SAPP (PDF形式、686kバイト)

微細配線形成用フィルム（セミアディティブプロセス対応）
SAPP(Semi-Additive Process Primer)
■特長
■用途
●微細配線に特化したセミアディティブ用プライマです。
●半導体パッケージ
（FC-BGA,FC-CSP,SIP）
●平滑な表面粗さ(Ra:0.2∼0.3μm)のため超微細
回路を形成できます(L/S<10/10μm)
●モジュール
●絶縁信頼性に優れた材料です。
●プリプレグとともに使用可能であるため、剛性の高い
セミアディティブサブストレートを得ることができます。
●プリプレグと同じ工程条件でプレス成型が可能です。
■一般仕様
樹脂厚み
（μm）
Ra
（μm）
キャリア銅箔厚み
（μm）
5±1
0.2∼0.3
10μm
■一般特性
処理条件
試験項目
単位
実測値
μm
0.2∼0.3
粗化後表面粗さ
（Ra）
A
ガラス転移温度 Tg
TMA
℃
160∼170
はんだ耐熱性
（260℃）
A
秒
600以上
A
kN/m
0.6∼0.8
めっき銅箔引きはがし強さ
25μm
●超微細粗化形状
●SAP工法による微細配線形成性
Ra:15μm
L/S=6μm/6μm
L/S=10μm/10μm
10μm
●絶縁信頼性
サンプル構造
1.E+12
GEA-679FG
（R）
：#1037ｘ1ply
銅厚：5μm
SAPP
1.E+11
MCL-E-679FG
（R）
1.E+10
L/S=10μm/10μm
1.E+09
試験条件：130℃85％RH,DC5.5V
L/S＝10μm/10μm
1.E+08
1.E+07
1.E+06
62
100μm
0
50
100
150
200
250

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