応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会 第1回研究討論会 「テラヘルツデバイス技術の最前線」 http://annex.jsap.or.jp/terahertz/THzTop.htm 開催期日:2016 年 6 月 16 日(木) 13:00 〜 17:30(定員:30名) 開催場所:〒153-8505 東京都目黒区駒場4−6−1(駒場リサーチキャンパス) 東京大学生産技術研究所 アクセス: http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html D 棟 6 階 Dw-601 大セミナー室(D ブロックのエレベータで 6 階に上がり、降りてすぐ) 世話人:平川一彦(東大)、浅田雅洋(東工大)、角屋豊(広大) 趣旨:近年、テラヘルツ技術は、通信、分光、環境計測、セキュリティー分野など様々な分野で注目を集め ています。特に、テラヘルツ技術を広く普及していくためには、コンパクトな光源や検出器、高機能な光学 系などの実現が不可欠であり、それを支えるデバイス技術の重要性が非常に増してきています。そこで、 本研究討論会では、光源、検出器、共振器などテラヘルツ電磁波応用に不可欠なデバイス技術をトピック とする「テラヘルツデバイス技術の最前線」と題する研究討論会を企画し、3件の招待講演に加えて一般 投稿(7 件)により、今後の新しいテラヘルツ技術の研究開発と応用可能性を議論する機会とします。一般 講演からは、若手研究者の特に優れた発表を選出し、若手優秀講演賞の表彰が行われます。 参加費 (事前登録)注) 応用物理学会員 学生 一般 (当日登録) 応用物理学会員 学生会員 非会員 3,000 円(但し、テラヘルツ電磁波技術研究会への入会が条件) 1,000 円(但し、テラヘルツ電磁波技術研究会への入会が条件) 5,000 円 5,000 円 3,000 円 7,000 円 懇親会費 3,000 円(先着 20 名) 注)事前登録申込み時にテラヘルツ電磁波技術研究会入会申込みをして頂き、承認されました場合には、 事前登録での応用物理学会員、学生でのご参加を受け付けております。 事前申込期限:平成 28 年 5 月 31 日(火) 申込み方法:お名前、ご所属、メールアドレス、学生、会員(応物会員番号)/非会委員、THz 電磁波技術 研究会への入会希望の有無、懇親会参加/非参加の情報を下記メールアドレスへご送付下さい。 理化学研究所 山下将嗣 m-yama@riken.jp 応用物理学会テラヘルツ電磁波技術研究会 第1回研究討論会 「テラヘルツデバイス技術の最前線」 プログラム案 東京大学生産技術研究所 D 棟 6 階 Dw-601 大セミナー室 〒153-8505 東京都目黒区駒場4−6−1(駒場リサーチキャンパス) アクセス:http://www.iis.u-tokyo.ac.jp/access/access.html 2016年6月16日(木) 13:00 開催挨拶 13:10 伊藤 弘(北里大学)、石橋忠夫(NTT エレクトロニクステクノ) 「フェルミレベル制御バリアダイオードによる広帯域・低雑音THz波検出」(招待講演) 13:40 鈴木左文、Withawat Withayachumnankul、浅田雅洋(東京工業大学) 「共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器における戻り光の影響」 14:00 渋谷哲、磯部結希、鈴木左文(東京工業大学) 「ボウタイアンテナ集積高電子移動度トランジスタテラヘルツ受信器」 14:20 中舍安宏、川野陽一、松村宏志*、芝祥一*、佐藤優、鈴木俊秀*、高橋剛*、牧山剛三*、 岩井大介*、原直紀(富士通、*富士通研究所) 「大容量通信への応用に向けたサブミリ波帯 InP HEMT 集積回路の開発」 14:40 張亜、渡辺康行、細野 優、長井奈緒美、平川一彦(東京大学) 「非冷却・高感度 MEMS テラヘルツボロメータの開発」 15:00 休憩 15:20 宮丸文章(信州大学) 「テラヘルツメタマテリアルの最近の進展」(招待講演) 15:50 門内靖明(慶応大学) 「漏れ波ビームフォーミングに基づくテラヘルツ応用システムへのアプローチ」 16:10 紀和利彦、周益、堺健司、塚田敬二(岡山大学) 「レーザ励起テラヘルツを用いた電気化学センサの開発」 16:30 白石弘幸、村田捷斗,藤本亜実,角屋豊(広島大学) 「低温成長 GaAs 光伝導アンテナの 1.5μm 励起における励起パワー依存性」 16:50 平山秀樹、寺島亘(理化学研究所) 「窒化物量子カスケードレーザの現状と展望」(招待講演) 17:20 閉会の挨拶 研究会懇親会
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