2SB825 / 2SD1061

注文コード No. N 6 8 7 G
2SB825/2SD1061
No.
N687G
40300
単品カタログ No.687D(’
87-’
88D.B No.687F)とさしかえてください。
2SB825 / 2SD1061
PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
50V / 7A スイッチング用
用途
・リレードライブ , 高速インバータ , コンバータなどの一般大電流スイッチング用に適する。
特長
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い：VCE(sat)=(−)0.4V max。
・ASO が広く破壊に強い。
（）内は 2SB825 の場合を示す。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
VCBO
VCEO
(−)60
(−)50
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
(−)6
(−)7
V
A
コレクタ電流（パルス）
コレクタ損失
ICP
PC
(−)12
40
A
W
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
min
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
ICBO
IEBO
VCB=(−)40V, IE=0
VEB=(−)4V, IC=0
直流電流増幅率
hFE(1)
hFE(2)
VCE=(−)2V, IC=(−)1A
VCE=(−)2V, IC=(−)5A
利得帯域幅積
コレクタ・エミッタ飽和電圧
fT
VCE(sat)
VCE=(−)5V, IC=(−)1A
IC=(−)4A, IB=(−)0.4A
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)CBO IC=(−)1mA, IE=0
V(BR)CEO IC=(−)1mA, RBE=∞
V(BR)EBO IE=(−)1mA, IC=0
エミッタ・ベース降伏電圧
typ
70 ※
30
max
unit
(−)0.1
(−)0.1
mA
mA
280 ※
10
(−)0.4
MHz
V
(−)60
(−)50
V
V
(−)6
V
次ページへ続く。
※ 2SB825 / 2SD1061 は 1A hFE により次のように分類している。
70
Q 140
100 R 200
140 S 280
外形図 2010C
(unit : mm)
10.2
3.6
4.5
1.3
18.0
15.1
2.7
6.3
5.1
14.0
5.6
1.2
0.8
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
2.7
1 2 3
0.4
2.55
2.55
SANYO : TO-220
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
8220 MH 外図変 / 2037 YO 社変 / 3061 YO 色 / 6060 YO 8-3831 hFE 変 / 2150 YO 8-3619 / 1210 開 B / O029 開 A / 7319 Ki No.687-1/4
40300 GI IM / 6111 MH 印刷 /
2SB825/2SD1061
前ページより続く。
min
ターンオン時間
下降時間
ton
tf
tstg
蓄積時間
typ
max
unit
指定回路において
〃
0.2
(0.1)0.3
µs
µs
〃
(0.7)0.9
µs
スイッチングタイム測定回路図
IB1
PW=20µs
tr, tf≦15ns
INPUT
OUTPUT
IB2
RB
1Ω
VR
100Ω
RL
10Ω
50Ω
+
1µF
+
1µF
VBE= --5V
VCC=20V
IC=10IB1= --10IB2=2A
PNPの場合極性逆
IC -- VCE
A
-1
--8
--100mA
--4
--60mA
--40mA
--2
--20mA
--80mA
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
100mA
80mA
6
60mA
4
40mA
20mA
IB=0
0
0
--6
--4
--2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
ITR08451
IC -- VBE
12
2SD1061
VCE=2V
10
コレクタ電流, IC -- A
--8
0.2
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
ITR08450
2SB825
VCE= --2V
--10
A
200m
8
--1.4
IC -- VBE
--12
4
2
--10mA
IB=0
0
コレクタ電流, IC -- A
A
0m
A
--6
60
10
--200m
2SD1061
A
m
00
1A
コレクタ電流, IC -- A
--10
A
0m mA
-- 80 --600 A
0m
--40
IC -- VCE
12
2SB825
コレクタ電流, IC -- A
--12
8
6
4
2
0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
--1.2
--1.4
ITR08452
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
1.4
ITR08453
No.687-2/4
2SB825/2SD1061
hFE -- IC
5
3
直流電流増幅率, hFE
直流電流増幅率, hFE
2
100
7
5
3
2
10
7
100
7
5
3
2
10
7
5
5
3
3
2
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
ITR08454
コレクタ電流, IC -- A
VCE(sat) -- IC
5
2SB825
3
2
--1.0
7
5
3
0
=2
/ IB
IC
0
=1
/ IB
IC
2
--0.1
7
5
3
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
コレクタ電流, IC -- A
7 --10
2
ITR08456
3
10
1.0
7
5
3
2
0
0.1
7
IC
5
=2
/ IB
IC
0
=1
B
/I
3
2
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
ITR08457
ASO
2SD1061
10
IC
0m
s
5
3
2
s
5
2
10
ITR08455
ms
7
7
n
tio
era
op
on
ati
er
op
--1.0
5
2
10
DC
2
3
2SD1061
VCE=2V
DC
ms
10
3
2
1m
s
5
コレクタ電流, IC -- A
s
1m
7
7 1.0
3
7
0m
5
VCE(sat) -- IC
5
10
IC
3
ICP
ICP
--10
2
2
2SB825
2
7 0.1
コレクタ電流, IC -- A
ASO
3
5
コレクタ電流, IC -- A
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
2
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
2SD1061
VCE=2V
3
2
コレクタ電流, IC -- A
hFE -- IC
5
2SB825
VCE= --2V
1.0
7
5
3
3
2
2
1ms∼100msについては
シングルパルスである
--0.1
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
5
7 --100
ITR08458
PC -- Ta
50
1ms∼100msについては
シングルパルスである
0.1
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
5
7 100
ITR08459
コレクタ損失, PC -- W
40
30
理
想
放
熱
20
10
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
ITR08460
No.687-3/4
2SB825/2SD1061
PS No.687-4/4

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