応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会第１回研究討論会「テラヘルツデバイス技術の最前線」 http://annex.jsap.or.jp/terahertz/THzTop.htm 応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会、開催期日：2016 年 6 月 16 日（木） 13:00 〜 17:30（定員：３０名）開催場所：東京大学生産技術研究所 An 棟３階大会議室〒153-8505 東京都目黒区駒場４−６−１（駒場リサーチキャンパス）アクセス：http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html 趣旨：近年、テラヘルツ技術は、通信、分光、環境計測、セキュリティー分野など様々な分野で注目を集めています。特に、テラヘルツ技術を広く普及していくためには、コンパクトな光源や検出器、高機能な光学系などの実現が不可欠であり、それを支えるデバイス技術の重要性が非常に増してきています。そこで、本研究討論会では、光源、検出器、共振器などテラヘルツ電磁波応用に不可欠なデバイス技術をトピックとする「テラヘルツデバイス技術の最前線」と題する研究討論会を企画し、３件の招待講演に加えて一般投稿（7 件）により、今後の新しいテラヘルツ技術の研究開発と応用可能性を議論する機会とします。参加費：（事前登録）応用物理学会員学生一般（当日登録）応用物理学会員学生一般 3,000 円（但し、テラヘルツ電磁波技術研究会への入会が条件） 1,000 円（但し、テラヘルツ電磁波技術研究会への入会が条件） 5,000 円 5,000 円 3,000 円 7,000 円懇親会費 3,000 円（先着 20 名）注）研究討論会参加申込時にテラヘルツ電磁波技術研究会入会申し込みをして頂き、承認されました場合には、応用物理学会員、学生でのご参加を受け付けております。講演申込み期限：平成 28 年 4 月 15 日（金）申込み方法：お名前、ご所属、メールアドレスおよび講演題目を下記メールアドレスへご送付ください。理化学研究所山下将嗣 m-yama＠riken.jp 事前申込期限：平成 28 年 5 月 31 日（火）申し込み方法：お名前、ご所属、メールアドレス、学生、会員(応物会員番号）／非会員、THz 電磁波技術研究会への入会希望の有無、懇親会参加／非参加の情報を下記メールアドレスへご送付下さい。理化学研究所山下将嗣 m-yama＠riken.jp 応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会第１回研究討論会「テラヘルツデバイス技術の最前線」プログラム案東京大学生産技術研究所〒153-8505 東京都目黒区駒場４−６−１（駒場リサーチキャンパス）アクセス：http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html ２０１６年６月１６日（木） 13:00 開催挨拶 13:10 招待講演伊藤弘（北里大学）「ヘテロバリアダイオード（仮）」 13:40 一般講演 14:00 一般講演 14:20 一般講演 14:40 一般講演 15:00 休憩 15:20 招待講演宮丸文章（信州大学）「テラヘルツメタマテリアルの最近の進展（仮）」 15:50 一般講演 16:10 一般講演 16:30 一般講演 16:50 招待講演 17:20 閉会の挨拶研究会懇親会平山秀樹（理化学研究所）「窒化物量子カスケードレーザの現状と展望（仮）」