2014 年 4 月 30 日 NEWS RELEASE ビシェイ社、‐30 V、12 V GS P チャネル MOSFET を発表、 同等クラスで業界最小のオン抵抗、2.5 V までの定格電圧 2 mm x 2 mm の小型 PowerPAK® SC-70 で携帯用電子機器のボードスペースを削減 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジ ャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、‐30 V、12 V V GS Ｐチャネル TrenchFET®パワーMOSFET を、超小型の PowerPAK® SC-70 耐熱パッケージで発表しまし た。 SiA453EDJは、‐4.5 V と－ 2.5 V ゲートドライブ時に業界最小のオン抵抗を実現した－30 V デバイスは 2 mm by 2 mm の実装面積で提供され、携 帯用電子機器の効率向上とスペース削減に貢献しま す。 本日リリースされたビシェイ社シリコニクスブラン ドのデバイスの－30V V DS は過電圧スパイクに対して 十分なマージンを持ち、12V V GS は小型携帯用電池式 アプリケーション向けに、‐3.7 V と－2.5 V 定格時に 低オン抵抗を提供します。スマートフォン、タブレッ ト、モバイルコンピューティングデバイス、埋め込み型ではない携帯用健康機器、ハードディスクドラ イブや、電気歯ブラシ、髭剃り、スキャナー、RFID リーダー等のハンドヘルドコンシューマー家電用 の、過電圧保護ロード／入力スイッチ、充電器、DC/DC コンバーターなどに最適です。SiA453EDJ は これらの用途に 18.5 mΩ (-10 V)、23.5 mΩ (-4.5 V)、26.0 mΩ (-3.7 V)、37.7 mΩ (-2.5 V)の極めて低い オン抵抗を提供します。又、本デバイスは 4000 V の ESD 耐性を持ちます。 SiA453EDJ の-4.5 V 時のオン抵抗は競合他社の-30 V 製品よりも 36 %低く、12 V V GS では 50 %低い 値です。本デバイスの－2.5 V 時のオン抵抗は、12 V V GS 競合製品よりも 46 %低い値です。業界最小の オン抵抗は路の電圧降下を最小限に抑え、省電力化や電池動作時間の長時間化を実現します。小型 PowerPAK SC-70 パッケージは実装面積を削減します。 新デバイスは、全数 Rg および UIS 試験済、RoHS 指令 2011/65/EU に準拠、JEDEC JS709A に準拠 するハロゲンフリー品です。 ビシェイ ジャパン株式会社 東京都渋谷区渋谷 3-12-22 渋谷プレステージビル 4 階 電話: 03-5466-7150 Fax: 03-5466-7160 世界のディスクリート半導体および受動コンポーネントの大手メーカー www.vishay.com 在庫の詳細は ここをクリックして下さい 。 TrenchFET と PowerPAK は Siliconix incorporated の登録商標です。 ビシェイ・インターテクノロジー社について ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン 1000 企業で、世界 最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電 子部品 (抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等) メーカーのひとつです。 同社の部品はコンピュータ、自動 車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。 ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界の リーダーとしての地位を確固たるものにしています。 詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照くださ い。http://www.vishay.com ROW - MOSFETs - SiA453EDJ
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