 ; 1,0
leichtes Removing
MST,
hohe Schichten bis
20 µm, lift-off
LIGA
2,0
3,5
6;
5;
4;4
10
lift-off
300-12
300-12
X-Ray,
E-Beam,
i-line
300-12
300-44 600-71
bis -475 600-70
300-47
600-71
600-70
Alle Lacksysteme erhalten eine optimale Haftung mit dem Haftvermittler AR 300-80, der vor dem Resistauftrag erfolgt.
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
Produktportfolio E-Beam Resists
ResistSystem
Produkt
Do/ µm
Typ
4000 rpm
AR-P
617
Copolymer
PMMA/MA
33%
AR-P
631671
PMMA 50K,
0,02-1,70
200K, 600K,
Chlorbenzen
950K
AR-P
632672
charakteristische
Eigenschaften
Anwen- Auflösung Kon[nm] *
dung
trast
höchstauflösend, 2x
empfindlicher als
PMMA, lift off
ICs,
Masken
Belichtung
VerEntRemodünner wickler ver
10 /
100
6,0
600-07
600-50
600-55
höchstauflösend, uniICs,
versell, prozessstabil,
Masken
einfache Verarbeitung
6 / 100
7,0
600-01
600-55 600-71
600-56 300-76
PMMA 50K,
0,01-1,87
200K, 600K,
Anisol
950K
höchstauflösend, uniICs,
versell, prozessstabil,
Masken
einfache Verarbeitung
6 / 100
7,0
600-02
600-55 600-71
600-56 300-76
AR-P
639679
PMMA 50K,
0,02-0,74
200K, 600K,
Ethyllactat
950K
höchstauflösend, uniICs,
versell, prozessstabil,
Masken
einfache Verarbeitung
6 / 100
7,0
600-09
300-55 600-71
300-56 300-76
AR-P
6200
6200.04, .09,
6200.13, -18 0,08 ; 0,4 ;
0,2 ; 0,8
6
15
600-02 600-548
positiv
0,09-1,75
höchstauflösend,
hochempfindlich,
plasmaätzresistent
CSAR 62 Styrenacrylat
ICs, Sensoren,
Masken
E-Beam,
Tief-UV
600-546
600-549
6510.15,
.17, .18, .19
PMMA
350 rpm:
28, 56, 88,
135
hohe PMMA-SchichMikroten bis 250 µm für
bauteile
MST, Synchroton
AR-P
7400
7400.23
Novolak
0,6
mix & match, hochICs,
auflösend, plasmaMasken
ätzresistent, auch neg.
40 /
150
4,0
AR-N
7500
7500.08,
7500.18
Novolak
0,1 ;
0,4
mix & match, hochauflösend, plasmaätzresistent, pos./neg.
ICs,
Masken
40 /
100
5,0
AR-N
7520
neu
7520.07, .11,
7520.17
Novolak
0,1 ; 0,2;
0,4
mix & match,
höchstempfindlich,
höchstauflösend,
ICs,
Masken
30
8,0
E-Beam,
Tief-UV,
i-line
300-12
AR-N
7520
7520.073,
7520.18
0,1 ;
0,4
mix & match,
höchstauflösend,
hochpräzise Kanten,
ICs,
Masken
28
10
E-Beam,
Tief-UV,
i-line
300-12 300-47
AR-N
7700
7700.08,
7700.18
Novolak
0,1 ;
0,4
CAR, hochauflösend,
ICs,
hochempfindlich,
Masken
steile Gradation
80 /
100
5,0
AR-N
7720
7720.13,
7720.30
Novolak
0,25 ;
1,4
CAR, hochauflösend,
diffrakt. 80 /
flache Gradation für
Optiken 200
dreidimens. Strukt.
