スーパークリーンルーム (SCR) Super Cleanroom (SCR) 概要 Outline 産総研共用施設等利用制度 ● 300 mmウェハを用いた先端デバイス試作ライン（一部、小口径も可能） ● CMOS、フォトニクス、新材料デバイスの開発／評価、装置性能評価を支援 Advanced process line using 300 mm wafers. (Small wafers are partly available) Supports Developments of CMOS, Photonics, New material devices, and Evaluation of process tools. 200台以上のプロセス装置を装備した最先端のクリーンルーム Advanced Clean Room with more than 200 process equipment SCRの様々な研究環境の提供や技術支援等を通して、皆様の研究開発をサポートします。新材料を用いたデバイス、プロセスの原理実証の場として、多様な分野の技術と最先端微細加工技術の融合の場として、SCRをご活用いただけます。 Clean Room Area: 3000 m2 Fan Filter Unit (FFU) 3F Electric Supply Machine 嫌振架 A 台中央通路 Machine C Machine B F/C 2F Cylinder Cabinet Exhaust Duct V P 1F Tr スーパークリーンルーム (SCR) 3000 m2のクリーンルーム（クラス３）にCMOSプロセス可能な装置群が設置・整備・管理され、新材料、新構造ナノデバイスを実証する場が提供されています。 Class 3 (JIS.B9920) 代表的なプロセス装置 Typical process equipment イオン注入装置 Ion Implantation 中電流型と低エネルギー型の2種類のイオン注入装置をご利用いただけます。Boron, Phos., Arsenics, Argonが注入可能です。小口径ウェハも処理可能です。注入量、エネルギー、活性化アニール条件のシミュレーション検討も支援します。 ArF液浸露光装置 ArF Immersion Lithography ArFエキシマレーザー（波長193nm）を光源とし、投影レンズとウエハ間を純水で満たして露光する技術です。45nmのライン＆スペースパターン形成が可能です。この他にKrFステッパーもご利用可能です。 Cu CMP装置 Chemical Mechanical Polishing バリアメタル形成、メッキ法によるCu膜の埋め込み工程を行った後に、このCMP装置で化学機械研摩を行い、Cu配線を完成します。例えば新しい研摩薬液の試験装置として、１日単位での専有利用にも応じます。ご提供サービスの特徴 ■300mm/100mm ウェハプロセス支援のご提供新材料インテグレーションや新構造デバイス開発のプラットフォームとして、またSi フォトニクス研究開発のプラットフォームとしてご活用頂けます。 ■プロセス情報管理ラインの基本的なプロセス関連情報は、ＭＥＳ（製造実行システム）で管理。他の利用者の情報を見ることができないようにIDとパスワード管理されています。ご利用相談に先立ち、NDA(秘密保持契約)締結も承っております。 ■プロセスメニュー例 300mmウエハ・Si-Photonics受動素子用プロセス・Bulk & SOI 65nm世代微細加工プロセス・45nm世代相当の２層Cu配線加工プロセス・微細CMOSスループロセス（Cu多層配線可能） 100mmウエハ・イオン注入、成膜プロセス（絶縁膜、High-k等）など産総研共用施設等利用制度については、こちらをご参照ください https://unit.aist.go.jp/tia/orf-co/top.html つくばイノベーションアリーナナノテクノロジー拠点（TIA-nano) Tsukuba Innovation Arena for Nanotechnology (TIA-nano) 2015/01/28-30 nano tech 2015