MCL-E-770G (PDF形式、537kバイト)

ハロゲンフリー高Ｔｇ・高弾性・超低熱膨張多層材料
MCL-E-770G
GEA-770G〈プリプレグ〉
ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料
■特長
■用途
●Ｘ，
Ｙ方向の膨張係数が極めて小さく
（α1，
α2）、弾性率が高いことから大幅なそり低減を可能にします。
●半導体パッケージ
（FC-CSP,PoP,SiP）
●低熱膨張・高密度ガラスクロスとの組合せ(LHタイプ)により2.0ppm/℃以下のCTEを実現します。
●GEA-770GはEPS(Embedded Passive Substrate)構造に適しています。
●ビルドアップ用内層コア材
●薄物モジュール用基材
●高耐熱性を有しており、
ビルドアップ構造に適しています。
■一般仕様
品番
タイプ名
定尺寸法
（たて×よこ）
ー
＋10
1020 ＋10
−0 ×1020 −0 mm
MCL-E-770G
呼び名
（呼称）
M0.06
0.1
D0.15
M0.22
0.2
0.41
LHU0.04
LHM0.06
LH0.1
LHD0.15
LH0.2
ＬＨY0.25
標準銅箔厚さ
3μm
5μm
12μm
（STD,LP,PF）
＋10
1020 ＋10
−0 ×1220 −0 mm
＋10
1220 ＋10
−0 ×1020 −0 mm
（LH）
3μm
5μm
12μm
18μm
（STD,LP,PF）
厚さおよび許容差
0.060±0.020mm
0.110±0.020mm
0.155±0.020mm
0.205±0.030mm
0.210±0.040mm
0.415±0.040mm
0.040±0.013mm
0.060±0.020mm
0.105±0.020mm
0.150±0.020mm
0.210±0.030mm
0.255±0.030mm
注１）
STD；一般銅箔、LP；低プロファイル箔、PF;プロファイルフリー箔を示します。注２）
厚さの中間に位置する厚さ許容差はより厚いほうの厚さ許容差とします。
注３）
厚さは絶縁層の厚さを示します。
■一般特性
●多層用銅張積層板
（t0.2mm）
処理条件
試験項目
TMA
ガラス転移温度 Tg
DMA
X
熱膨張係数
Y
＊1
Z
単位
ppm/℃
TMA
分
熱分解温度
（5％重量減少）
TGA
℃
セミアディティブ工程ビルドアップ耐熱性
260℃リフロー
T-288＊2
銅箔引きはがし強さ
12μm
kN/m
表面粗さ
（Ra）
A
μm
曲げ弾性率（たて方向）
A
GPa
比誘電率
誘電正接
1MHz
1GHz＊3
1MHz
1GHz＊3
C-96/20/65
C-96/20/65
−
−
体積抵抗率
C-96/20/65+C-96/40/90
Ω･cm
表面抵抗
C-96/20/65+C-96/40/90
Ω
絶縁抵抗
C-96/20/65
C-96/20/65+D-2/100
吸水率
E-24/50+D-24/23
耐電食性
85℃/85％RH，
DC100V印加
Ω
1.5∼2.0
8∼13
300以上
60以上
60以上
430∼450
20以上
0.5∼0.7
0.6∼0.8
2∼3
30∼32
34∼36
4.4∼4.6
4.2∼4.4
4.1∼4.3
3.9∼4.1
0.003∼0.005
0.003∼0.005
0.004∼0.006
0.004∼0.006
15
1×10
∼1×1016
1×1013∼1×1015
1×1014∼1×1016
1×1013∼1×1015
％
0.2∼0.4
時間
2000以上
注）
一般特性試験は、
JIS C 6481によります。
＊1）
昇温速度：10℃/min ＊2）
IPC-TM-650によります｡
（銅箔なし）
＊3）
トリプレートストリップライン共振器法によります｡
測定項目により、t0.4mmの値を記載しております。
10
1.5∼2.0
4.0∼6.0
サイクル
A
18μm
320∼340
4.0∼6.0
70∼90
秒
T-260＊2
MCL-E-770G
（LH）
タイプ
260∼280
（＞Tg）
A
はんだ耐熱性
（260℃）
MCL-E-770G
℃
（30∼120℃）
（＜Tg）
実測値
●プリプレグ
品番
タイプ名
ー
GEA-770G
（L）
0.025
0.025
0.03
0.03
0.04
0.025
0.025
0.03
0.03
0.035
0.035
0.04
0.045
1017N72
1017N76
1027N72
1027N76
1037N72
L1017N72
L1017N76
L1027N72
L1027N76
L1024N68
L1024N73
L1037N72
L1030N71
ガラスクロス
織密度
IPC
（たて×よこ）
スタイル
95×95
1017
95×95
1017
75×75
1027
75×75
1027
69×72
1037
95×95
1017
95×95
1017
75×75
1027
1027
75×75
1024
69×72
1024
53×53
1037
69×72
1030
90×90
樹脂分
（％）
72±2
76±2
72±2
76±2
72±2
72±2
76±2
72±2
76±2
68±2
73±2
72±2
71±2
プリプレグ特性
揮発分
硬化時間
（％）
（秒）
270±30＊2
2.0以下
270±30＊2
成形厚さ＊1
（mm）
0.025
0.030
0.040
0.048
0.048
0.025
0.030
0.040
0.048
0.041
0.050
0.048
0.058
注）
一般特性試験は、JIS C 6521
（成形厚さは除く）
によります。
＊1）
成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ１枚当たりの厚さです。
この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。＊2）
硬化時間：IPC法
●狭ピッチ耐CAF信頼性評価結果
●TEG4層基板におけるそり評価結果
チップ
Underfill
TEG チップ
＊チップサイズ : 7.3mm×7.3mm
＊チップ厚み : 150μm
TEG 基板
＊基板サイズ : 14mm×14mm
＊基板厚み : 0.2mm
＊ビルドアップ厚み : 40μm×1stack
＊ソルダーレジスト厚み : 20μm
凸型
室温
（リフロー後）
室温
（リフロー前）
そり量
1.00E+11
50
90μm壁間
1.00E+10
（μm） 0
絶縁抵抗
-50
リフロー温度
-100
+
-
substrate
150
100
処理条件 : 130℃ 85%RH-DC5.5V
サンプル厚み : t0.2mm(Core:#2116 x 2ply)
壁間距離 : 0.09mm
ドリル径：Φ 0.10mm
前処理 : 30℃ 60%RH 168hr+260℃ reﬂow 3times
抵抗値測定条件：槽内測定
凹型
E705G
（LH）
E770G
（LH）
E770G
（LH）
+GEA705G
（L） +GEA705G
（L） +GEA770G
（L）
25℃
265℃
25℃
1.00E+09
1.00E+08
（Ω）
1.00E+07
1.00E+06
1.00E+05
0
50
100
150
200
250
300
350
処理時間（h）
11

Download Report