SiCデバイス6L&'HYLFHV
2
SiCデバイス
SiC Devices
SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作
を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー
半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現す
ることができます。
SiC
6L&GHYLFHVKDYHH[FHOOHQWFKDUDFWHULVWLFVWKDWUHDOL]HKLJK
EORFNLQJYROWDJHORZSRZHUGLVVLSDWLRQKLJKIUHTXHQF\
RSHUDWLRQDQGKLJKWHPSHUDWXUHRSHUDWLRQ
3RZHUVHPLFRQGXFWRUVWKDWPDNHXVHRI6L&DFKLHYHVLJQLILFDQW
UHGXFWLRQLQHQHUJ\FRQVXPSWLRQDQGFDQEHXVHGWRGHYHORS
VPDOOHUDQGOLJKWHUSURGXFWV
■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
Ɣ +LJKSHUIRUPDQFHFKLSV
■特長 Features
ā9VHULHV,*%7IRUORZORVVRSHUDWLRQ
高性能チップ適用
・低損失の V シリーズ IGBT
ā6L&6%'IRUORZORVVRSHUDWLRQ
・低損失の SiC-SBD
Ɣ 7KHVDPHSDFNDJHOLQHXSDVWKHFRQYHQWLRQDO6L,*%7
従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換
PRGXOHV
■２個組 1700V クラス Standard 2-pack 1700 volts class
,F
$ 06,9(
9
96HULHV6L&6%'
M277
'LPHQVLRQ>PP@
9&(6
型 式
'HYLFHW\SH
○
9*(6
9ROWV 9ROWV
06,9(
,&
3&
&RQW
9&(VDW9*( 9 スイッチングタイム6ZLWFKLQJWLPH
WRQ
7\S
WRII
WI
,&
7\S
7\S
7\S
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
$PSV :DWWV 9ROWV
$PSV
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
0
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
■６個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class
N
4HERMISTOR
P
,F
$ 06,9%
P
U
U
V
W
M633
Solder pins
V
9
96HULHV6L&6%'
W
N
'LPHQVLRQ>PP@
型 式
'HYLFHW\SH
○
06,9%
9&(6
9*(6
9ROWV 9ROWV
3&
,&
&RQW
9&(VDW9*( 9 スイッチングタイム6ZLWFKLQJWLPH
WRQ
7\S
WRII
WI
,&
7\S
7\S
7\S
ȝVHF
ȝVHF
ȝVHF
$PSV :DWWV 9ROWV
$PSV
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
0
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
注(FRQR3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。
1RWH(FRQR3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\
2
SiCデバイス6L&'HYLFHV
■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 600, 1200V クラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
4HERMISTOR
B
P P)
P
P1
N
N1
R
S
T
U
V
W
R
M712
SiC
,F
S
T
B
U
V
W
N N)
9
96HULHV6L&6%'
$
$ 0659%
$ 0659%
$ 0659%
9
96HULHV6L&6%'
0659%
0659%
'LPHQVLRQ>PP@
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
○
0659%
0659%
0659%
0659%
0659%
ブレーキ部%UDNH>,*%7)('@ コンバータ部&RQYHUWHU>'LRGH@
インバータ部,QYHUWHU>,*%7@
3&
9&(VDW 9&(6
,&
9550 9550
,2
9)0
,)60
9&(6 ,&
7\S
7\S
&RQW
&RQW
&RQW
9ROWV $PSV :DWWV 9ROWV
9ROWV
9ROWV 9ROWV
$PSV
$PSV 9ROWV
$PSV
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
注(FRQR3,0は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。
1RWH(FRQR3,0LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
0
0
0
0
0
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SiCデバイス6L&'HYLFHV
■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD)
■特長 Features
高速スイッチング特性
Ɣ +LJKVSHHGVZLWFKLQJ
・電源の高周波動作、システムの小型軽量化
ā+LJKIUHTXHQF\RSHUDWLRQPLQLDWXUL]DWLRQZHLJKWVDYLQJ
低 VF 特性
Ɣ /RZ9)
低 IR 特性
Ɣ /RZ,5
高逆サージ耐量
ā7
M &*XDUDQWHHG+LJKWHPSHUDWXUHRSHUDWLRQ
/RZ/RVV+LJKHIILFLHQF\
SiC
・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化
Ɣ +LJKDYDODQFKHFDSDELOLW\
■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series
6L&6%'6HULHV
結線
シングル
Single
デュアル
Dual
95509
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
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)'&&6
)'&&&
)'&&6
)'&$6
)'&<6
)'&<&
,R$
絶対最大定格
0D[LPDXPUDWLQJ
,2
9550
9ROWV
$PSV
72
72)
,)60
$PSV
接合温度
7KHUPDOUDWLQJ
7M&
0$;
72
73DFNV
電気的特性7D &
&KDUDFWHULVWLFV
9)0
,550
0$;9ROWV
0$;$
パッケージ
3DFNDJH
72
72
72
72
72
72)
72)
72)
72)
72)
72
72
72
72
73DFN6
73DFN6
73DFN6
72)
72
72
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
+] 方形波GXW\ 正弦波PV
95 9550
+]6TXDUHZDYHGXW\ 6LQHKDOIZDYHPV
95 9550
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SiCデバイス6L&'HYLFHV
■自動車用 SiC ショットキーバリアダイオード Automotive SiC Schottky-Barrier Diodes
SiC
6L&6%'6HULHV
結線
デュアル
Dual
95509
,R$
型 式
'HYLFHW\SH
○
○
○
○
73DFNV
9550
,R
,)60
9)
PD[
9ROWV
$PSV
$PSV
9ROWV
)'&<&$
)'&&&$
)'&<&$
)'&<&$
○：開発中 8QGHUGHYHORSPHQW
72
LQSDFNDJH,) ,R
,550
PD[
7KHUPDOUDWLQJ
7MDQG7VWJ
P$
&
WR
WR
WR
WR
パッケージ 質量
3DFNDJH 1HW
PDVV
*UDPV
72
7SDFN
72
72
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