ＩＧＢＴ Module
ＰＴＭＢ１５０Ｅ６Ｃ
１５０ Ａ／６００Ｖ
□
： ＣＩＲＣＵＩＴ
回 路 図
□
： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
外 形 寸 法 図
Dimension:［mm］
17
3
4
20
5
6
15
7
8
19
9
10
61.50
58.42
50.00
40.20
19.05
3.81
CL
19
1
2
4× Ø5.50
11
12
18
17
16
15
20
14
21
14
13
1 2
3 4
5 6
3.81
15.24
7 8
9 10
39.00
57.50
13
12.62
21
99.00
94.50
4× 19.05= 76.20
CL
12.62
3.81 19.05
11 12
8.01
4× Ø 2.10
110.00
121.50
20.50
118.11
LABEL
□
最 大 定 格
： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （at TC=25°C unless otherwise specified）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲート・エミッタ間電圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage
Ｕｎｉｔ
Ｖ
ＶＧＥＳ
±２０
Ｖ
ＩＣ
ＩＣＰ
１５０
３００
Ａ
コ
レ
ク
タ
損
失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＰＣ
５６０
Ｗ
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
－４０～＋１５０
℃
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
ＶＩＳＯ
２,５００
Ｖ(ＲＭＳ)
Ｆｔｏｒ
２（２０.４）
－
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
ＤＣ
１ｍｓ
度
Ｒange
絶
縁
Ｉsolation
耐
圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍ ounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
電 気 的 特 性
： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （at Tj=25℃ unless otherwise specified）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
コ
レ
ク
タ
遮
断
電
流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ
ー
ト
漏
れ
電
流
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｌ eakage Ｃ urrent
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V
－
－
１.０
ｍＡ
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 飽 和 電 圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ(sat)
ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V
－
２.１
２.６
Ｖ
ゲ
ー
ト
し き い 値 電 圧
Ｇ ate-Ｅ mitter Ｔ hreshold Ｖ oltage
ＶＧＥ(th)
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA
４.０
－
８.０
Ｖ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
7,500
－
ｐＦ
ＶＣＣ=
ＲＬ=
ＲＧ=
ＶＧＥ=
－
０.１５
０.３０
－
－
－
０.２５
０.１０
０.３５
０.４０
０.３５
０.７０
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
上 昇
スイッチング時間
Ｓ witching Ｔ ime
時
間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall
Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
300V
2.0Ω
5.1Ω
±15V
フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at TC=25°C）
Ｉｔｅｍ
順
電
流
Ｆ orward
Ｃ urrent
Ｓｙｍｂｏｌ
熱
的
特
性
Ｖａｌｕｅ
ＩＦ
１５０
１ｍｓ
ＩＦＭ
３００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＦ
ｔｒｒ
μｓ
＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at Tj=25°C）
Ｒａｔｅｄ
ＤＣ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆
回
復
時
間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□
Ｖａｌｕｅ
６００
保
存
温
Ｓtorage Ｔemperature
□
Ｒａｔｅｄ
ＶＣＥＳ
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
□
15.50
17.00
13.00
7.00
119.60
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= 0V
－
１.９
２.４
Ｖ
ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs
－
０.１５
０.２５
μｓ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
－
－
－
－
０.２２
０.４５
℃／Ｗ
： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
Ｔ hermal Ｉ mpedance
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＧＢＴ
Ｄ iode
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
（Tcチップ直下での測定点）
0Q3/52
㧼㨀㧹㧮㧝㧡㧜㧱㧢㧯
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
VGE=20V
12V
15V
250
15V
250
200
150
11V
Collector Current I C (A)
12V
11V
Collector Current I C (A)
Tj=125°C
300
VGE=20V
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
Tj=25°C
300
10V
100
9V
200
50
150
10V
100
9V
50
8V
8V
0
0
1
2
3
4
0
5
0
1
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Tj=25°C
16
300A
14
150A
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
Tj=125°C
16
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
IC=75A
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
IC=75A
14
150A
12
10
8
6
4
2
0
20
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
300A
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
350
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
RL =2.0ǡ
Tj=25°C
12
250
10
VCE =300V
200
8
200V
150
6
100V
100
4
2
50
0
100
VGE=0V
f=1MHZ
Tj=25°C
14
300
0
100000
200
300
400
Total Gate Charge Qg (nC)
500
0
600
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
16
400
30000
Capacitance C (pF)
10000
Cies
3000
Coes
1000
Cres
300
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
50
100
200
0Q3/52
㧼㨀㧹㧮㧝㧡㧜㧱㧢㧯
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
1
10
VCC=300V
RG=5.1 ǡ
VGE=±15V
Tj=25°C
Resistive Load
0.8
0.6
tf
0.4
1
0.5
toff
0.2
tr(V CE)
ton
tf
0.1
tON
0.2
2
Switching Time t (µs)
tOFF
Switching Time t (µs)
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
Tj=25°C
Resistive Load
5
0.05
tr(VCE)
0
0
50
100
150
200
0.02
250
3
10
30
100
Collector Current IC (A)
Series Gate Impedance RG (ǡ)
Fig.9- Collector Current vs. Switching Time
Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time
10
10
VCC=300V
RG=5.1ǡ
VGE=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
1
tOFF
tON
tf
0.1
2
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
tr(Ic)
0.01
1
0.5
toff
0.2
ton
0.1
tf
0.05
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
5
tr(IC )
0.001
0
50
100
150
200
0.02
250
3
10
30
100
Collector Current IC (A)
Series Gate Impedance RG (ǡ)
Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss
Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss
16
300
VCC=300V
RG=5.1 ǡ
VGE=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
12
EOFF
8
EON
ERR
4
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
VCC=300V
IC=150A
VGE=±15V
Tj=125°C
Inductive Load
100
EON
30
EOFF
10
ERR
3
0
0
50
100
150
Collector Current IC (A)
200
250
1
3
10
30
Series Gate Impedance RG (ǡ)
100
0Q3/52
㧼㨀㧹㧮㧝㧡㧜㧱㧢㧯
300
Tj=25°C
1000
250
Forward Current I F (A)
200
150
100
50
0
500
trr
200
100
50
IRrM
20
10
0
1
IF=150A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=125°C
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
2
3
4
0
150
300
450
-di/dt (A/µs)
Forward Voltage VF (V)
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
1000
500
200
100
Collector Current I C (A)
RG=5.1 ǡ, VGE=±15V, Tj<125°C
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
3
Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W)
1
FRD
3x10
IGBT
-1
1x10 -1
3x10 -2
1x10 -2
T C=25°C
3x10 -3
1 Shot Pulse
1x10 -3
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
Time t (s)
10 -1
1
10 1
600
750
900

PDMB150E6C

PDMB200E6

PCHMB400B12A - 日本インター

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