2SB919 / 2SD1235

注文コード No. N 1 0 4 6 B
2SB919/2SD1235
No.
N1046B
31000
半導体ニューズ No.1046(’
87-’
88D.B No.1046A)とさしかえてください。
2SB919 / 2SD1235
PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
30V / 8A 高速スイッチング用
用途
・リレードライブ , 高速インバータ , コンバータなどの一般大電流スイッチング用に適する。
特長
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い：VCE(sat)= − 0.5V(PNP), 0.4V(NPN) max。
・電流容量が大きい。
（）内は 2SB919 の場合を示す。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
VCBO
VCEO
(−)60
(−)30
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
(−)6
(−)8
V
A
コレクタ電流（パルス）
コレクタ損失
ICP
PC
(−)15
1.75
A
W
接合部温度
Tj
30
150
W
℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB=(−)40V, IE=0
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
fT
利得帯域幅積
コレクタ・エミッタ飽和電圧
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
min
VEB=(−)4V, IC=0
VCE=(−)2V, IC=(−)1A
typ
70 ※
VCE=(−)2V, IC=(−)4A
VCE=(−)5V, IC=(−)1A
max
(−)0.1
unit
mA
(−)0.1
280 ※
mA
30
120
VCE(sat)
IC=(−)3A, IB=(−)0.15A
V(BR)CBO IC=(−)1mA, IE=0
V(BR)CEO IC=(−)1mA, RBE=∞
V(BR)EBO IE=(−)1mA, IC=0
MHz
(−)60
(− 0.5)0.4
V
V
(−)30
(−)6
V
V
次ページへ続く。
※ 2SB919 / 2SD1235 は 1A hFE により次のように分類している。
外形図 2010C
70
Q 140
100 R 200
140 S 280
(unit : mm)
10.2
3.6
4.5
1.3
18.0
15.1
2.7
6.3
5.1
14.0
5.6
1.2
0.8
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
2.7
1 2 3
0.4
2.55
2.55
SANYO : TO-220
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
31000 GI IM / N121 MH 印刷 / 8220 MH 外図変 / 2027 YO 社変 / 1182 YO 8-4542 No.1046-1/4
2SB919/2SD1235
前ページより続く。
min
ターンオン時間
蓄積時間
ton
tstg
tf
下降時間
typ
指定回路において
〃
〃
max
unit
0.1
(0.2)0.5
µs
µs
0.03
µs
スイッチングタイム測定回路図
IB1
INPUT
RB
OUTPUT
VR
PW=20µs
D.C.≦1%
IB2
RL
2.5
50Ω
+
100µF
20IB1= --20IB2=IC=4A
(PNPの場合極性逆)
+
470µF
VBE= --5V
--9
--160mA
--140mA
--120mA
--8
--7
--200mA
--180mA
160mA
140mA
120mA
100mA
0mA
20
180mA
8
--100mA
--80mA
--6
--5
--60mA
--4
--40mA
--3
--20mA
7
80mA
6
60mA
5
40mA
4
3
20mA
2
--1
1
IB=0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8 --1.0
--1.2 --1.4
--1.6 --1.8
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
0.2
0
0.4
0.6
コレクタ電流, IC -- A
--8
--6
--4
1.4
1.6
1.8
--2
2.0
ITR08726
2SD1235
VCE=2V
14
--10
1.2
IC -- VBE
16
--12
1.0
0.8
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
ITR08725
2SB919
VCE= --2V
--14
IB=0
0
--2.0
IC -- VBE
--16
コレクタ電流, IC -- A
2SD1235
9
--2
12
10
8
6
4
2
0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
--1.6
0
0.2
0.4
0.6
5
7
5
3
2
1.4
1.6
ITR08728
2SD1235
VCE=2V
5
直流電流増幅率, hFE
100
1.2
7
3
2
1.0
hFE -- IC
1000
2SB919
VCE= --2V
7
0.8
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
ITR08727
hFE -- IC
1000
直流電流増幅率, hFE
IC -- VCE
10
2SB919
コレクタ電流, IC -- A
--10
コレクタ電流, IC -- A
VCC=10V
IC -- VCE
3
2
100
7
5
3
2
10
7
10
5
3
--0.01 2
3
5
--0.1
2
3
5
--1.0
2
コレクタ電流, IC -- A
3
5
--10 2
ITR08729
7
5
0.01
2
3
5
0.1
2
3
5
1.0
2
コレクタ電流, IC -- A
3
5
2
10
ITR08730
No.1046-2/4
2SB919
5
3
2
--10
5
3
2
--1.0
5
3
2
=20
/ IB 0
IC
=1
/ IB
IC
--0.1
5
3
2
--0.01
--0.01 2
3
5
--0.1
2
3
5
2
--1.0
3
5
--10 2
ITR08731
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
コレクタ電流, IC -- A
2SB919
IC / IB=20
5
3
2
--10
5
3
2
--1.0
5
3
2
--0.01 2
3
5
--0.1
2
3
5
2
--1.0
3
5
--10 2
ITR08733
IC
10
2
0.1
5
IC /
2
IC
0.01
0.01
7 --100
ITR08735
PC -- Ta
32
VBE(sat) -- IC
2SD1235
IC / IB=20
3
2
1.0
7
5
3
2
0.01
2
3
5
0.1
2
3
5
2
1.0
3
5
2
10
ITR08734
ASO
2SD1235
ICP
IC
10
7
5
m
s
3
2
1.0
7
5
s
0m
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
5
2
10
ITR08732
10
3
5
n
2
--10
3
7
5
3
7
5
7
2
1.0
tio
era
5
5
s
on
ati
er
3
3
10
2
2
2
2
0.1
--1.0
0.1
3
--0.1
7
5
1ms∼100ms : 1パルス
5
100
7
5
2
7
3
op
s
0m
op
3
2
20
I B=
=10
/ IB
DC
10
DC
--1.0
7
5
5
1m
s
1m
3
2
2
1.0
10
ms
7
5
5
2
コレクタ電流, IC -- A
--10
2
10
3
2SB919
ICP
2
2SD1235
5
コレクタ電流, IC -- A
ASO
3
VCE(sat) -- IC
100
コレクタ電流, IC -- A
VBE(sat) -- IC
--100
コレクタ電流, IC -- A
コレクタ電流, IC -- A
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
VCE(sat) -- IC
--100
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
2SB919/2SD1235
1ms∼100ms : 1パルス
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
5
7 100
ITR08736
30
コレクタ損失, PC -- W
28
24
理
想
放
熱
20
16
12
8
4
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
ITR08737
No.1046-3/4
2SB919/2SD1235
PS No.1046-4/4

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