前回簡単に紹介したCMOSは、nMOSとpMOSを相補的に接続した回路構成です。相補的とは、pMOS,nMOSをペアにして入力を共有し、pMOSが直列接続のときは nMOSは並列接続に、pMOSが並列接続のときはnMOSは直列接続にする方法です。現在使われているディジタル回路の8-9割はCMOSです。CMOSは1980年代から急速に発達し、毎年チップ内に格納する素子数が1.5倍（18ヶ月で倍）になるという急成長を遂げました。この成長率をムーアの法則と呼びます。これによって、コンピュータは大発展を遂げ、ディジタル回路はアナログ回路に置き換わって様々な用途に使われるようになりました。今回はこのCMOS回路をやや深く見て行きましょう。 1 歴史的には、製造のしやすいpMOSのみでできた回路が最初に発達しました。世界初のマイクロプロセッサ4004をはじめとする初期のマイクロプロセッサはｐMOSでできていました。しかしｐMOSはマイナスの電源電圧を与える必要がありました。また、ホールは電子に比べて易動度といって動かし易さが小さいため、性能が低くなりやるいのです。このため、70年代の中ごろには、LSIの主流は全てをnMOSで作る方式に移りました。この方式は、エンハンスメント型のnMOS FETの負荷抵抗にディプリーション型のnMOS FETを抵抗として使います。 2 ディプリーション型はゲートとソースの電圧が0Vでもある程度電流が流れるので抵抗として使うことができます。nMOSのみで作るため、作りやすいという利点があり、 80年代のはじめまで使われました。中でもメモリ回路はかなり後になってもnMOSが使われました。しかし、トランジスタを抵抗と使うために、出力がLレベルのときには常に電流が流れてしまいます。また、LからHへの変化が遅いという問題もありました。このため、序々にCMOSに置き換わりました。 3 では、CMOSの回路構成を見て行きましょう。CMOSの特徴は、ゲートがＨにするとＯＮになるnMOS,LにするとＯＮになるpMOSという相補的(Complementary)なトランジスタを相補的に接続することにあります。まずnMOS,pMOSのペアを入力数分用意して、ゲートを共通にしてそれぞれの入力を与えます。次に回路の下半分にnMOSを、上半分にpMOSを配置し、nMOSが直列の場合、pMOSは並列に、nMOSが並列の場合、 pMOSを直列に接続します。このようにすると、出力にはＧＮＤと電源のどちらかがトランジスタを介してつながり、電源からＧＮＤまでの通路のどこかは切れていることになります。前回、ＮＯＴ、ＮＡＮＤ、ＮＯＲを紹介しました。今回はより複雑な回路について紹介します。 4 前回紹介したＮＯＲとＮＡＮＤの回路を見てください。ＮＯＲの方はnMOSが並列に繋がっているので、どちらかの入力がＨになると出力ＹはＧＮＤに繋がってＬが出力されます。両方の入力がＬのときだけＹは電源と繋がってＨが出ます。一方、ＮＡＮＤは nMOSが直列なので、両方ＨのときだけＹがＬになり、pMOSが並列なのでどちらかがＬのときにはＹがＨになります。この方法を利用すればもっと複雑な回路も実現可能なはずです。 5 例えば、直並列を組み合わせるとこの図に示すような回路が実現できます。このようなゲートをＣＭＯＳ複合ゲートと呼びます。この種の回路を解析する場合は、下半分のnMOSに着目する方法と、上半分のpMOSに着目する方法があります。ここでは下半分に着目しましょう。ＺがＧＮＤに落ちるためにはどのトランジスタがＯＮになれば良いかを考えます。 6 ＺがＧＮＤに繋がる条件は、以下のように求めます。並列の場合はＯＲと考え、直列の場合はＡＮＤと考えます。この場合、ＢとＣのＯＲで、これに対してＡがＡＮＤされることになります。さらにＤがＯＲされます。この条件が満足されれば、ＺはＧＮＤになります。すなわち論理式は、ここに示すようになります。 7 今度は上半分のpMOSに着目します。pMOSはＬの時ＯＮになるので、入力にバーが付くことになります。あとは同じで、直列がＡＮＤ、並列がＯＲです。出来上がった式はさきほどと違うように見えますが、ドモルガンの法則により同じことがわかります。 