PIDS－偏光散乱強度差計測の検証 ―混合サブミクロン・ラテックス粒子

PIDS－偏光散乱強度差計測の検証
―混合サブミクロン・ラテックス粒子を
用いて―
粒子径分布を測定する際、サブミクロン粒子径（0.5μm 未満）においては、散乱パターンは非常によく似て
いて識別が困難なため、実際の粒子径の測定に大きな誤差が生じます。弊社が特許を取得している PIDS†1
法は、小さな粒子の光散乱では偏光に対する光散乱の強度が異なるという、特別な性質に基づいて開発し
た技術です。この技術により、同じようなサイズのサブミクロン粒子を容易に識別することができるようになり
ました。今回、粒子サイズがよく似ていたサブミクロン・
ラテックスを用いて、PIDS 法の威力を検証します。
1. 測定装置
ベックマン・コールター社製 LS 230
・測定範囲： 0.04～2,000μm
・測定方法：散乱・回折法および PIDS 法
2. 測定試料
ポリスチレンラテックス 83, 204 , 503 nm 粒子の 3 種を混合したもの（下写真）。
3. 測定結果
下図の結果より、LS 230 では 3 種のサブミクロン・ラテックス粒子を正確に測定できることが分かります。
†1 偏光散乱強度差計測法。垂直および水平偏光を入射光とする方法。小粒径粒子による散乱は入射光の偏光の影響を受けやすく、
この方法により小粒径領域まで精度良く測定することができる。
PCF17-0610

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