新 製 品 携帯機器･民生機器向けメモリ64MビットシングルデータレートFCRAM MB81E643242-12/15 R 携帯機器，民生機器向けのSDRインタフェースFCRAM R です。ラ ンダムアクセス性能の高速化を，低CASレイテンシ，低周波数で実 現しました。 はじめに 近年，DRAMはパソコンや携帯情報端末等の情報機器，デジ タルTV，デジタルスチルカメラなどの民生機器，通信，ネットワー ク関連機器等のさまざまな製品に搭載されています。当社では， 独自開発の高速・低消費電力メモリFCRAM R のコアにSDRインタ フェース＊1を搭載することで，これらの製品の高性能化・多機能化 に伴うさまざまなニーズに最適な仕様のメモリを開発しました。 現在，普及しているシンクロナスDRAMの多くは，クロック周波 数の向上により連続データ転送の効率を上げて，システム・パフォー 写真１ 外観 マンスの向上に対応してきました。このため，情報機器，民生機 器等に必要なランダムアクセス性能の高速化は犠牲になっていまし た。 今回開発した64Mビット シングルデータレートFCRAM R は，この ような市場の要求であるランダムアクセス性能の高速化を，低CAS レイテンシ＊2・低周波数で実現し，システムのパフォーマンスを上げ ることが可能になりました。 この製品には，次のような特長があります。 SDRAMと同一コマンド，同一ピン配置 CL＝１での，オートプリチャージコマンドによるプリチャージタイ ムを外部に見えなくしている 低周波数動作によりEMI＊3が軽減 写真２ チップ 機 能 リード/ライト動作 図１・２に，周波数50MHzでランダムアクセス時のSDRAMと FCRAM R でのタイミング比較を示します（図１：ライト動作，図 ２：リード動作）。 これらの比較では，SDRAMはCASレイテンシ＝２，FCRAM R は CASレイテンシ＝１となっています。図１・２から分かるように，ラ イト動作時では，SDRAMはtRC＝３クロック（60ns），FCRAM R FIND Vol.18 No.4 2000 49 MB81E643242-12/15 はtRC＝２クロック（40ns）となり，30％以上の高速化を実現して 図１ SDRAMとFCRAMでのライト時のタイミング比較 います。リード動作時ではSDRAMはtRC＝４クロック（80ns）， FCRAM R はtRC＝２クロック（40ns）となり，50％の高速化が可 0 1 2 3 4 5 6 7 ACT WT PRE ACT WT PRE ACT WT 能となります。 オートプリチャージ動作 このように，今回開発したFCRAM R では，CASレイテンシ＝１ の場合プリチャージ開始タイミングをデバイス内部で自動化しており， 外部からはプリチャージ時間を見えなくすることでサイクルタイムの高 SDRAM tRC＝3 クロック CL＝2 tRC＝60 ns tDAL＝40 ns 速化を実現しています。 つまり，オートプリチャージ機能付きリードコマンド（RDA），また ACT はオートプリチャージ機能付きライトコマンド（WTA）の投入直後に アクティブコマンド（ACT）を投入することで，システムバスのデー タ占有率を高く維持した状態でシステムを動作させることが可能で SDR FCRAM tRC＝2 クロック CL＝1 WTA ACT WTA tRC＝40 ns ACT WTA ACT WTA tDAL＝20 ns す。 EMIの軽減 SDRAMでは動作周波数が100MHz以上となっており，システム 上では高速な信号による電磁妨害への対策が必要になります。本 図２ SDRAMとFCRAMでのリード時のタイミング比較 製品の動作周波数は50MHzであるため，EMIへの対策は軽減さ れます。したがって，システムの安定動作・コストの削減に大きく寄 0 1 ACT RD 2 3 4 5 PRE ACT RD 6 7 与することとなります。 特 性 表１に本製品の主要特性，表２に電源電圧とパッケージを示し SDRAM tRC＝4 クロック CL＝2 tRC＝80 ns PRE tRAC＝48 ns ます。 ACT ま と め 当社では，マルチメディア・グラフィックス向けのDDRインタフェ SDR FCRAM tRC＝2 クロック CL＝1 RDA ACT RDA ACT RDA ACT RDA tRC＝40 ns tRAC＝35 ns ース＊4FCRAM R をすでに開発しており，本製品で携帯機器，民 生機器向けSDRインタフェースFCRAM R も開発しました。今後も FCRAM R コア技術，高速インタフェース技術をもとに，お客様の要 求に対応した高付加価値FCRAM R 製品を開発・ご提供していき ます。 表１ 主要特性 ■ ＊１：SDRインタフェース：一般的なSDRAMと同様に，クロックの立上がり時 に同期して動作するインタフェース。 ＊２：CASレイテンシ：コマンド入力後に最初のデータが出力されるまでのクロッ ク数。 ＊３：EMI：電子回路，電子部品からの信号が信号線を伝わる時，電磁波 となって他の信号線や電源線等に漏れ誤動作を誘発すること。 ＊４：DDRインタフェース：一般的なDDR-SDRAMと同様に，クロックの立上 MB81E643242-15 MB81E643242-12 CL＝1 CL＝2 CL＝1 CL＝2 tCK 20ns 12ns 25ns 15ns tRC 40ns 36ns 50ns 45ns tRAC 35ns 31ns 43ns 38ns ICC1 190mA 160mA ICC4 175mA 145mA がり/立下り時に同期して動作するインタフェース。 表２ 電源電圧とパッケージ ＊FCRAMは富士通株式会社の登録商標です。 電源電圧 VCC＝3.3V±0.3V パッケージ プラスチック86ピンTSOP 技術に関するお問い合わせ先：電子デバイス事業本部 第四システムLSI事業部 アプリケーションエンジニアリング部 TEL（044）754-3283 50 FAX（044）754-3343 営業に関するお問い合わせ先：最寄りの営業部門（裏表紙をご参照ください） FIND Vol.18 No.4 2000
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