8 次にブール式から回路図に変換する方法を紹介しましょう。式の形が全体にバーが付いている場合は、nMOSから作っていきます。ＡとＢはＯＲなので並列に繋ぎます。これにＣがＡＮＤされているので、直列にnMOSを繋ぎます。ここで、ＣとＡ，Ｂの並列接続の上下関係は逆でもかまいません。この図ではＣがＧＮＤに接続されていますが、ＡとＢの並列接続がＧＮＤに接続されていてもかなわないです。 9 次に、nMOSの部分と逆の接続関係でpMOS部分を作ります。ＡとＢは並列なので、 pMOSを直列に接続します。Ｃは直列なので、ＡとＢの直列に対して並列に繋ぎます。入力のバーに対するブール式が与えられた場合はpMOS部分をまず作って、これに対応したnMOS部分を作っていきます。 10 ではこの辺で演習をやってみましょう。演習7-1は回路からブール式に変換する問題、演習7-2はブール式から回路を作る問題です。 11 さて、今まで紹介したＣＭＯＳ回路は必ず上半分にpMOSを使い、下半分にnMOSを繋ぎました。このため、入力と出力の関係は必ずＮＯＴが入ることになり、今までの複合ゲートは全体の式にバーが付いた形か、個々の入力にバーが付いた形のどちらかの論理式でなければ実現できませんでした。ＡＮＤ、ＯＲなどは実現できません。これはなぜでしょう？理由はpMOSはＨレベルの伝達、細かく言うとＬからＨへの変化の伝達は得意ですが、ＨからＬの変化の伝達は苦手です。逆にnMOSは、ＬレベルつまりＨからＬへの変化の伝達は得意で、ＬからＨへの伝達が苦手という特徴があるからです。 12 これは動作原理を考えると理解できます。nMOSのp型サブストレートはＧＮＤレベルになっています。このため、Ｓ－ＤがＬレベルになるときは電位差が生じません。一方、Ｓ－ＤがＨレベルになる際は、電位差が生じます。この時、Ｓ－Ｄとサブストレートの間の容量（コンデンサ）に電荷を充電しなければＳ－Ｄ間はＨレベルになることができず、このために時間が掛かってしまいます。 13 pMOSの場合、nMOSとは逆にサブストレートは電源電位になっているので、Ｓ－Ｄ間がＨレベルのときには電位差が生じません。一方で、Ｓ－Ｄ間がＬレベルになる場合は、容量に充電する必要があり時間が掛かってしまいます。 14 したがって、このようにnMOSに電源電位を伝達させ、pMOSにＧＮＤ電位を伝達させる方法は、互いに苦手な電位を伝達することになり動作速度が遅くて使い物になりません。 15 では、ＣＭＯＳでＡＮＤやＯＲはどのようにして作れば良いのでしょうか？ＮＡＮＤやＮＯＲの後にＮＯＴゲートを付ければよいのです。ＣＭＯＳのＮＯＴゲートはトランジスタ2 個でできますし、高速です。このようにＣＭＯＳは、ＮＯＴゲートを惜しげなく使って論理を合わせることで、nMOSでＬレベルを伝達し、pMOSでＨレベルを伝達する原則を維持します。 16 さて、ここまでで通常の相補的な使い方を紹介しました。これと全く逆な利用法があります。nMOSとpMOSのソースードレイン同士を接続し、ゲートには片方にＳを与えたとすると、もう片方にはＳの反転信号を与えます。この場合、pMOSがＯＮのときは nMOSもＯＮになり、nMOSがＯＦＦのときはpMOSもＯＦＦになります。つまり、両方が必ず同じ状態になるのです。このことにより、ＯＮになった時はＡとＹが接続され、ＯＦＦの時は、ＡとＹが切り離されます。これをトランスミッションゲート、あるいはトランスファーゲートと呼びます。なぜnMOSとpMOSの両方必要か？というと、先ほど解説したとおり、それぞれ通すのが得意なレベルが違うからです。ＨレベルはpMOSが、LレベルはnMOSが主に動作することで、両方のレベルを高速に通すことができます。トランスミッションゲートは、双方向である点にご注意ください。この双方向性を利用してＦＰＧＡの配線用スイッチとして使うことができます。 17 トランスミッションゲートを使うとマルチプレクサ（データセレクタ）を簡単に作ることができます。図に示すようにＳをＨにすると上のトランスミッションゲートがＯＮになって、ＡがＹに出力されます。 18 一方、ＳをＬにするとＢがＹに出力されます。