PDMB200E6

QS043-402-20392（2/5）
ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
ＰＤＭＢ２００Ｅ６
２００Ａ，６００Ｖ
□ 回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
7(G2)
6(E2)
2-Ø6.5
2
1
7
6
3
5
4
3-M5
23.0
9
30 +1.0
- 0 .5
14
23.0
9
14
17.0
14
4-fasten tab
#110 t=0.5
21.2 7.5
5(E1)
4(G1)
4
(C1)
3
4 18.0
(E2)
2
48.0
16.0
14.0
(C2E1)
1
7
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｒａｔｅｄ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
ＶＣＥＳ
６００
Ｖ
ＶＧＥＳ
±２０
Ｖ
ＩＣ
ＩＣＰ
２００
４００
Ａ
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＰＣ
７８０
Ｗ
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
－４０～＋１５０
℃
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
ＶＩＳＯ
２,５００
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｆｔｏｒ
３（３０.６）
２（２０.４）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
ＤＣ
１ｍｓ
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締め付けトルク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電気的特性
：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｓｙｍｂｏｌ
ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V
－
－
１.０
ｍＡ
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ）
ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V
－
２.１
２.６
Ｖ
ゲートしきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA
４.０
－
８.０
Ｖ
－
10,000
－
ｐＦ
－
－
－
－
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
μｓ
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥ
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
300V
1.5Ω
3.6Ω
±15V
ＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
ＶＣＣ=
ＲＬ=
ＲＧ=
ＶＧＥ=
ＤＣ
１ｍｓ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ
２００
４００
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＶＦ
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V
－
１.９
２.４
Ｖ
ｔｒｒ
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 400A/μs
－
０.１５
０.２５
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.１６
０.３８
Ｕｎｉｔ
□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
℃／Ｗ
00
日本インター株式会社
QS043-402-20392（3/5）
ＰＤＭＢ２００Ｅ６
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
VGE=20V
350
VGE=20V
12V
350
15V
11V
300
250
200
10V
150
9V
100
15V
300
11V
250
10V
200
150
9V
100
50
8V
0
1
2
3
4
0
5
0
1
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
400A
200A
12
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
IC=100A
14
200A
10
8
6
4
2
0
4
8
VGE=0V
f=1MHZ
T C=25°C
14
VCE =300V
200
8
200V
150
6
100V
100
4
2
50
200
400
600
0
800
30000
Capacitance C (pF)
10
250
20
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
12
0
16
100000
16
300
0
12
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
350
400A
12
0
20
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
RL =1.5(
TC=25°C
5
T C=125°C
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
400
4
16
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
IC=100A
14
3
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T C=25°C
16
2
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
0
12V
8V
50
0
T C=125°C
400
Collector Current I C (A)
Collector Current I C (A)
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
T C=25°C
400
Cies
10000
Coes
3000
Cres
1000
300
100
0.1
Total Gate Charge Qg (nC)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
00
日本インター株式会社
QS043-402-20392（4/5）
ＰＤＭＢ２００Ｅ６
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
1
0.6
tf
0.4
2
tON
0.2
1
0.5
toff
0.2
ton
0.1
tr(V CE)
tf
0.05
tr(VCE)
0
VCC=300V
IC=200A
VGE=±15V
T C=25°C
Resistive Load
5
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
VCC=300V
RG=3.6 (
VGE=±15V
T C=25°C
Resistive Load
tOFF
0.8
Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
10
0
50
100
150
200
250
0.02
300
1
3
Collector Current IC (A)
VCC=300V
RG=3.6(
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
tOFF
tON
tf
0.1
100
Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time
10
tr(Ic)
0.01
VCC=300V
IC=200A
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
5
2
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
1
30
Series Gate Impedance RG (( )
Fig.9- Collector Current vs. Switching Time
10
10
1
0.5
toff
0.2
ton
0.1
tf
0.05
tr(IC )
0.001
0
50
100
150
200
250
0.02
300
1
3
Collector Current IC (A)
Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss
Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss
EOFF
EON
8
ERR
4
50
100
150
200
250
300
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
VCC=300V
RG=3.6(
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
0
100
300
12
0
30
Series Gate Impedance RG (( )
20
16
10
VCC=300V
IC=200A
VGE=±15V
T C=125°C
Inductive Load
100
EON
30
EOFF
10
ERR
3
1
1
Collector Current IC (A)
3
10
30
Series Gate Impedance RG (( )
00
日本インター株式会社
QS043-402-20392（5/5）
ＰＤＭＢ２００Ｅ６
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T C=25°C
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
T C=125°C
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
400
300
250
200
150
100
50
0
1
2
3
500
trr
200
100
50
IRrM
20
10
4
IF=200A
T C=25°C
T C=125°C
0
200
400
Forward Voltage VF (V)
600
800
1000
1200
-di/dt (A/µs)
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
1000
RG=3.6 ( , VGE=±15V, T C<125°C
500
200
Collector Current I C (A)
0
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
3
Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W)
Forward Current I F (A)
350
1
FRD
3x10 -1
1x10
IGBT
-1
3x10 -2
1x10 -2
3x10 -3
T C=25°C
1x10 -3
3x10 -4
10 -5
1 Shot Pulse
10-4
10-3
10 -2
10 -1
1
10 1
Time t (s)
00
日本インター株式会社

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