【A-３】 次世代電動⾞を導くパワー半導体 （敬称略） 11 ⽉ 13 ⽇(⾦) 14:00-16:50 セッションチェアマン︓佐藤 ⾼史(京都⼤学) ・ 中村 孝(ローム㈱) ◆ワイドギャップ半導体パワーデバイスの研究開発状況と今後の課題 京都⼤学⼤学院 ⼯学研究科 電⼦⼯学専攻 准教授 須⽥ 淳 [講演要旨] ワイドギャップ半導体の炭化珪素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)は、次世代パワーデバイスの最有⼒材料として注 ⽬を集めている。本講演では、ワイドギャップ半導体の物性がパワーデバイスの⾶躍的な性能向上につながることを 説明し、SiC、GaN、それぞれについて、研究の黎明期から現在に⾄るまでの研究開発の歴史、現状と今後の課題 について述べる。 [講演者プロファイル] 1997 年 3 ⽉、京都⼤学博⼠課程修了、その後、京都⼤学助⼿、講師を経て、2007 年より准教授。この間、 ⽶国カリフォルニア⼤学バークレイ校客員研究員、科学技術振興機構・さきがけ研究「ナノと物性」プロジェクト 研究員などを兼務。GaN,SiC,AlN 等の結晶成⻑、物性制御、デバイス応⽤を中⼼に研究を展開。 ◆次世代パワー半導体モジュール技術 富⼠電機株式会社 技術開発本部 電⼦デバイス研究所 次世代モジュール開発センター センター⻑ ⾼橋 良和 [講演要旨] 本講演では低損失化が期待される次世代の IGBT や⾼温化、⾼周波化が可能な SiC を実装したパワー半導 体モジュール技術、特にパッケージ技術、実装技術について報告する。次世代パワー半導体モジュールは⾰新的で ⾼効率なパワーエレクトロニクス機器を実現する上で従来にも増して重要なキーファクターとなっている。 [講演者プロファイル] 1982 年 3 ⽉ 早稲⽥⼤学理⼯学部卒業、富⼠電機株式会社⼊社 次世代モジュール開発センターに所属 しおもに SiC や IGBT に最適な次世代パワー半導体モジュールの研究・開発に従事、現在に⾄る。 ⼯学博⼠、エレクトロニクス実装学会理事、⼭梨⼤学客員教授 ◆環境対応⾞両への SiC パワーデバイス適⽤に向けた取り組み トヨタ⾃動⾞株式会社 パワーエレクトロニクス開発部 主幹 ⼾⽥ 敬⼆ [講演要旨] トヨタ⾃動⾞のサステイナブルモビリティへの取り組みを概説し、そのコアとなるハイブリッド技術について説明。次世 代のキー技術として開発を進めている SiC パワー半導体の研究開発に焦点を当て、その実⽤化に向けた取り組みを 紹介。 [講演者プロファイル] 1981 年トヨタ⾃動⾞に⼊社し、電気⾃動⾞開発を担当。1988 年より、半導体の内製に取り組む。電⼦技術 領域の企画業務などを担当後、2009 年より、SiC プロジェクト担当。FUPET 応⽤技術調査委員会、SiC アライ アンス企画委員会委員などを⽴ち上がりより 5 年間担当。 ※本講演に興味を持たれた⽅は、こちらの講演もご覧になっています。 【A-1】 ITS を⽀える⾃動運転技術 【A-2】 次世代電動⾞における次世代バッテリー/モータの進化
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