Ｓの反転信号を作るＮＯＴゲートを含めてもトランジスタ6個で実現できるのが特徴です。後の授業で紹介するＤ－ＦＦの中身などに使います。 19 ではここで、テキスト22ページの例題をやってみましょう。これは先ほどのマルチプレクサの応用です。 20 Ａ＝Ｈの時にはＹにＢが、Ａ＝Ｌの時にはＹにＢの反転信号が表れます。これを真理値表にしてみると、Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ－ＯＲ（排他的論理和）ができてきることがわかります。排他的論理和は複合ゲートで作ることができず、普通のゲートの組み合わせで作ると多数のゲートが必要であることから、この方法にはメリットがあります。このようにトランスミッションゲートを使って論理回路を作ることをパストランジスタロジックと呼びます。パストランジスタロジックは、排他的論理和の場合はコストの小さいメリットが際立っているため、使われることがありますが、伝達レベルが劣化する問題点があります。通常のＣＭＯＳは、出力には電源、ＧＮＤレベルがトランジスタを通じて表れます。しかし、パストランジスタロジックの出力は入力がそのまま出てくるため、複数段を経過するとレベルが劣化してしまうのです。 21 トランスミッションゲートのpMOS, nMOSが両方OFFの状態では、出力は電気的に浮いた状態になります。この状態は、出力インピーダンスが高くなることからハイインピーダンス状態とも呼びます。にこれはLとHのほかの第３の出力ということで3ステート出力あるいはトライステート出力と呼びます。この図のようにNOTゲートの出力にトランスミッションゲートを付けることで、3ステートゲートを作ることができます。この例ではB入力がLの場合は、出力はハイインピーダンス（真理値表ではHi-Zと表します。Zはインピーダンスをしめすことを思い出しましょう）になり、B入力がHの時は普通のNOTゲートとして働きます。MIL記号法ではこのように横から3ステート状態にするかどうかを切り換える制御線を付けて示します。 22 3ステートゲートを利用するとバスを作ることができます。通常のディジタル回路は一つの信号線に複数の出力を繋げることはありませんが、場合によっては、複数の出力を繋いで、時分割で信号を載せることにより、信号線を共有して効率良く利用することがあります。このような信号線は通常束にして一定の大きさのデータを載せることが多く、バス（Bus)と呼ばれます。3ステートゲートの出力を複数接続し、どれか一つを除いて全てハイインピーダンス状態にします。この場合、Aのみ制御線をLにし、 B,CはHにします。このことにより、信号線上にはAからの信号のみが載ります。今度はCの制御線をLにして、他をHにすれば、Cの入力がバス上に載ります。このようにバスはA,B,Cのどの信号を載せることもできるのですが、複数同時に制御線をLにすると出力同士が衝突して、トランジスタ間に過電流が流れてしまいますので注意が必要です。 23 様々なスリーステートゲートの例を示します。制御線はEI（Enable Input)という名前を使っています。EIをアクティブにするとゲートは働き、そうでない場合は出力がハイインピーダンス状態になります。 24 3ステートゲートは、NAND、NOR、NOTなど通常のゲートを使ってつくることもできます。これがその例です。 25 この例ではEI＝Lならば、NAND、NORは共にNOTの働きをするので、inのレベルはそのままoutに繋がります。一方、EI＝Hの場合、両方のトランジスタがOFFになり、電気的に浮いた状態、すなわちハイインピーダンス状態になります。この方式はトランスミッションゲートを使う方法に比べてトランジスタ数が多く必要ですが、出力レベルが電源、GNDから経由するトランジスタ数が１なので、電気的に強いです。トランスミッションゲートを使うとどうしても複数個のトランジスタを経由することになります。 26 今日のポイントをインフォ丸が示します。 27 ではこの演習問題をやってみましょう。 28 以降はおまけです。計算機基礎で習ったはずです。忘れた人はスライドを見て思い出してください。 29 30 31 32