［SEB ® の特長］ 〈ダイボンディング・アルミ箔を挟んだ音波接合〉 ★［大気中・常温］接合 ★［短時間］数秒間励起接合 ★［拡散・合金・インゴット化］ ★［ダメージ］無し ★［歪み・残留応力・経時変化］無し ［Si 面の接合］ 「Si・SiC・ガラス 各種チップ」と「Cu プレート」の間に 〈純アルミ箔〉をサンドイッチしたダイボンディングが ［SEB］接合技術で可能となりました。 （Patent pending） Si 片面 Au メタライズ □ 10mm t=100µm ［Au メタライズ面の接合］ SiC chip □ 8mm t=360µm Cu プレート ［Si 面の接合］ SiC Al foil Cu Si 片面 Al メタライズ □ 10mm t=525µm 純 Al 箔 Cu プレート Al Si Al foil Cu ［全面完全接合］ ボイド無し ［SiC 面の接合］ 純 Al 箔 Au Si Al foil ［耐熱 400℃ 以上］ 急速加熱・急速冷却に よる接合部の変化無し <Sound Excitation Bonding> ［Al メタライズ面の接合］ ［SiC 接合後の曲げテスト］ SiC 剥離無し Cu ［ガラス面の接合］ 無アルカリガラス chip □ 10mm t=600µm Cu ［SiC 接合後 正面透視 ボイド無し］ ［ガラス接合後 500℃に加熱 剥離無し］ 無アルカリガラス Al foil Copyright (C) 2015 ULTEX Corporation, All rights reserved. TI-J-0067A4-2015112501
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