二軸性結晶(CRE)のテスト

二軸性結晶(CRE)のテスト
提供（財）高輝度光科学研究センター冨澤宏光様
東京大学大学院工学系研究科前川陽様
二軸性結晶(CRE)のテスト
HeNeレーザー (633nm+546nm)での実験
Ti:Sapphireレーザー (792nm)での実験
白色光を用いた実験
実験体系
HeNeレーザー(633nm, 546nm)を光源として使用。
偏光子とフレネルロムでCREへの入射偏光を
コントロールし、出射ビームプロファイルおよび
偏光状態を計測した。
HeNe laser + 偏光子：直線偏光に規定
フレネルロム波長板：直線偏光の偏光軸を回転する。（λ/2波長板）
直線偏光を円偏光に変換。（λ/4波長板）
HeNe laser
凸レンズ
f=100mm
CCD
CRE
偏光子
フレネルロム波長板
CRE後の円環ビーム形成面での
プロファイルを計測。
λ/4波長板を用いて円偏光を入射した場合
上：強度プロファイル
右：各偏光成分の強度プロファイル（図中の矢印が偏光方向を示す。）
λ/2波長板を用いてCREへの入射偏光を回転させる。
入射偏光方向を変化させたときの強度プロファイル（角度は波長板の回転角を示す。）
入射偏光＝垂直偏光
0deg
15deg
22.5deg
入射偏光＝平行偏光
30deg
45deg
90deg
垂直偏光を入射した場合の出射偏光分布。
入射偏光＝垂直偏光
上：強度プロファイル
右：各偏光成分の強度プロファイル（図中の矢印が偏光方向を示す。）
二軸性結晶(CRE)のテスト
HeNeレーザー (633nm)での実験
Ti:Sapphireレーザー (792nm)での実験
白色光を用いた実験
実験体系
Ti:Sapphireレーザー(792nm)を光源として使用。
石英ロッドによりパルス幅を>1psまで伸ばしてCREに入射。
HeNeを用いた計測と同様、波長板によって入射偏光状態を
変化させて出射プロファイルを計測した。
石英ロッド
Ti:Sapphire(792nm)
フレネルロム波長板
CRE
CCD
偏光子
凸レンズ
f=100mm
凸レンズ
f=80mm
λ/4波長板を用いて円偏光を入射した場合
上：強度プロファイル
右：各偏光成分の強度プロファイル（図中の矢印が偏光方向を示す。）
λ/2波長板を用いてCREへの入射偏光を回転させる。
入射偏光方向を変化させたときの強度プロファイル（角度は波長板の回転角を示す。）
入射偏光＝垂直偏光
0deg
15deg
22.5deg
入射偏光＝平行偏光
30deg
45deg
90deg
vertical偏光を入射した場合の出射偏光分布。
入射偏光＝垂直偏光
上：強度プロファイル
右：各偏光成分の強度プロファイル（図中の矢印が偏光方向を示す。）
二軸性結晶(CRE)のテスト
HeNeレーザー (633nm+546nm)での実験
Ti:Sapphireレーザー (792nm)での実験
白色光を用いた実験
白色光を用いた実験結果
intensity [a.u.]
白色ファイバレーザー SC450 (Fianium, UK)を用いた実験
4 10
4
3 10
4
2 10
4
1 10
4
0
400
600
800
1000
wavelength [nm]
レーザースペクトル
1200
実験体系
フレネルロムλ/2波長板
凸レンズ
f=100mm
白色レーザー
CCD
CRE
偏光子
λ/2波長板を回転させて、直線偏光の偏光軸を回転させた。
波長板：0deg
波長板：22.5deg
波長板：45deg
波長板：67.5deg
波長板：90deg
フレネルロムλ/2波長板
実験体系
白色レーザー
凸レンズ
f=100mm
CCD
CRE
偏光子
フレネルロムλ/４波長板
λ/4波長板を用いて直線偏光を円偏光に変換する。
λ/2波長板を調整することで、λ/4波長板に入射する偏光状態を最適化した。
円偏光
楕円偏光
λ/2波長板：+5deg
λ/2波長板：+10deg

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