AR-PC
5000
Polyanilin-D. 0,04 ;
5090.02
0,03
5091.02
negativ
AR-P
6500
X-Ray,
10
(X-Ray) E-Beam
E-Beam,
Tief-UV,
g-, i-line
600-51 600-71
600-56 300-76
300-12
300-47 300-76
300-26 600-71
300-12 300-47
E-Beam,
Tief-UV
leitfähige Schutzlacke zur Ableitung von Aufladungen für
Nichtnovolak-E-Beamresists (PMMA, CSAR 62, HSQ)
Novolak-E-Beamresists (z.B. AR-N 7500, 7700)
600-71
300-76
300-12
300-12
< 1,0
600-71
300-76
600-71
300-73
300-46 600-71
300-47 300-73
300-76
300-73
300-46 300-76
300-47 300-73
300-12 300-47
-
-
Alle Lacksysteme erhalten eine optimale Haftung mit dem Haftvermittler AR 300-80, der vor dem Resistauftrag erfolgt.
Die Resists AR-P 617, 631-679, 6200 benötigen nach der Entwicklung ein kurzes Abstoppen im Stopper AR 600-60.
300-76
300-72
DIWasser
Stand: Januarr 2017
-
1 µm
(X-Ray)
E-Beam Resists
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in 1 , 2,5 , 5 , 4 x 2,5 , 4 x 5 . 30 ml und 100 ml Testmuster/ Kleinstmengen sind möglich. Fordern Sie unsere Preislisten an.
65
Innovation
Kreativität
Kundenspezifische Lösungen
E-Beam Resists
Produktportfolio Experimentalmuster
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SonderProdukt
Do/ µm
Typ
4000 rpm
charakteristische
Eigenschaften
Auflösung
[µm] *
Kontrast
Belichtung
Verdünner
Entwickler
Remover
temperatur- und plasmaätzstabiler dicker Photoresist
2
2
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-26
300-76
300-72
Positiv-Photoresist,
alkalistabil bis pH 13
1
2
i-line, g-line
300-12
300-26
600-70
hochempfindlicher und
höchstauflösender CANegativ-E-Beam Resist
0,2
5
E-Beam,
Tief-UV
300-12
300-475
600-70
300-76
Positiv-Photoresist für Holographie (488 nm)
1
3
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-47
600-70
300-76
Thermostabiler PositivPhotoresist bis 300 °C
1
3
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-47
600-70
300-76
6,0
X AR-P
5900/4
1,4
X AR-N
7700/30
0,4
neg.
X AR-P
3220/7
positiv
Produktreife Experimentalmuster
2,0
SX AR-P
3500/8
1,4
SX AR-P
3740/4
1,4
Positiv-Photoresist, sehr prozessstabil, hoher Kontrast
0,6
5
i-line. gline, BB-UV
300-12
300-475
600-70
300-76
SX AR-N
4340/7
1,4
Thermostabiler Negativresist bis 270 °C (1-/2L-System)
0,5
5
i-line, g-line
300-12
300-47
300-76
600-71
SX
AR-PC
5000/40
5,0
-
Protective Coating 40%
KOH- und 50% HF-stabil
-
-
-
2 L: 10
2 L: 1
300-74/1
300-26
300-74/1
SX
AR-PC
0,4
5000/80.2
-
Polyimid-Photoresist,
Schutzlack für 2-Lagenstrukturierung
-
-
2 L: 2
2 L: 1
300-12/3
-
600-70
300-76
SX AR-P 0,8
5000/82.7
-
Polyimid-Photoresist, strukturierbar und thermostabil
1,5
2
300-12/3
300-26
300-47
300-76
300-72
Weißlicht E-Beam Resist,
sonst analog AR-N 7520
0,03
Weißlicht E-Beam Resist,
sonst analog AR-N 7700
0,08
Stand: Januar 2017
SX AR-N
7730/1
66
0,1
neg.
SX AR-N
7530/1
positiv
SX AR-P
3500/6
neg.
Sonderanfertigungen / Experimentalmuster
2 L: i-line
2 L: i-line
i-line
8
< 1,0
E-Beam,
Tief-UV
600-71
300-12
300-47
300-76
Alle Lacksysteme erhalten eine optimale Haftung mit dem Haftvermittler AR 300-80, der vor dem Resistauftrag erfolgt.

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