SiC 適用エレベーター

出典 :JASE-W 国際展開技術集
http://www.jase-w.eccj.or.jp/technologies-j/index.html
O-40
キーワード
Y3
装置・設備
Z4
電力
E29
電気機械器具製造業
三菱電機株式会社
SiC 適用エレベーター
特徴
フル SiC ※ 1（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールを適用した高速エレベーターの制御装置を業界に先
駆けて開発
パワー半導体モジュールの電力損失を約 65% 低減※ 2
制御装置の体積および設置面積を約 40% 削減※ 2
※ 1 Silicon Carbide/ 炭素とケイ素が 1:1 の化合物
※ 2 Si（ケイ素）を用いたパワー半導体モジュールを適用した当社高速エレベーターとの比較において
概要 or 原理
SiC-MOSFET ※ 3、SiC-SBD ※ 4 を使用した 1200V/1200A のフル SiC パワー半導体モジュールを開発し、
高速エレベーターの制御装置に適用しました。
SiC の適用により電力損失が低減し、パワー半導体モジュールと放熱機構を小型化しました。
SiC の特長を活かした高周波スイッチング駆動により、電源リアクトルを小型化しました。
これらの小型化効果により、制御装置の体積および設置面積を約 40% ※ 2 削減しました。
※ 3 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: 金属酸化膜半導体電界効果トランジスター
※ 4 Schottky Barrier Diode: 半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
フル SiC パワー半導体モジュール
エレベーターの制御装置
エレベーター
O-40
省エネ効果 & 特記事項
フル SiC を用いることで、Si を用いた従来のエレベーターと比較し、パワー半導体モジュールの電力
損失を約 65% 低減しました。
高速エレベーターでは、人や荷物を乗せるかご室を上下に動かす巻上機の制御装置が機械室に設置され
ていますが、機械室のレイアウト自由度を向上するため、制御装置の小型化が求められています。しかし、
今までは巻上機のモーターを駆動するパワー半導体モジュールの発熱が大きく、それに応じた放熱機構
が必要なため、制御装置の小型化は困難でした。今回、フル SiC パワー半導体モジュールを開発し、高
速エレベーターの制御装置に適用することで、制御装置の小型化と省エネルギー化を実現します。
なお、本内容は独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託研究の成果の一部
を活用しています。
導入実績または予定
国内 2015 年度生産開始予定
海外国内生産開始後に導入予定
コンタクト先
三菱電機株式会社
〒100-8310　東京都千代田区丸の内2-7-3（東京ビル）
Tel: 03-3218-2111
URL: http://www.mitsubishielectric.co.jp/elevator/

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