Si フォトトランジスタ KPT081M31

Si フォトトランジスタ
KPT081M31
特長
• NPN型フォトトランジスタ
• 透明エポキシモールド
• 低暗電流
用途
• 光スイッチ
• 光学式エンコーダ
• 光アイソレータ
• カメラストロボ
• 赤外センサ
• 自動制御機器
1. Collector
2. Emitter
Unit: mm
絶対最大定格
項目
コレクタ-エミッタ間電圧
エミッタ-コレクタ間電圧
コレクタ-ベース間電圧
エミッタ-ベース間電圧
許容損失
動作温度
保存温度
記号
Vceo
Veco
Vcbo
Vebo
PD
Topr
Tstg
定格値
20
5
75
-25 to +85
-30 to +100
単位
V
V
V
V
mW
oC
oC
備考
結露なきこと
結露なきこと
電気的・光学的特性 (指定の無い場合 Ta=25oC)
項目
有効受光面積
検出波長
記号
S
λ
Min.
IL
-
7
-
mA
Iceo
hFE
600
5
-
200
-
nA
-
Vce(sat)
-
-
0.4
V
立上り・立下り時間
tr, tf
-
5
-
µs
半値角
2θ
-
60
-
deg.
光電流
暗電流
電流増幅率
コレクタ飽和電圧
(1504/KPT081M31)
400
Typ.
Max.
0.64 x 0.64
1000
880(λp)
単位
mm2
nm
条件
λp=ピーク波長
Vce=5V,
1000lx(@2856K)
Vce=20V
Vce=5V, IC=2mA
IC=1mA,
1000lx(@2856K)
Vce=5V, IC=2mA,
RL=100Ω
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Si フォトトランジスタ
KPT081M31
Collector Dissipation - Ambient Temperature
Photocurrent - Coolector-Emitter Voltage
125
10
100
75
50
800lx
6
600lx
4
25
400lx
200lx
2
0
0
0
20
40
60
80
Ambient temperature
100
0
5
(oC)
10
15
20
Collector-Emitter voltage (V)
Photocurrent - Illuminance
Dark Current - Ambient Temperature
10
10000
Ta=25oC
VCE=5V
VCE=10V
1000
Dark current (nA)
Photocurrent (mA)
L=1000lx
8
Photocurrent (mA)
Collector dissipation (mW)
Ta=25oC
1
0.1
100
10
1
0.1
0.01
0.01
1
10
100
1000
10000
-25
Illuminance (lx)
0
25
50
75
Ambient temperature
Spectral Responsivity
100
(oC)
Directivity
100
-30o
-20o
-10o
0o
10o
20o
30o
Relative sensitivity (%)
Ta=25oC
80
-40o
40o
60
-50o
50o
50
40
20
0
400
600
800
1000
Wavelength (nm)
(1504/KPT081M31)
1200
-60o
60o
-70o
70o
-80o
80o
90o
-90o
0
Relative sensitivity (%)
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Si フォトトランジスタ
KPT081M31
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