QS043-402-20398（2/5）
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
１５０ Ａ，６００Ｖ
2-Ø6.5
48.0
16.0
14.0
5
4
3-M5
23.0
9
14
9
3
5
4
4-fasten tab
#110 t=0.5
14
7
16
16
17
7
4-fasten tab
#110 t= 0.5
16
6
7
.0
30 +1
- 0 .5
23
23
3-M5
17.0
21.2 7.5
14
23.0
7
6
8
5(E1)
4(G1)
2
1
2-Ø 5.5
12
12
17
35
7
6
3
94
80 ± 0 .2 5
12 11
23
2
1
11
4
12
.0
30 +1
- 0 .5
(C1)
3
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
4
(E2)
2
94.0
80 ±0.25
7(G2)
6(E2)
4 18.0
(C2E1)
1
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
4
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
PDMB150E6
PDMB150E6C
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｒａｔｅｄ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
ＶＣＥＳ
６００
Ｖ
ＶＧＥＳ
±２０
Ｖ
ＩＣ
ＩＣＰ
１５０
３００
Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＰＣ
５６０
Ｗ
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
－４０～＋１５０
℃
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
ＶＩＳＯ
２,５００
Ｖ（ＲＭＳ）
ＤＣ
１ｍｓ
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
Ｆｔｏｒ
３（３０.６）
PDMB150E6
２（２０.４）
PDMB150E6Ｃ
２（２０.４）
２（２０.４）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V
－
－
１.０
ｍＡ
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ）
ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V
－
２.１
２.６
Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
7,500
－
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ=
Ｒ Ｌ=
ＲＧ=
ＶＧＥ=
－
－
－
－
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
μｓ
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
300V
2.0Ω
5.1Ω
±15V
ＤＣ
１ｍｓ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｒａｔｅｄ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｖａｌｕｅ
１５０
３００
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＶＦ
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V
－
１.９
２.４
Ｖ
ｔｒｒ
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs
－
０.１５
０.２５
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.２２
０.４５
Ｕｎｉｔ
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
℃／Ｗ
00
日本インター株式会社
http://store.iiic.cc/
QS043-402-20398（3/5）
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
T C=25°C
300
VGE=20V
VGE=20V
12V
15V
250
T C=125°C
300
12V
15V
250
Collector Current I C (A)
Collector Current I C (A)
11V
200
150
10V
100
9V
50
11V
200
150
10V
100
9V
50
8V
8V
0
0
1
2
3
4
0
5
0
1
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
8
6
4
2
4
8
12
16
300A
IC=60A
14
150A
12
10
8
6
4
2
0
20
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
350
250
10
VCE =300V
200
8
200V
150
6
100V
100
4
50
2
100
200
300
400
500
0
600
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
12
0
VGE=0V
f=1MHZ
T C=25°C
14
300
0
100000
16
RL =2.0(
TC=25°C
30000
Capacitance C (pF)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
10
400
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
300A
150A
0
5
T C=125°C
16
12
0
4
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T C=25°C
16
IC=60A
3
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
14
2
10000
Cies
3000
Coes
1000
Cres
300
100
0.1
Total Gate Charge Qg (nC)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
00
日本インター株式会社
http://store.iiic.cc/
QS043-402-20398（4/5）
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
1
10
VCC=300V
RG=5.1 (
VGE=±15V
T C=25°C
Resistive Load
tOFF
0.6
tf
0.4
tON
0.2
2
1
0.5
toff
0.2
ton
tr(V CE)
tf
0.1
0.05
tr(VCE)
0
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
T C=25°C
Resistive Load
5
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
0.8
Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
0
50
100
150
200
0.02
250
3
10
Collector Current IC (A)
Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time
10
VCC=300V
RG=5.1(
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
tOFF
tON
tf
0.1
tr(Ic)
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
5
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
1
100
Series Gate Impedance RG (( )
Fig.9- Collector Current vs. Switching Time
10
30
0.01
2
1
0.5
toff
0.2
ton
0.1
tf
0.05
tr(IC )
0.001
0
50
100
150
200
0.02
250
3
10
Collector Current IC (A)
Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss
Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss
VCC=300V
RG=5.1(
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
12
EOFF
8
EON
ERR
4
0
50
100
150
200
250
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
100
300
16
0
30
Series Gate Impedance RG (( )
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
100
EON
30
EOFF
10
ERR
3
1
3
10
30
100
Series Gate Impedance RG (( )
Collector Current IC (A)
00
日本インター株式会社
http://store.iiic.cc/
QS043-402-20398（5/5）
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６
ＰＤＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T C=25°C
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
200
150
100
50
1
2
3
500
trr
200
100
50
10
4
IRrM
20
0
150
300
Forward Voltage VF (V)
450
600
750
900
-di/dt (A/µs)
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
1000
RG=5.1( , VGE=±15V, T C<125°C
500
200
Collector Current I C (A)
0
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
3
Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W)
Forward Current I F (A)
250
0
IF=150A
T C=25°C
T C=125°C
T C=125°C
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
300
1
FRD
3x10
IGBT
-1
1x10 -1
3x10 -2
1x10 -2
T C=25°C
3x10 -3
1 Shot Pulse
1x10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10 1
Time t (s)
00
日本インター株式会社
http://store.iiic.cc/

PDMB200E6

PTMB150E6 PTMB150E6C

PCHMB400B12A - 日本インター

HANAGIO 商品一覧