RRE02VS4SFH : ダイオード

Data Sheet
AEC-Q101準拠
整流ダイオード
RRE02VS4S
RRE02VS4SFH
●外形寸法図（Unit : mm）
●用途
一般整流
●推奨ランドパターン（Unit : mm）
0.17±0.1
0.05
1.1
1.9±0.1
●特長
1)低VF
2)小型面実装モールドタイプ（TUMD2S）
2.5±0.2
2.3
0.8
1.3±0.05
TUMD2S
●回路図
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
0.8±0.05
0.6±0.2
0.1
ROHM : TUMD2S
製造年・週・日㻌
●テーピング仕様（Unit : mm）
φ 1.55±0.1
0
0.25±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
㻞㻚㻣㻡
2.8±0.05
2.0±0.05
3.5±0.05
4.0±0.1
1.43±0.05
●絶対最大定格（Ta=25℃）
Parameter
尖頭逆方向電圧
直流逆方向電圧
Symbol
VRM
VR
Io
平均整流電流
尖頭順サージ電流
接合部温度
保存温度範囲
●電気的特性（Tj=25℃）
Parameter
順方向電圧
逆方向電流
IFSM
Tj
Tstg
Symbol
VF
IR
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φ 1.0±0.2
0
4.0±0.1
Conditions
D≦0.5
直流電圧印加時
ガラスエポキシ基板実装
60Hz正弦半波、抵抗負荷時
60Hz正弦半波、非繰り返し印加Tj=25℃
Conditions
IF=0.2A
VR=400V
1/4
Min.
－
－
0.9±0.08
Limits
400
400
Unit
V
V
0.2
A
1
150
-55～+150
A
℃
℃
Typ.
0.95
0.01
Max.
1.1
1
Unit
V
μA
2012.07 - Rev.B
RRE02VS4SFH
Data Sheet
1000
1
0.1
REVERSE CURRENT:IR(nA)
FORWARD CURRENT:IF(A)
Tj=150°C
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=25°C
0.01
Tj=75°C
0.001
0
0.5
1
100
Tj=125°C
Tj=25°C
1
0.1
1.5
0
100
200
300
400
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
FORWARD VOLTAGE：VF(V)
VF-IF CHARACTERISTICS
1000
10
f=1MHz
995
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Tj=75°C
10
1
Tj=25°C
IF=0.2A
n=20pcs
990
985
980
975
970
AVE:962mV
965
960
955
0.1
0
10
20
950
30
VF DISPERSION MAP
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
10
Tj=25°C
VR=400V
n=20pcs
1
AVE:0.9nA
Tj=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
9
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
10
8
7
6
5
AVE:3.39pF
4
3
2
1
0.1
0
Ct DISPERSION MAP
IR DISPERSION MAP
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2012.07 - Rev.B
RRE02VS4SFH
Data Sheet
10
10
1cyc
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
ITS ABILITY OF PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
9
8
8.3ms
7
6
5
4
3
IFSM
8.3ms
8.3ms
1cyc
1
AVE:3.95A
2
1
0
0.1
1
10
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
IFSM DISPERSION MAP
10
100
10.0
t
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:IFSM(A)
9.0
IFSM
1
8.0
7.0
6.0
5.0
AVE:6.84kV
4.0
3.0
AVE:4.58kV
2.0
1.0
0.1
1
10
C=200pF
R=0Ω
0.0
100
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
ESD DISPERSION MAP
0.4
1000
Rth(j-a)
On glass-epoxy substrate
soldering land 6mm□
D.C.
0.35
100
Rth(j-l)
10
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (°C/W)
C=100pF
R=1.5kΩ
D=0.8
0.3
D=0.5
half sin wave
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
1000
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0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pf CHARACTERISTICS
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
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2012.07 - Rev.B
RRE02VS4SFH
Data Sheet
Io
0A
0A
0V
0.4
D=t/T
VR=200V
Tj=150°C
On glass-epoxy
substrate soldering land
D.C.
D=0.8
0.25
0.35
D=0.5
0.2
half sin wave
0.15
0.1
D=t/T
VR=200V
Tj=150°C
T
D=0.8
0.25
D=0.5
0.2
half sin wave
0.15
0.1
0.05
0.05
0
0.3
VR
t
D.C.
T
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
0.3
0V
0.4
VR
t
0.35
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT:Io(A)
Io
0
30
60
90
120
0
150
30
60
90
120
150
CASE TEMPERATURE:Tl(°C)
DERATING CURVE (Io-Tl)
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(°C)
DERATING CURVE (Io-Ta)
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0
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2012.07 - Rev.B
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