PCHMB400B12A - 日本インター

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ
□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ
(E2)
2
(C1)
3
108
93 ± 0 .2 5
14 11 14 11 14
3
2
62
11 13
20
1
4-Ø 6.5
5(E1)
4(G1)
48 ± 0 .2 5
3-M6
5
4
25
9
16
9
24
16
30 +1.0
- 0.5
8
16
25
6
□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
1
ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２Ａ
４００Ａ，１２００Ｖ
7
23
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｒａｔｅｄ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
１，２００
Ｖ
ＶＧＥＳ
±２０
Ｖ
ＩＣ
ＩＣＰ
４００
８００
Ａ
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＰＣ
１，９００
Ｗ
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
－４０～＋１５０
℃
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
ＶＣＥＳ
ＤＣ
１ｍｓ
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締め付けトルク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電気的特性
ＶＩＳＯ
２,５００
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｆｔｏｒ
３（３０.６）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｓｙｍｂｏｌ
ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
－
－
８.０
ｍＡ
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ）
ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V
－
１.９
２.４
Ｖ
ゲートしきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥ
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
ＤＣ
１ｍｓ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱
的
特性
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
25,000
－
ｐＦ
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 1.5Ω
ＲG= 1Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
－
－
－
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
μｓ
ＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃｉｅｓ
ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ
４００
８００
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＶＦ
ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= 0V
－
１.９
２.４
Ｖ
ｔｒｒ
ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 800A/μs
－
０.２
０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
日本インター株式会社
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
０.０６５
℃／Ｗ
０.１２
ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２Ａ
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
VGE =20V
12V
I C=200A
10V
15V
Collector Current I C (A)
600
9V
400
8V
200
7V
0
0
2
TC=25℃
16
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
800
4
6
8
14
400A
12
10
8
6
4
2
0
10
0
4
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
12
10
8
6
4
2
4
8
12
16
16
RL=1.5Ω
TC=25℃
700
14
600
12
500
10
8
400
VCE =600V
6
300
400V
200
2
100
0
20
0
500
1000
10000
Coes
5000
2000
Cres
500
tOFF
1
0.8
tf
0.6
0.4
0.2
0.5
1
2
5
10
20
0
3000
V CC=600V
R G= 1.0 Ω
V GE =±15V
TC=25℃
1.2
Switching Time t (μs)
Capacitance C (pF)
20000
0.2
2500
1.4
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
Cies
0.1
2000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
200
1500
Total Gate Charge Qg (nC)
100000
1000
4
200V
Gate to Emitter Voltage V GE (V)
50000
20
50
100
200
0
tON
tr
0
100
200
Collector Current IC (A)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
日本インター株式会社
300
400
Gate to Emitter Voltage V GE (V)
400A
0
16
800
800A
14
0
12
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
TC=125℃
I C=200A
8
Gate to Emitter Voltage V GE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
16
800A
ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２Ａ
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
800
10
VCC=600V
I C=400A
VGE =±15V
TC=25℃
TC=25℃
toff
ton
2
tr
1
tf
0.5
0.2
0.1
0.05
600
500
400
300
200
100
0.5
1
2
5
10
20
0
50
0
1
2
3
4
Forward Voltage V F (V)
Series Gate Impedance R G (Ω)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
1000
5000
IF=400A
TC=25℃
R G=1Ω
V GE=±15V
TC≦125℃
2000
1000
500
500
300
Collector Current I C (A)
trr
200
100
50
I RrM
200
100
50
20
10
2
1
20
0.5
0.2
400
800
1200
1600
2000
0.1
2400
0
400
-di/dt (A/μs)
800
Fig.11- Transient Thermal Impedance
5x10 -1
2x10 -1
1x10 -1
5x10 -2
FRD
IGBT
2x10 -2
1x10 -2
5x10 -3
2x10 -3
1x10 -3
TC=25℃
5x10 -4
2x10 -4
10 -5
1200
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
1
(℃/W)
0
(J-C)
10
Transient Thermal Impedance Rth
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
TC=125℃
700
Forward Current I F (A)
Switching Time t (μs)
5
1 Shot Pulse
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Time t (s)
日本インター株式会社
1
10 1
1600

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