研究スタッフ 教 授: 鷲尾勝由、 准教授: 小谷光司 助 教: 川島知之 W A S H I E E C 研究目的 DNA解析からロケットの制御システムまで 広範な分野の中核を担う半導体デバイスに 「ナノオーダー超構造材料」を加え、幅広 い 分 野 で パ ラ ダ イ ム シ フ ト を 起 こ す べ く、 電子、光子、スピン等の量子情報を自在に 操る機能融合デバイスの創製に取り組んで います。 当研究室では主に、遷移金属添加酸化物透明半導体やIV族系半導体量子構造 など、柔軟な発想による新しいナノ材料の創製に関する研究を行っています。 主な研究テーマ 1. V添加によるZnO薄膜の成長制御と高移動度化に関する研究 70 2 at% VZO/c-sapphire 10 8 Carrier density (10 VZO 450 nm 30 -4 ×5 Resistivity (10-4 Ωcm) Ωcm) XRD intensity (arb.(arb. unit) ZnO(100) XRD intensity unit) ZnO -3 正規ドメイン 50 500 nm 20 Zn or O of ZnO O of Al2O3 回転ドメイン(非正規) cm ) ・ 10-4 Ωcmオーダーの低抵抗V添加ZnO透明導電膜 (VZO)を形成 ・ c面サファイア上における成長ドメイン制御に よって高い移動度を実現 10 nm 0 180 Φ Phi (degree) (o) 正規 360 0 180 Φ Phi (degree) (o) V添加による回転ドメイン成長の抑制 鷲尾・小谷研究室 10 150W 150 W 7 5 360 3 2 ×5 回転 正規 50 W 50W 0 100 200 Thickness Thickness (nm) (nm) 150W 150 W 4 2 0 30 スパッタRF電力 Mobility (cm /Vs) 10 nm 50 W 50W 6 300 50 W 50W 20 150 W 150W 10 0 0 100 200 Thickness (nm) Thickness (nm) 300 成長ドメイン制御による低抵抗VZOナノ薄膜 www.sse.ecei.tohoku.ac.jp 2. V添加によるZnOの非晶質化と固相成長の研究 ・ ウルツ鉱型ZnOの易配向性をVが抑制し、ZnOを非晶質化 ・ 不活性雰囲気中700℃以上の短時間熱処理で固相成長し、ZnOを高配向化 回 転 ドメ イ ン 4 at% VZO 4 at% XRD intensity (arb.(arb. unit)unit) ZnO(100) XRD intensity XRD intensity (arb. unit) XRD (10-10) ZnO(100) XRDintensity intensity(arb. (arb.unit) unit) 30 rotated domain normal domain 1 at% 0 60 120 180 240 300 360 Phi (o) 非晶質 正 規 ドメ イン 0 1 2 V concentration (at.%) 3 4 TA( ) 850 800 700 700 x50 ×50 as-deposited As-grown x50 ×50 Al2O3 (110) 0 V concentration (at%) ZnO (100) 900 900 120 240 φ (degree) Phi (o) V添加による非晶質化 360 固相成長による配向化 3. フレキシブルフィルム上におけるV添加ZnO導電膜の研究 ・ フィルムの柔軟性を損なわない低抵抗VZOナノ薄膜を実現 ・ PET上では50 nm以下の厚さでも低抵抗率を維持可能 ・ SS(PC)上では低抵抗率ながら、PETよりも優れた透明性を現す 100 Average Average Transmittance transmittance (%) (%) Resistivity (mΩcm) (mΩcm) Resistivity 3.0 VZO/SS 2.0 SS* 1.0 VZO/PETPET 0.0 0 50 100 150 200 VZO thickness (nm) Thickness (nm) 250 λ = 450~800 nm 90 SS* VZO/SS PET VZO/PET 80 70 60 50 0 50 100 150 200 250 VZO thickness(nm) (nm) Thickness フィルム上VZOナノ薄膜の電気特性と光透過特性 VZOナノ薄膜を堆積したPET (*SS : 耐熱ポリカーボネートフィルム上に機能性コート層及び無機バリア層を設けた帝人(株)社製エレクリア® SS80) 鷲尾・小谷研究室 www.sse.ecei.tohoku.ac.jp
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