PCHMB400B12A - 日本インター

IGBT Module-Chopper
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
(E2)
2
(C1)
3
108
93 ± 0 .2 5
14 11 14 11 14
3
2
62
11 13
20
1
4-Ø 6.5
5(E1)
4(G1)
48 ± 0 .2 5
3-M6
5
4
25
9
16
9
24
16
30 +1.0
- 0.5
8
16
25
6
□ 回 路 図 : CIRCUIT
(C2E1)
1
PCHMB400B12A
400 A,1200V
7
23
LABEL
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
Rated
Symbol
Value
Unit
1,200
V
VGES
±20
V
IC
ICP
400
800
A
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
PC
1,900
W
接
合
温
度
Junction Temperature Range
Tj
-40~+150
℃
保
存
温
度
Storage Temperature Range
Tstg
-40~+125
℃
VCES
DC
1ms
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
絶
縁
耐
圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
□ 電 気 的 特 性
VISO
2,500
V(RMS)
Ftor
3(30.6)
N・m
(kgf・cm)
: ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
VCE= 1200V,VGE= 0V
-
-
8.0
mA
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
-
-
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC= 400A,VGE= 15V
-
1.9
2.4
V
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 400mA
4.0
-
8.0
V
入
力
容
量
Input Capacitance
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
スイッチング時間
Switching Time
Rise
Turn-on
Fall
Turn-off
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE
Time
Time
Time
Time
DC
1ms
Characteristic
順
電
圧
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
□ 熱
的
特 性
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
-
25,000
-
pF
tr
ton
tf
toff
VCC= 600V
RL= 1.5Ω
RG= 1Ω
VGE= ±15V
-
-
-
-
0.25
0.40
0.25
0.80
0.45
0.70
0.35
1.10
μs
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
順
電
流
Forward Current
Cies
Rated Value
400
800
Symbol
IF
IFM
Symbol
Test Condition
Unit
A
Min.
Typ.
Max.
Unit
VF
IF= 400A,VGE= 0V
-
1.9
2.4
V
trr
IF= 400A,VGE= -10V
di/dt= 800A/μs
-
0.2
0.3
μs
Min.
-
-
Typ.
-
-
: THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱
抵
抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
Junction to Case
日本インター株式会社
Max. Unit
0.065
℃/W
0.12
PCHMB400B12A
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
VGE =20V
12V
I C=200A
10V
15V
Collector Current I C (A)
600
9V
400
8V
200
7V
0
0
2
TC=25℃
16
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
800
4
6
8
14
400A
12
10
8
6
4
2
0
10
0
4
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
12
10
8
6
4
2
4
8
12
16
16
RL=1.5Ω
TC=25℃
700
14
600
12
500
10
8
400
VCE =600V
6
300
400V
200
2
100
0
20
0
500
1000
10000
Coes
5000
2000
Cres
500
tOFF
1
0.8
tf
0.6
0.4
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
3000
V CC=600V
R G= 1.0 Ω
V GE =±15V
TC=25℃
1.2
Switching Time t (μs)
Capacitance C (pF)
20000
0.2
2500
1.4
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
Cies
0.1
2000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
200
1500
Total Gate Charge Qg (nC)
100000
1000
4
200V
Gate to Emitter Voltage V GE (V)
50000
20
50
100
200
0
tON
tr
0
100
200
Collector Current IC (A)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
日本インター株式会社
300
400
Gate to Emitter Voltage V GE (V)
400A
0
16
800
800A
14
0
12
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
TC=125℃
I C=200A
8
Gate to Emitter Voltage V GE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
16
800A
PCHMB400B12A
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
800
10
VCC=600V
I C=400A
VGE =±15V
TC=25℃
TC=25℃
toff
ton
2
tr
1
tf
0.5
0.2
0.1
0.05
600
500
400
300
200
100
0.5
1
2
5
10
20
0
50
0
1
2
3
4
Forward Voltage V F (V)
Series Gate Impedance R G (Ω)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
1000
5000
IF=400A
TC=25℃
R G=1Ω
V GE=±15V
TC≦125℃
2000
1000
500
500
300
Collector Current I C (A)
trr
200
100
50
I RrM
200
100
50
20
10
2
1
20
0.5
0.2
400
800
1200
1600
2000
0.1
2400
0
400
-di/dt (A/μs)
800
Fig.11- Transient Thermal Impedance
5x10 -1
2x10 -1
1x10 -1
5x10 -2
FRD
IGBT
2x10 -2
1x10 -2
5x10 -3
2x10 -3
1x10 -3
TC=25℃
5x10 -4
2x10 -4
10 -5
1200
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
1
(℃/W)
0
(J-C)
10
Transient Thermal Impedance Rth
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
TC=125℃
700
Forward Current I F (A)
Switching Time t (μs)
5
1 Shot Pulse
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Time t (s)
日本インター株式会社
1
10 1
1600